利用光致发光法测定AlxGa1-xN外延膜中的铝元素含量

采用深紫外光致发光技术测量AlxGa1-xN半导体异质外延膜的禁带宽度,结合Material Studio软件中的CASTEP模块模拟计算AlxGa1-xN异质外延膜材料的弯曲因子,测定了AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。结果表明,发射波长为224.3nm的HeAg激光器能够激发AlxGa1-xN半导体材料产生发光现象。CASTEP软件模拟计算得到AlxGa1-xN的弯曲因子为1.01462±0.06772eV,认为其弯曲因子在1.0eV附近,由此可以理论计算得到具有Al组分梯度的一系列AlxGa1-xN外延膜样品中的Al元素物质的量分数。     

GaAs中4d过渡杂质Mo与Pd的光电行为

4d过渡杂质Mo、Pd在GaAs中分别引入E(0.42eV)、H(0.61eV)和E(0.66eV)、H(0.69eV)等能级。根据过渡杂质Mo和Pd在GaAs中的光电行为,推测这些杂质在GaAs中不起有效复合中心的作用。     

雷达总论、雷达理论与技术

0307776序列图像运动点目标快速检测与跟踪方法[刊]/李正周//红外与激光工程.—2002,31(6).—473～477(E)0307777最优分布变换与微弱点状动目标检测技术[刊]/艾斯卡尔//系统工程与电子技术.—2003,25(1).—103～106(D)     

一种增强量子阱混合的新技术

采用PECVD技术在1．55μm InGaAsP—InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜，经过快速热退火(RTA)后，样品的PL谱测试表明：覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5～74nm，而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量。对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明，该膜的结构为SiOP，存在Si-O和P—O键，Si和P为正价键，其结合能分别为103．6eV和134．6eV。在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散，它强烈地影响量子阱混合的效果，该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜。     

硅中离子注入层退火后残留深能级缺陷的DLTS研究

本文将DLTS测试技术用于低剂量B~+注入MOS结构,并给出了计算方法.对通过920(?)SiO_2膜、注入剂量为5×10~(11)B~+ cm~(-2),经480℃、15分钟热处理的样品测到了E_T-E_V=0.19eV,E_T-E_V=0.26eV和E_T-E_V=0.33eV三个深能级;对于1×10~(12)B~+ cm~(-2)注入,经常规热退火(950℃、30分钟)和红外瞬态退火(辐照源温1150℃,40秒)后分别测到了深能级E_T-E_V=0.24eV和E_T-E_V=0.29eV;对引入这些深能级的残留缺陷进行了讨论.     

SIMOX材料顶层硅膜中残余氧的行为

利用光致发光谱(PL)和二次离子质谱(SIMS)检测了不同退火条件下处理的SIMOX材料的顶层硅膜．实验结果显示,SIMOX顶层硅膜的PL谱有三个峰：它们是能量为1.10eV的a峰、能量为0.77eV的b峰和能量为0.75eV的c峰．与RBS谱相比,发现a峰峰高及b/a峰值比是衡量顶层硅膜单晶完整性的标度．谱峰b起源于SIMOX材料顶层硅膜中残余氧,起施主作用．SIMS测试结果显示,谱峰c来源于SIMOX材料顶层硅膜中的碳和氮．     

注硅不掺杂半绝缘GaAs中的深能级缺陷

用DLTS法对经两步快速热退火(RTA)后的注硅不掺杂SI-GaAs中的缺陷进行了研究。确定了激活层中存在着两个电子陷阱组(以主能级ET1、ET2标记)及其电学参数的深度分布。在体内,ET1=Ec0.53eV,n=2.310-16cm2;ET2=Ec0.81eV,m=9.710-13cm2;密度典型值为NT1=8.01016cm-3,NT2=3.81016cm-3;表面附近,ET1=Ec0.45eV,NT1=1.91016cm-3;ET2=Ec0.71eV,NT2=1.21016cm-3,分别以[AsiVAs,AsGa]和[VAsAsiVGaAsGa]等作为ET1和ET2的缺陷构型解释了它们在RTA过程中的行为。     

复合肥中磷元素的激光诱导击穿光谱定量分析

为了在复合肥生产中对其成分进行快速检测, 达到指导生产的目的, 采用激光诱导击穿光谱技术(LIBS)与支持向量机(SVM)方法结合对复合肥中磷(P)元素进行定量分析。实验中选取磷元素的P Ⅰ 213.5nm, P Ⅰ 214.9nm和P Ⅰ 215.4nm 3条特征谱线对58个复合肥样品进行分析。采用随机选择法将58个样品划分为训练集(43个样本)和测试集(15个样本), 用网格搜索法对复合肥中P元素的定量分析模型进行参量寻优, 构建了SVM分析模型。结果表明, 所建立的训练集定标模型的相关系数R2=0.981, 说明训练集的参考值和预测值的相关性较高; 测试集中验证样本P元素的参考值与预测值的相关系数R2=0.992, 均方误差为4.95×10-5, 说明所构建的SVM模型的适用性较强; 训练集的平均绝对误差和相对误差分别为5.9×10-4和3.99×10-3; 测试集的平均绝对误差和相对误差分别为5.6×10-4和3.28×10-3。将SVM算法与LIBS技术结合可实现复合肥中磷元素的快速检测, 这为复合肥中元素含量快速检测提供了参考。     

西安市大气颗粒物中棕碳的吸光性研究

利用离线滤膜-溶剂提取-连续光谱分析的方法在 2016 年 12 月 25 日到 2017 年 12 月 26 日期间对西安市大气 颗粒物进行了连续一年的监测与分析。用石英纤维滤膜收集大气 PM2:5 样品, 再分别利用超纯水和甲醇超声萃取样品 中的水溶性有机碳 (WSOC) 和甲醇可溶性有机碳 (MSOC), 最后进行紫外-可见吸收光谱分析获得样品光吸收特性。 对西安市水溶性棕碳 (BrC) 和甲醇溶性 BrC 在 365 nm 下冬季和夏季的吸光贡献分析发现, 冬、夏两个季节甲醇提 取的有机组分光吸收效率均高于水提取的, 甲醇溶性有机碳质量吸收效率 [MAE(MSOC)] 年均值 [(1.60±0.67) m2·g−1] 是水溶性有机碳质量吸收效率 [MAE(WSOC)] 年均值 [(0.90±0.47) m2·g−1] 的 1.17 倍, 表明有机溶剂萃取组分中含有 更多的吸光能力更强的物质。冬季的 MAE(WSOC) 为 (2.05±0.86) m2·g−1, MAE(MSOC) 为 (1.53±0.36) m2·g−1; 夏季的 MAE(WSOC) 为 (1.06±0.24) m2·g−1, MAE(MSOC) 为 (0.51±0.17) m2·g−1。冬季的 MAE 值总体高于夏季的, 且冬季的 WSOC 的 E250/E265 值 (5.25) 相对低于夏季 (5.58), 可能因冬季燃煤取暖排放导致。对 BrC 中的水溶性有机碳与气象 六要素浓度进行了线性拟合, 结果显示 WSOC 与 PM2:5 (R2 = 0.6417) 和 PM10 (R2 = 0.4035) 有一定的相关性, 但与 O3 (R2 = 0.0682) 没有显示出明显的相关性, 表明其二次光化学反应的来源占比很小。     

阳极氧化法制备Al_2O_3超微筛膜

阳极氧化法制得的Al_2O_3超微筛膜,作为透射电镜试样载膜,除具有一般微筛膜的特点外,它的机械强度好,并且Al_2O_3的晶格条纹像可作为电镜倍率的内标,因其微筛孔尺寸较小,可载持微细的电镜试样。本文主要考察Al_2O_3超微筛制备时的各种困素如:铝箔表面形貌、阳极氧化电压,电流密度、氧化电解液的种类、浓度、温度及微筛膜的热处理等的影响。另外对所得Al_2O_3超微筛膜作了其筛孔大小分布的测定,最后提出了认为可取的制备条件(结果见图a、b)8％草酸水溶液作为氧化电解液阳极氧化电压为10V电流密度为2～5mA/(cm)_2时间取30s     

电子工艺

Y2000-62327-384 0016250磁心测试=Session 7A:core test[会,英]//1999 IEEEInternational Conference on Computer Aided Design.—384～398(PC)本部分收入3篇论文。题名为:基于磁心的片上系统测试框架,基于磁心的系统测试调度和消除数据相关用的部分机内自测插入。0016251FAAS 测定铜对 CaS DCEL 粉末包铜工艺的指导[刊]/任新光//发光学报.—2000,21(2).—156～158(E)0016252多孔硅的表面碳膜钝化[刊]/李宏建//发光学报.—2000,21(2).—104～108(E)报道对多孔硅(PS)进行碳膜(CF)钝化处理的结     

硅中离子注入层的红外瞬态退火及退火后残留深能级缺陷的DLTS研究

本文研究了硅中离子注入层的红外瞬态退火,证实了它与常规热退火具有相同的再结晶机理——固相外延再结晶过程.对于注As~+和注B~+样品的测试表明,红外瞬态退火具有电激活率高、缺陷消除彻底和注入杂质再分布小等优点.为了研究退火后残留深能级缺陷的电特性,对于离子注入MOS结构进行了DLTS测试.对于通过920A SiO_2膜,注入剂量为 1×10~(12)cm~(-2)B~+、能量为60 keV的样品,经常规热退火和红外瞬态退火后分别测到了深能级 E_T-E_v=0.24±0.02eV和E_r-E_v=0.29±0.02eV;并对引入这些深能级的缺陷进行了讨论.     

电子管

N2003-07854-1 0322320新碳毫微电子管物质的研制=新物质创制[汇,日]/筱原久典//信学技报,Vol.100,No.683.—1～4(L)N2003-07854-5 0322321基于气相热分解法的碳毫微电子管、毫微光纤的生成及其在高性能器件中的应用=气相热分解法生成高性能应用[汇,日]/远藤守信//信学技报,Vol.100,No.683.—5～11(L)     

应用电镜技术研究云南家蚕病毒

目的　应用电镜负染技术、观察、诊断家蚕病毒病、初步检测到两种家蚕主要病毒 CPV和NPV。家蚕病毒病在我国分布甚广、在传统性蚕病中所占比重约为 70～ 80 % ,目前有 4种主要病毒病 ,即质型多角体病毒 ( CPV)、核型多角体病毒 ( NPV)、传染性软化病毒病 ( IFV或 FV) ,浓核病毒 ( DNV) [1] 。在 4种病毒病中 ,质型多角体病毒危害尤为突出 ,约占病毒病的 75 %。材料与方法样品采自本院蚕蜂研究所试验场。采用负染色法 ,取病蚕中肠上皮细胞 ,经研磨得到病蚕汁液、应用漂浮法 ,2 %钼酸铵 ( p H6 .4)负染 ,将制备好的样品置于 JEM- 1 …     

阳极氧化Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP的界面性质

研究了用阳极氧化法制备的Al_2O_3膜/InP和自身氧化膜/InP两种MIS结构的组分分布和电学性质,AES、I-V、C-V和DLTS等测试结果表明,Al_2O_3/InP结构的性能更为优越.用DLTS方法发现这两类样品都具有峰值能量为Ec-Es=0.5eV、俘获截面为～10~(-15)cm~2的连续分布的界面电子陷阱.认为该电子陷阱与磷空位缺陷有关.     

病毒感染单层细胞的免疫标记与断裂技术

用抗Sindbis病毒(SbV)囊膜蛋白E_1和E_2的抗体及抗Vesicular Stomatitis病毒(VSV)囊膜蛋白(G蛋白)的抗体分别对病毒感染的BHK-21细胞进行胶体金免疫标记,然后按冰冻蚀刻的制样程序制备铂-碳复型膜以研究病毒囊膜蛋白在细胞质膜上的定位与分布。本文扼要地介绍了这一技术的操作过程,同时,结合我们自己的工作对该技术的要点及其应用进行了讨论。     

Analysis of PTCDA/ITO Surface and Interface Using X-ray Photoelectron Spectroscopy and Atomic Force Microscopy

利用X射线光电子能谱(XPS)对苝四甲酸二酐[3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)]/铟锡氧化物(ITO)表面和界面进行了研究.用原子力显微镜(AFM)对PTCDA/ITO样品的表面形貌进行了分析.XPS表明,在原始表面的C1s精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰,主谱峰分别由结合能为284.6eV的苝环中的C原子和结合能为288.7eV的酸酐基团中的C原子激发;而结合能为290.4eV的伴峰的存在,说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象.O原子在C=O键和C-O-C键的结合能分别为531.5和533.4eV.在界面处,C1s谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能方向发生0.2eV的化学位移;O1s谱向低结合能方向发生1.5eV的化学位移.由此可以推断,在界面处PTCDA与ITO的结合是PTCDA中的苝环与ITO中的In空位的结合.AFM的结果显示,PTCDA薄膜为岛状结构,岛的直径约为100～300nm,表面起伏约为14nm.相邻两层PTC-DA分子由于存在离域大π键而交叠和PTCDA分子中的苝环与ITO的In空位的紧密结合是最终导致PTCDA岛状结构形成的原因.     

PTCDA/ITO表面和界面的AFM和XPS分析

利用X射线光电子能谱(XPS)对苝四甲酸二酐[3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)]/铟锡氧化物(ITO)表面和界面进行了研究.用原子力显微镜(AFM)对PTCDA/ITO样品的表面形貌进行了分析.XPS表明,在原始表面的C1s精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰,主谱峰分别由结合能为284.6eV的苝环中的C原子和结合能为288.7eV的酸酐基团中的C原子激发;而结合能为290.4eV的伴峰的存在,说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象.O原子在C=O键和C-O-C键的结合能分别为531.5和533.4eV.在界面处,C1s谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能方向发生0.2eV的化学位移;O1s谱向低结合能方向发生1.5eV的化学位移.由此可以推断,在界面处PTCDA与ITO的结合是PTCDA中的苝环与ITO中的In空位的结合.AFM的结果显示,PTCDA薄膜为岛状结构,岛的直径约为100～300nm,表面起伏约为14nm.相邻两层PTC-DA分子由于存在离域大π键而交叠和PTCDA分子中的苝环与ITO的In空位的紧密结合是最终导致PTCDA岛状结构形成的原因.     

电子技术应用

0329676基于差错控制的图像水印算法[刊,中]/王新伟//计算机工程.—2003.29(8).—1-2,7(E2)0329677数字水印在图像中的应用〔刊,中)/赵鹏刀微型机与应用     

一种提高扫描电子显微镜－能谱空间分辨率的方法

目前,扫描电子显微镜－能谱（ SEM?EDS）联用技术在分析测试领域已得到广泛应用,它可对材料和生物样品的微观表面进行形貌观察,并对样品中所选定的微区内进行元素成分定性定量以及元素分布分析。但是,由于元素的特征X射线能量高,在样品中的出射范围较深,能谱的空间分辨率较差,导致在使用传统制样方法时都不可避免地会受到来自叠加样品特征X射线以及基底材料特征X射线的干扰,从而影响最终实验结果。为了克服能谱空间分辨率不足的问题,本文应用薄片法的原理研制了一种新的装置,将纳米厚度的样品分散在装置的碳膜上,进行能谱分析。通过与传统实验的对比,附加新装置后其能谱空间分辨率较以往常规实验提高了2～4倍。