星用典型CMOS器件54HC04^60Co源辐射效应研究

给出了加固和非加固５４ＨＣ０４电路在不同辐射偏置下的低剂量率辐射实验结果,探讨了电流转移曲线,辐射感生漏电流、阈值电压,转换电压随辐射剂量的变化关系。     

空间低剂量率辐射感生漏电流预估方法研究

本文给出了一种预估CMOS器件辐照感生漏电流的总剂量辐射响应模型,并利用模型计算了非加固C4007B和加固CC4007RH NMOS器件受不同γ射线剂量率辐射下的总剂量效应.研究结果表明,在实验室选用任意一特定剂量率进行辐射实验和室温退火,利用给定的模型可以预估其它剂量率辐射下的总剂量效应,并给出了CC4007RH和C4007B器件空间低剂量率(1×10-4-1×10-2 rad/s)环境下的漏电流的预估结果.     

CMOS电路γ总剂量辐射效应评论

本文从实验结果出发,评论了国产市售和加固CMOS电路抗γ总剂量的辐射特性。介绍了几种工艺CMOS电路阈电压、静态功耗电流、输入输出特性和传输延迟时间等对总剂量辐射的不同响应规则。对多种实验电路进行了为期两年的辐射特性退火观察。实验的同时,对美国RCA公司的一种未加固电路作了辐射测量。用该结果与国产电路的辐射特性作了比较。本文认为~(6O)Co源可以作为合适的核爆总剂量辐射效应模拟源。     

一种辐射加固优化的核探测机器人控制系统设计

研究了一种核探测机器人控制系统设计方案。该方案在辐射加固方面进行了优化,重点描述了电路的耐辐射设计。     

对卫星抗辐射加固保证大纲的探讨

大纲提出我国卫星工程抗辐射加固设计技术要求及考核内容。对极轨卫星的空间辐射环境提出了极轨卫星抗辐射加固设计根据。对总体抗辐射加固设计、单机抗辐射加固要求及考核、线路抗辐射加固设计要求（包括软、硬件要求）、元器件选择和考核以及抗充放电设计要求和考核作了初步规定，为卫星工程近期抗辐射加固提出具体的框架。     

第三次全国抗辐射电子学学术讨论会将在成都召开

中国电子学会、中国核学会所属核电子学与核探测技术学会将于今年十一月在成都召开第三次全国抗辐射电子学学术讨论会。会议由核电子学与核探测技术学会副主任委员赖祖武研究员领导组织筹备。 会议征文内容包括:电子材料及器件的辐射效应及损伤机制、测试技术;电子元器件辐射加固的设计及制造工艺;电子线路和电子系统的抗辐射加固技术;核辐时环境分析、模拟辐射源及有关参数剂量的测试技术;EMP,IEMP,SGEMP现象及防护技术,EMP模拟源及实验方法;单粒子效应和损伤现象;加固和质量保证评价;辐射效应及加固     

4000系列CMOS器件的电离辐射感生漏电流

研究分析了４０００系列ＣＭＯＳ器件电离辐射感生漏电流的产生机制、变化特性及其与加固水平的关系，探讨了辐射感生静态功耗电流，其中特别是场氧化层漏电流的加固抑制方法。     

双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究

采用标准分立双极元件,对双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法进行了实验验证。给出了双极晶体管瞬态辐射响应及光电流分流补偿原理,比较了带补偿与不带补偿电路的瞬态响应波形。实验结果对双极晶体管集成电路瞬态辐射加固具有指导意义。     

γ总剂量辐射对CMOS器件性能的影响

本文比较了相同结构不同工艺的CMOS电路γ电离辐射效应结果。它表明:未经加固的市售器件,对γ总剂量辐射相当灵敏。特别是硅栅器件,正偏置下,大约经15Gy的γ剂量辐射后即告失效;在70Gy下,静态功耗电流增加4.5个量级。从实验结果出发,讨论了CMOS电路γ总剂量电离辐射效应的失效标准和加固方法。     

静态随机存取存储器辐射效应测试系统的研制

由于空间辐射效应会导致SRAM器件单粒子翻转、单粒子锁定等现象的产生。文中介绍了SRAM辐射效应测试装置的硬件、软件构成及有关测试技术。通过对SRAM芯片电流的检测、断电保护,解决了在SRAM实验过程中SRAM芯片的损坏问题,利用该装置在不同的辐射实验源上对SRAM进行辐射效应实验研究,获得了预期的实验数据。为星载计算机系统存储器的运行寿命评估及加固设计提供重要参考依据。     

双极电压比较器低剂量率辐照损伤增强效应的变温辐照加速评估方法

对3款同种型号不同公司生产的双极电压比较器进行了高、低剂量率及变温辐照的⁶⁰Co γ辐照实验。结果表明：偏置电流和电源电流为双极电压比较器辐射敏感参数,失调电压仅在工作偏置条件下为辐射敏感参数;由于工艺不同,不同公司的双极电压比较器存在辐射响应差异,而同一公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的辐照损伤趋势亦不同;变温辐照加速评估方法不仅可鉴别上述不同公司的双极电压比较器在不同偏置条件下的剂量率效应,而且能很好地模拟和保守地评估其低剂量率下的辐照损伤。     

PIN硅光电二极管用于γ射线探测的试验研究

在X、γ射线的剂量或剂量率测量场合,常用到PIN硅光电二极管.比起传统的电离室等,它有体积小、灵敏度高、成本低、不需要高压等优点;与计数管、闪烁探测器相比,其电流输出的特性可以避免脉冲场下的死时间问题.但大剂量照射造成的辐射损伤是影响其性能的最大因素.以XRB100s-CB380为例,通过试验研究了PIN硅光电二极管的特性,包括灵敏度、偏压影响、温度补偿、辐射损伤及退火等,并简单介绍了实际应用中对输出电流信号的处理方法.     

剂量率对MOS器件总剂量辐射性能的影响

对3种MOS器件在不同模拟源的两种辐照剂量率下进行辐照实验,研究了MOSFET阈值电压随辐射剂量及剂量率的变化关系。对实验结果进行了分析讨论。试验表明：在相同辐射剂量下,低剂量率辐照损伤比高剂量率大。     

Characterization of dose delivery in a hard X-ray irradiation facility

The Radiation Bioengineering Laboratory at Seoul National University (SNU) operates a user-constructed hard X-ray irradiation facility for radiation biology and radiation therapy physics studies. The system package of YXLON model 450-D08 operating at the anode voltage of up to 450 kV is a key part of the facility, which enables in vitro cell irradiation and animal irradiation for in vivo studies. In this article, dose delivery in the hard X-ray irradiation facility was characterized in terms of the dose vs. operational parametric combination of the facility. The operational parameters included beam tube anode voltage, beam tube current, irradiation time, and beam exit-to-sample distance. Bremsstrahlung X-rays at energy below approximately 20 keV were filtered out by a 3 mm-thick aluminum plate fitted over the 5 mm-thick beryllium window. Gafchromic EBT films were used as radiation sensor materials in dose measurement. The characterization was validated via experimental observation of the in vitro biological responses of cells to radiation exposure. The biological responses obtained using the new hard X-ray irradiator were highly comparable with those obtained using a commercial gamma-ray irradiator.     

The effect of pitch and collimation on radiation dose in spiral CT

1 Introduction Spiral computed tomography (CT) was intro- duced in clinical practice in 1980s. Its distinctive characteristic is continuous data acquisition and con- tinuous tube rotation with high speed while simulta- neously translating the patient through the gantry.[1] Owing to these functions the spiral CT possesses the ability to scan an entire organ volume within a single breathhold. Thus, the anatomical section is contiguous and therefore the reliable demonstration of small le- sions…     

国产工艺的部分耗尽SOI MOSFET总剂量辐照效应及可靠性

对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明:辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,但在背栅特性漂移未超出一定范围的情况下,依然是正栅氧化层质量决定了器件的抗辐照性能;界面态陷阱电荷的散射作用降低了器件的源漏饱和电流;总剂量辐照后器件的常规可靠性可能会降低。     

EPROM脉冲总剂量损伤效应实验研究

针对目前国内存储器辐照效应研究大多集中于功能测试,所测参数少的现状,提出了浮栅型存储器阈值电压的测试方法,并对浮栅型存储器EPROM初步开展了脉冲总剂量对器件阈值电压影响的效应研究,分析了损伤机理.研究结果表明,脉冲总剂量引起存储单元阈值电压向负方向发生明显漂移,在不加电和静态加电两种情况下,存储单元阈值电压漂移基本一...     

剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响

选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV2N6798和JANTXV2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中,选取钴-60γ射线,以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明,低剂量率更易引起器件损伤。     

不同型号的星用Power MOSFET 的辐射响应特性

利用^60Co源对将应用于空间系统的两种Power MOSFET进行了不同总剂量辐照实验,并从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度,对比分析了不同型号Power MOSFET器件在^60Coγ射线辐射下的总剂量效应以及辐照后100℃下退火特性,并侧重分析了总剂量实验中阈值电压和击穿电压的变化关系。为此类器件在航天系统中的应用提供了辐照数据基础和依据。