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全息光刻和二次显影法制备柱形二维光子晶体 总被引:1,自引:1,他引:0
采用全息光刻和二次显影的方法制备了柱形二维光子晶体.在此过程中,二维点状的周期结构首先在正性光刻胶上直接形成,然后经由Si3N4硬掩模转移到衬底材料上.利用二次显影的方法,曝光强度最强和曝光强度中等区域的光刻胶能够被同时充分显影,而曝光强度最弱区域的光刻胶则可以完全被保留下来.通过调节入射角,可以方便地调节二维结构的周期.利用此方法,在相对较大的面积上制备了不同周期的二维结构,二维结构具有很好的均匀性和重复性.文章对有关的工艺参数进行了详细讨论. 相似文献
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镀铬基片全息光栅光刻胶掩模槽形参量光谱检测方法 总被引:7,自引:1,他引:7
为了检测全息光栅掩模槽形,运用严格耦合波理论(RCWT)分析镀铬基片光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线与槽形参量的关系。测量了400~700 nm波长范围内60°入射角条件下的镀铬基片全息光栅光刻胶掩模反射0级衍射效率光谱曲线。将实验曲线与不同槽形参数对应理论曲线相减、求标准差进行匹配,标准差最小者为匹配结果,从而找到被测掩模的槽深和占宽比(光栅齿宽占光栅周期的百分比)。结果表明,该方法图形匹配速度快,误差容限大,匹配结果与电镜结果相符。对于要求同时检测矩形或接近矩形槽形的全息光刻胶光栅掩模的槽深和占宽比,该方法完全适用。 相似文献
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以氧化铟锡(ITO)玻璃作为基底,采用UV-LIGA技术制作了双层微齿轮型腔模具的镶块。首先,采用正胶(RZJ-304)进行光刻,在ITO玻璃表面电镀镍掩模,通过镍掩模对第一层SU-8光刻胶进行背面曝光。再利用正面套刻的方法对第二层SU-8光刻胶进行曝光,显影得到双层微齿轮的胶模。最后,进行微电铸得到双层微齿轮型腔镶块。通过实验验证了双层微齿轮模具镶块制作的工艺流程,优化了其工艺参数,克服了底部曝光不足引起的问题,并对制作工艺过程中产生的涂胶不平整、前烘时胶层不稳定、热板加热不均以及接触式曝光破坏胶层表面等问题进行了研究。所制得的双层微齿轮胶模垂直度高,表面质量好,且套刻精度高。 相似文献
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Optical lithography 总被引:3,自引:0,他引:3
《Electron Devices, IEEE Transactions on》1975,22(7):440-444
This is the first in a series of papers describing a theoretical process model for positive photoresist. This model, based upon a set of measurable parameters, can be used to calculate the response of photoresist to exposure and development in terms of image surface profiles. The model and its parameters are useful in many ways, from measuring quantitative differences between different resist materials to establishment of process sensitivities and optimization of the resist process within a manufacturing system. In this paper, the concepts of photoresist modeling are introduced by following the exposure and development of a photoresist film on silicon exposed by a uniform monochromatic light flux. This very simple example provides insight into the complex nature of the photoresist process for reflective substrates. The accompanying paper, "Characterization of Positive Photoresists," gives detail about measurement of the new photoresist parameters. It is supported by "In-Situ Measurement of Dielectric Thickness During Etching or Developing Processes" which discusses automated experimental techniques needed to establish photoresist development rates. These resist parameters provide a complete quantitative specification of the exposure and development properties of the resist. They also allow quantitative comparisons: lot to lot, material to material, and processing condition to processing condition. The fourth paper, "Modeling Projection Printing of Positive Photoresists," applies the process model to one technique of photoresist exposure. This paper contains the detailed mathematics of the model. The model is then used to calculate line-edge profiles For developed resist images. 相似文献
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厚胶光刻中光敏化合物浓度空间分布研究 总被引:1,自引:0,他引:1
厚胶光刻过程是一个复杂的非线性过程,其光刻胶内光敏化合物(PAC)浓度空间分布是影响显影面形的主要因素。根据厚层胶光刻的特点,结合光化学反应机理,利用角谱理论,分析了在曝光过程中光刻胶内衍射光场和PAC浓度的空间分布随时间的动态变化,以及后烘(PEB)过程对PAC浓度空间分布的影响。该方法数值计算结果准确,且速度快。数值模拟表明,其内部衍射光场分布与PAC浓度分布是一个动态的、非线性的相互影响过程;后烘工艺可平滑PAC浓度空间分布;PAC浓度空间分布是影响浮雕面形边沿陡度的一个重要因素。 相似文献
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Jin Tae Kim Suntak Park Seung Koo Park Min‐su Kim Myung‐Hyun Lee Jung Jin Ju 《ETRI Journal》2009,31(6):778-783
To fabricate uniform and reliable thin gold stripes that provide low‐loss optical waveguides, we developed a novel liftoff process placing an additional SiNx layer under conventional photoresists. By patterning a photoresist and over‐etching the SiNx, the photoresist patterns become free‐standing structures on a lower‐cladding. This leads to uniform metal stripes with good reproducibility and effectively removes parasitic structures on the edge of the metal stripe in the image reversal photolithography process. By applying the newly developed process to polymer‐based gold stripe waveguide fabrication, we improved the propagation losses about two times compared with that incurred by the conventional image‐reversal process. 相似文献
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采用经稀释的光刻胶在喷胶机上对打孔的基片进行了雾化喷涂试验,在通孔结构表面实现了光刻胶的均匀涂覆。在同一基片上选取了十个通孔,采用扫面电镜对基片表面、通孔边缘及通孔侧壁中部和底部四处的光刻胶厚度进行了测量,得到的平均膜厚分别为10.2、8.8、6.1和5.3μm,各处厚度均匀性均小于±10%。 相似文献
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衍射光学元件制作中的基片涂胶方法 总被引:1,自引:0,他引:1
在基片上涂布一层厚度均匀的光刻胶层,是衍射光学元件制作中的一个重要步骤。介绍了目前用于衍射光学元件制作的两种主要涂胶方法———提拉法和旋转法,分析了这两种方法的特点和影响胶层厚度的主要因素,尤其是对其均匀性的影响,并提出了获得均匀胶厚的途径。对于提拉涂胶,选择粘度较高的光刻胶溶液与合适的提拉速度将有助于减小Marangoni流动和Van derWaals力对膜厚均匀性的影响;对于旋转涂胶,可以通过密封基片所在空间,或者通过气流控制器使基片上方空气流动处于层流状态来获得均匀一致的溶剂挥发速率,从而提高胶层的均匀性。 相似文献
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在以前还只是处于想象境地的抗蚀剂干显影(等离子体显影)已展示了实现的可能性。一方面开发了能够干显影的抗蚀剂,另一方面还发展了能对现有抗蚀剂作干显影的新工艺。本文简述了至今为止所发表的抗蚀剂的干显影技术方法和技术动向,也介绍了我们所做的有关工作。 相似文献
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本文阐术了在S-1400正胶中加入适量咪唑,使正胶不仅具有原来特性,而且经一定工艺处理后还具有负胶的功能。在制造铬板时,用这种胶涂敷的铬板既可当正胶板用也可作负胶板用,即得到“正负两型”铬板。 相似文献