基于改进Gerchberg-Saxton算法的全息双面光刻方法

针对目前双面微器件加工方法步骤繁琐、效率低的问题,提出基于改进Gerchberg-Saxton(GS)算法的全息双面光刻方法,使用单个光源在玻璃基底的上下表面同时曝光,进行双面图形的制作。该方法通过计算不同轴向位置图案对应的组合全息图,并将其加载到空间光调制器（LCOS-SLM）上,对入射光场进行调制,从而在目标空间内实现双面图形重现。采用改进GS算法对距离焦面2 mm处的图案A与距离焦面4.06 mm处的图案B进行全息图计算与仿真重建。搭建实验装置,对3 mm厚透明石英玻璃基底的上下表面同时曝光,且对光场生成过程中的散斑、杂散光及串扰问题做出分析并提出解决方案,最终实现60μm线宽双层图案曝光,验证了所提方法进行双面光刻的可行性。所提方法使用单张全息图和单个光源,通过单次曝光即可在目标体积内生成多层任意图形,极大地简化了双面图形制作的步骤。     

单点光学终点检测系统的研究

为了使CMP抛光精度更为精确,根据光学干涉原理设计了单点光学终点检测装置,给出了整套检测系统的简图和处理流程.在理想条件下,仿真单点光学检测的相干相位及反射率迹线,得出反射率迹线与抛光掉的透明层存在着函数关系,在实际条件核实了二者之间映射情况.采用九点测量后确认此函数条件下的单点光学终点检测具备高度的精确性,在此基础上推测了抛光头吸附晶圆以设定频率摆动情况下,光学传感器采集与处理数据的方法和过程.实际工艺操作证明,在综合运动条件下,其精度也达到要求.     

红外光学终点检测的研究

终点检测是化学机械平坦化的关键技术,它决定着理想的平坦运行的停止点,在以纳米级别的控制上,终点检测尤为重要。目前主要的两种终点检测方法:电机电流存在着误判断,而可见光干涉存在着光蚀效应等。低能量的红外检测根据不同介质及同种介质不同厚度的红外吸收和反射系数不同的原理精确地选择平坦化终点完全克服以上检测手段的不足。阐述了其原理,设计了其硬件原理图,定性分析了红外测量曲线,并指出今后终点检测的方向。     

瞬态激光全息干涉计量与测试设备的研制与开发

文中论述了瞬态激光全息干涉计量的基本理论和在工程测量时需要解决的关键技术;简要地介绍了几种瞬态激光全息干涉计量的应用实例,对新近研制、开发的瞬态激光全息干涉计量的测试设备作了详细介绍。文音共分四部分：1）离轴光全息的物理过程和简要数学描述;2）瞬态激光全息干涉计量的关键技术;3）介绍几种典型的测试设备;4）讨论。     

通过缩短显影时间提高微透镜阵列的填充因子与F数

采用缩短显影时间法改善了光刻胶热熔法制作微透镜阵列的工艺,提高了折射型微透镜阵列的F数(F#)与填充因子。由于显影时间不足,光刻胶突起部分的底部彼此连接,熔化后的微透镜也彼此连接,使微透镜阵列的填充因子得到了提高,达到了78.5%;另一方面,由于没有裸露的玻璃表面,使得常规方法下的光刻胶与玻璃基底的接触角变为光刻胶突起的底部与光刻胶基底的接触角,因此使接触角降低,达到3.944°,F#得到了提高,达到11.357。实验结果表明,该方法简便实用,效果良好。     

TEL开始接受浸液式工艺涂胶显影设备（CLEAN TRACK^TM LITHIUS^TMi＋）的批量订货

TEL集团日前宣布，将于2006年元月开始接受浸液式工艺涂胶显影设备CLEAN TRACKL ITHIUSi＋的批量订货。     

光刻制程参数对光刻胶DICD和锥角的影响

光刻胶经过曝光、显影后的锥角(Taper)和关键尺寸(Develop Inspection Critical Dimension,DICD)是光刻工艺的重要参数。明确影响锥角和DICD的工艺参数,进而控制锥角和DICD,这对工艺制程至关重要。本文结合光刻制程,探究了光刻胶厚度、曝光剂量、Z值、显影时间对锥角和DICD的影响,并结合蒙特卡罗算法对显影制程进行评估。实验结果表明:光刻胶厚度每增加1μm,DICD增加约2.6μm。同时,厚度增加会导致光刻胶顶部的锥角逐渐由锐角向钝角演变。曝光剂量每增加10mJ/s,DICD则减小约0.8μm,锥角则呈阈值跳跃式上升趋势。基板在最佳焦平面曝光,DICD和锥角均一性最好。显影时间每增加10s,DICD下降约0.3m,锥角则增加约1.7°。最终,DICD和锥角呈负相关关系,可以通过调节光刻工艺参数对锥角和DICD进行控制。     

基于IEP的高密度等离子体刻蚀过程终点检测技术

高密度等离子体刻蚀是当今超大规模集成电路制造过程中的关键步骤.随着集成电路中器件尺寸的缩小及器件集成密度的提高,对刻蚀过程终点的准确判断是目前所面临的一个严峻考验,传统的OES终点检测技术已经远远不能满足深亚微米刻蚀工艺需求.讨论IEP终点检测技术的原理,针对多晶硅栅的等离子体刻蚀工艺,讨论了IEP终点检测技术在深亚微米刻蚀工艺中的应用,IEP预报式终点检测技术已经运用在新近研发的HDP刻蚀机的试验工艺上,最后对IEP终点检测技术未来的发展趋势进行了展望.     

大直径硅晶片化学机械抛光及其终点检测技术的研究与应用

化学机械抛光是硅片全局平坦化的核心技术,然而在实用阶段上,这项技术还受限于一些制造系统整合上的问题,其中有效的终点检测系统是影响抛光成效的重要关键.若未能有效地监测抛光运作,便无法避免硅片产生抛光过度或不足的缺陷.本文在介绍CMP机制与应用的基础上,系统分析了CMP终点检测技术的研究现状及存在的问题.     

冬端安全接入技术及发展趋势研究

终端安全接入管理变得越来越重要。过去仅依赖IP地址、MAC地址等终端身份的接入控制,很难满足当前各种办公、涉密网络对接入终端安全性检查的要求。在这种情况下,新的终端接入管理技术得到了快速发展,这种新技术是终端健康性检查、终端身份认证相结合的入网许可控制技术。主要介绍了当前终端安全接入认证的各种技术,以及它们的优缺点,最后说明这种新兴技术的应用情况。     

基于光刻胶热熔法的全息光栅表面粗糙度平滑处理

根据表面热动力学原理提出了一种成本低廉、制作周期短、易于实现的光刻胶热熔法,阐述了光刻胶热熔法的基本原理,探讨了光刻胶热熔对光刻胶光栅表面刻槽形状的影响。实验中,分别对经过和未经过热熔处理的光刻胶光栅做了离子束刻蚀。结果表明,利用表面张力作用可使熔融状态下的光刻胶光栅刻槽表面变得平滑,粗糙度降低,并且成功地在K9玻璃基底上得到了槽形较好的全息光栅。     

厚层抗蚀剂曝光模型及其参数测量

针对厚层抗蚀剂曝光过程中存在诸非线性因素的影响，更新Dill曝光参数的定义，建立了适合描述厚层抗蚀剂曝光过程的增强Dill模型．光刻过程模拟的准确性与曝光参数的测量精度有很大关系，为此，建立了实时曝光监测实验装置，测量了不同工艺条件、不同厚度抗蚀剂的曝光透过率曲线，并演绎计算出曝光参数随抗蚀剂厚度和工艺条件的变化规律．最后给出了采用增强Dill模型进行曝光过程的模拟和实验结果的分析．     

大圆片批生产中的在线检测工艺及设备

立足ＩＣ生产线管理工程的角度，系统地分析和讨论了由加工设备产生的粒子对器件成品率的影响情况及采用先进的检测手段，控制污染粒子，提高成品率的有效途径。     

用于HDI的新型感光抗蚀材料与图形转移技术

随着高密度互连(HDI)技术的发展,IC封装密度的提高,高解析度(分辨率)、均一性良好的超薄感光抗蚀膜成为必然需求,文中介绍了电沉积技术(ED)成膜的方法、原理以及相应的图形转移技术,并与传统干膜、旋涂成膜工艺进行对比,结果表明ED膜具有良好的粘附力、很高解析度以及精确的图形精度。     

射频同轴传输线的设计仿真与加工工艺

基于SU-8和BPN紫外负性感光胶,结合微电镀工艺加工制作射频同轴传输线,以实现射频器件信号的传输与耦合。首先确定在阻抗匹配情况下同轴传输线特性阻抗为50Ω的同轴传输线的具体尺寸,然后通过HFSS仿真软件对设计的结构进行模拟仿真。通过仿真结果验证设计的可行性,采用紫外光刻技术利用SU-8光刻胶做出内导体支柱,并用BPN光刻胶做出结构,对结构进行电镀。最后将BPN光刻胶剥离,即可得到射频同轴传输线。此方法制得的同轴传输线具有介质损耗小、辐射损耗小、无色散、带宽大和抗干扰强的优点,适用于高性能射频和微波电路。另外,它的制作工艺能与其他射频和微波器件及集成电路工艺兼容,便于与射频和微波电路集成。     

微通道板清洗设备研制

基于微通道板的清洗工艺,设计了清洗设备的结构,并对设备的核心部件详细说明.利用液体射流喷射实现喷淋清洗,采用液体液下喷射循环实现液体的紊流,减少了搅动和传动系统为系统带来的复杂性.利用超声和兆声双频率清洗实现了对MCP不同粒径腐蚀产物和污染物的清洗,工作槽斜底式设计和频率扫描改进槽内声场的均匀性,功率精度达到±10%.储液槽预热结合在线加热,使液体温度精度达±0.5℃,改善了MCP清洗主要工艺参数的稳定性和一致性,体现了湿法清洗的独创性和实用性,实现了清洗工艺过程的半自动化.     

负性化学放大胶的光刻模型及模拟

在Ferguson的负性化学放大胶（CAR）后烘反应动力学模型基础上，增加了后烘过程中光致酸扩散模型，通过后烘模型的简化，得到了简化的后烘反应扩散动力学模型。将模拟图形与Ferguson的实验图形进行了比较，结果显示，简化的后烘反应扩散动力学模型比单纯的后烘反应动力学模型更准确，且程序运行占用的电脑资源更少。另外，通过不同曝光时间下的显影过程模拟，清晰地反映了光刻胶显影的过程，其结果与实际相符，对实际光刻工艺有较好的参考意义。     

中大尺寸TFT-LCD液晶玻璃自动分断工艺设备研究与应用

介绍了一种中大尺寸TFT-LCD液晶玻璃自动分断工艺技术,并详细介绍了基于该工艺过程的一种自动分断设备,阐述了该设备的工作原理,一些关键技术及解决方案。     

海军电子战装备与技术发展趋势

为适应未来海上作战的需求,海军电子战系统将向综合一体化、突出电子进攻能力和提高复杂电磁环境适应性方面发展。阐述了海军电子战装备与技术的发展趋势。