TVS二极管性能优化指南

瞬态电压抑制器（TVS）二极管是一种保护敏感电子器件免受ESD和EMI浪涌脉冲的有效低成本选择。本文将提供TVS二极管浪涌最大抑制的PCB布局指南。同时将举例说明在不同电路配置中如何取舍TVS二极管。     

高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

SOD123WTVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率（10／1000μs），单位PCB面积的浪涌能力约为67W／mm2。该二极管旨在保护电压敏感元件免受瞬时电压影响，适合电源、数据或信号线路、医疗设备及电信电路等各种电子应用。它符合苛刻的AEC-Q101标准，可以用于所有汽车电子和工业应用。     

超小封装600W TVS二极管

该系列产品采用2引脚FlatPower SOD128封装（3.8mm×2.5mm×1mm）,是业界首个采用小型塑料SMD封装并提供600W额定峰值脉冲功率（10/1000μs）的TVS（Transient Voltage Suppressor,瞬变电压抑制）二极管。这种SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与市场上已有的TVS二极管1：1替换。SOD128不含卤化物和锑氧化物,符合非易燃性分类规范UL 94V—0和RoHS标准。     

瞬态电压抑制（TVS）二极管及其应用

瞬态电压抑制（ＴＶＳ）二极管及其应用段景汉１、ＴＶＳ二极管简介本文以ＰＲＯＴＥＫ公司提供的５ＫＷ系列硅瞬态电压抑制（ＴＶＳ）二极管为例，介绍这类器件的主要特性。利用这种器件可以避免过高的瞬态电压对电压敏感元件造成损坏。ＴＶＳ二极管是一种硅ＰＮ结器件，...     

瞬态电压抑制二极管TVS及其应用

箝位型二极管(TVS)是目前被广泛应用的瞬态电压抑制二极管。TVS在反向应用条件下,感受到高瞬态能量时能迅速由原来的高阻抗变到很低的导通值,把电压箝位到预定电压,从而有效地消除对敏感系统设备、元件的危害。双向性TVS可正负方向吸收瞬时脉冲大电流,把电压箝位到预定值。TVS可用于防雷击、防过电压、抗干扰、吸收浪涌功率等,是一种理想的保护器件。     

TVS瞬态二极管的防雷应用

本文叙述TVs瞬态二极管在调频广播发射机的防雷应用。由于TVS瞬态二极管是一种二极管形式的高效能保护器件,所以当TVS二极管的两极受到雷电的瞬态高能量冲击时,它能以10-12s的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数kW的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。加接TVS二极管后,使调频广播发射机的抗雷电能力得到有效提高。     

NXP推出FlatPower TVS二极管产品线

恩智浦半导体(NXP Semiconductors)宣布推出35个采用2引脚FlatPowerSOD128封装(3.8 mm×2.5 mm×1 mm)的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制(TVS,Transient Voltage Suppressor)二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600 W额定峰值脉冲功率(10/1000μs)TVS二极管的厂商。市场上的600 W TVS产品仅有采用例如SMA或SMB这样较大尺寸的封装。新型SOD128 FlatPower封装兼容SMB引脚,可与后者1:1替换,从而在为工程师提供最佳功率性能的同时还节省了PCB空间。     

ESD3V3S1．B：TVS二极管

英飞凌科技推出一系列可用于改善静电防护性能的TVS（瞬态电压抑制）二极管。静电放电（ESD）可能对敏感的消费电子系统造成损害。新±3．3V双向二极管系列拥有行业领先的箝位电压和静电吸收率,可以防止电尖峰脉冲对系统的音频输入端口或触屏接口电路等部位造成冲击。     

恩智浦扩展FlatPowerTVS二极管产品线

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出35个采用2引脚FlatPower SOD128封装（3．8mm×2．5mm×1mm）的TVS新产品,进一步丰富了瞬变电压抑制（TVS,Transient VoltageSuppressor）二极管的产品组合。恩智浦是业界首个采用这种小型塑料SMD封装来提供600W额定峰值脉冲功率（10／1000μs）TVS二极管的厂商。     

高浪涌能力FlatPower封装的TVS二极管

SOD123W TVS器件采用新型的SOD123W FlatPower封装。该系列二极管提供400W额定峰值脉冲功率(10/1000μs),单位PCB面积的浪涌能力约为67W/mm2。该二极管旨在保护电压     

瞬态电压抑制器TVS的特性及应用

瞬态电压抑制器(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)简称TVS,是一种二极管形式的高效能保护器件。有的文献上也称为TVP、AJTVS、SAJTVS等。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时,它能以10~(-12)秒量级的速度,将其两极间的高阻抗变为低阻抗,吸收高达数千瓦的浪涌功率,使两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,免受各种浪涌脉冲的损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小、箝位电压较易控制、无损坏极限、体积小等优点,目前已广泛应用于计锋机系统、通讯设备、电源、家用电器等各个领域。总之,瞬态电压抑制器TVS二极管在各种电路的应用是极为广泛的,有以下三大效用:     

PIN二极管简述

PIN二极管是射频电路中的一类重要元件,它与一般的由PN结构成的二极管的不同之处在于：PIN二极管在PN结之间还有一个未掺杂的本征半导体层--l层。     

Pt/TiO_2二极管湿敏传感器

Pt常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触.在常温下,Pt/TiO2界面处的电子电导对Pt/TiO2肖特基势垒高度的变化非常敏感.本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性能,并讨论了因水在Pt/TiO2界面处的化学吸附,引起表面态费米能级改变,影响Pt/TiO2肖特基势垒的高度,从而导致了I-V曲线的变化的物理过程,对器件制造过程中的工艺问题也有所论述     

GaAs PIN二极管的新等效电路模型

基于物理原理的分析,提出了GaAs PIN二极管的一种新等效电路模型.GaAs PIN二极管被分成P+n-结、基区和n-n+结三部分分别建模,总的模型由三个子模型组成,从而极大地提高了模型的准确性.相应的模型参数提取过程不要求苛刻的实验或测试条件,简便易操作.研制了15组GaAs PIN二极管来验证模型,测试结果表明模型准确地反映了GaAs PIN二极管的正向和反向特性.     

4H-SiC混合 PN/ Schottky二极管的研制

报道了 4H- Si C混合 PN / Schottky二极管的设计、制备和特性 .该器件用镍作为肖特基接触金属 ,使用了结终端扩展 (JTE)技术 .在肖特基接触下的 n型漂移区采用多能量注入的方法形成 P区而组成面对面的 PN结 ,这些 PN结将肖特基接触屏蔽在高场之外 ,离子注入的退化是在 15 0 0℃下进行了 30 min.器件可耐压 6 0 0 V,在 6 0 0 V时的最小反向漏电流为 1× 10 - 3A/ cm2 . 10 0 0μm的大器件在正向电压为 3V时电流密度为 2 0 0 A/ cm2 ,而 30 0μm的小尺寸器件在正向电压为 3.5 V电流密度可达 10 0 0 A/ cm2     

4H-SiC混合PN/Schottky二极管的研制

报道了4H-SiC混合PN/Schottky二极管的设计、制备和特性．该器件用镍作为肖特基接触金属,使用了结终端扩展（JTE）技术．在肖特基接触下的n型漂移区采用多能量注入的方法形成P区而组成面对面的PN结,这些PN结将肖特基接触屏蔽在高场之外,离子注入的退化是在1500℃下进行了30min．器件可耐压600V,在600V时的最小反向漏电流为1×10-3A/cm2．1000μm的大器件在正向电压为3V时电流密度为200A/cm2,而300μm的小尺寸器件在正向电压为3.5V电流密度可达1000A/cm2．     

采用SPICE评估TVS保护电路

引言SPICE是分析系统抗传导EMI浪涌电压性能的有效设计工具,它可以验证并优化采用瞬态电压抑制(TVS)雪崩二极管的浪涌保护电路的性能。TVS二极管的尺寸小、响应时间快、钳位电压小且成本低,可以为浪涌问题提供有效的解决方案。本文将SPICE仿真与基准测试进行比较,证明TVS雪崩二极管能够钳位噪声源(如感应设备和负载开关)引起的浪涌电压。电流和电压特性关系齐纳和TVS雪崩二极管有相似的电气特性,但是,两种器件也存在明显的区别。齐纳二极管为调节稳态电压而设计,而TVS二极管则为钳位瞬态浪涌电压而设计。另外,TVS二极管的结面…     

TVS二极管标称参数与静电放电防护能力研究

通过搭建ESD测试系统,测量TVS二极管的ESD防护性能,比较其标称参数与ESD防护性能之间的关系。结果表明,TVS二极管的反向击穿电压在一定程度上能够反映ESD防护能力,反向击穿电压与ESD峰值电流、ESD钳位电压呈线性关系,标称钳位电压略低于实际ESD钳位电压,而其他标称参数与ESD防护能力关联较小。标称参数难以全面反映器件的ESD防护能力。     

片式氧化锌压敏电阻器与TVS管的ESD应用技术误区分析

从片式氧化锌压敏电阻器与TVS管的导电机理及结构出发，分析了二者在ESD防护时的响应时间、脉冲能量吸收能力及ESD寿命特性，纠正了二者在现有应用上产生的误区，给出了一种多元、优化的ESD防护方案。