溶剂、溶胶稳定剂和热处理对溶胶-凝胶法制备的ZnO薄膜微观结构的影响

采用溶胶-凝胶法,通过调整溶剂、溶胶稳定剂和热处理工艺在玻璃片上制备出不同工艺参数的ZnO薄膜.利用XRD和SEM考察了ZnO薄膜的择优取向和表面形貌.实验结果表明:采用高沸点溶剂时ZnO薄膜择优取向更强;单乙醇胺为稳定剂时ZnO薄膜择优取向很强,而二乙醇胺或三乙醇胺为稳定剂时择优取向微弱;预处理温度高于ZnO凝胶膜晶化开始温度时择优取向将减弱;最终处理温度在500 ℃以下时,随温度提高,晶粒尺寸增大,择优取向增强.     

TiO2纳米晶薄膜溶胶凝胶法制备及其光学性能

通过溶胶凝胶浸渍提拉法成功制备了表面平整的氧化钛纳米晶薄膜.XPS结果确定了该薄膜的元素组成及价态.TG分析结果表明大量无定形Ti(OH)2向锐钛矿型TiO2转变发生在390℃左右.显微共焦Raman光谱确定了不同温度热处理所得薄膜的相结构.SEM形貌图显示TiO2薄膜表面粒子疏松,晶粒多在20nm～30nm之间.另外研究了Fe3+掺杂对TiO2薄膜光学吸收性能的影响.     

溶胶-凝胶法制备NiO薄膜

采用溶胶-凝胶技术制备了NiO薄膜,并利用热重分析法、X射线光电子光谱法、X射线衍射法对其进行分析,同时用紫外线光谱法研究了电致变色特性.实验结果表明溶胶-凝胶法是1种制备NiO薄膜的有效方法,薄膜的成分很大程度上取决于热处理的温度,450℃时电致变色的效率为最佳.     

Li+掺杂TiO2薄膜的制备及晶化行为

本文采用DTA,XRD,SEM及Raman光谱等测试手段,研究了利用溶胶-凝胶法制备LiNO3掺杂的TiO2薄膜的相变行为,提出了通过加入Li+离子降低薄膜从无定形到锐钛矿、锐钛矿到金红石的相转变温度的方法.并通过甲基橙水溶液的光催化降解实验表明在600℃热处理温度下的LiNO3掺杂的TiO2薄膜的光催化效率高于未掺杂的TiO2薄膜.     

退火温度对(Pb_(0.5)Sr_(0.5))TiO_3薄膜光学性能的影响(英文)

以三水醋酸铅、醋酸锶、钛酸丁酯为原料,乙二醇甲醚、去离子水、乙酰丙酮做溶剂。用溶胶-凝胶法制备(Pb0.50Sr0.50)TiO3 (PST)前驱体溶液,通过旋涂工艺在石英玻璃基片上沉积 PST 薄膜。薄膜经 650 至 800 ℃退火 30 min,升温速率为 3℃/min。不同温度晶化的 PST 薄膜用 X 射线衍射测量其晶体结构,用原子力显微镜观测其表面形貌。不同温度退火薄膜的光学透射谱用双光束紫外-可见光分光光度计测量。薄膜的吸收边,即带隙能可以根据直接跃迁估计。650、700、 750 和 800℃退火的薄膜样品的直接带隙能分别为 3.74、3.75、3.76 和 3.75 eV。     

溶胶-凝胶法制备钌系薄膜电阻

利用醋酸铅、氯化钌、正硅酸乙酯为主要原料,采用溶胶-凝胶工艺制备了以钌酸铅为主晶相的钌系薄膜电阻材料,运用DTA、XRD和IR等手段对样品的结构和晶化规律进行了研究.薄膜在热处理过程中析出钉酸铅晶相,薄膜电阻方阻值随热处理峰值温度升高先减少再增加.     

Na、Mg共掺杂ZnO薄膜的结构及性能研究

在玻璃衬底上,采用溶胶-凝胶法制备Na、Mg共掺杂的ZnO薄膜,Mg含量不变,改变Na的掺杂含量,研究掺杂浓度、退火温度及镀膜层数对薄膜结构和光学性能的影响.结果表明:薄膜形貌在550℃退火时较好;Na离子含量会影响薄膜(002)晶面的生长;镀膜层数增加,薄膜有明显红移现象并且透光率会降低.     

溶胶-凝胶法制备纳米TiO2薄膜

用溶胶-凝胶法,以钛酸丁脂为先驱体、无水乙醇为溶剂、二乙醇胺为络合剂,以载玻片为基体采用溶胶-凝胶浸渍提升法制备纳米TiO2薄膜.探讨制备过程中影响薄膜质量的因素,用NDJ-8S数字显示粘度计测定溶胶在溶胶-凝胶过程中的粘度随存放时间的变化;差热分析仪分析有机物的热分解行为和晶型转变;红外光谱仪对干凝胶相组成进行分析;扫描电镜对薄膜的表面形貌、颗粒的均匀性等进行研究.结果表明:可在玻璃基体上镀上纳米TiO2薄膜;粘度随着陈化时间成正比关系;薄膜表面光滑,颗粒较均匀且达到纳米级颗粒.     

退火温度对钴铁氧体薄膜结构和性能的影响

采用溶胶-凝胶法结合匀胶旋涂工艺在复合基片(Pt/Ti/SiO2/Si)上制备了钴铁氧体(CoFe2O4)薄膜,利用XRD、SEM、VSM分析了薄膜的微结构以及磁性能,研究了不同退火温度对钴铁氧体薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,钴铁氧体在500℃时开始形成尖晶石相.随着退火温度的增高,钴铁氧体晶粒逐渐长大,饱和磁化...     

退火温度对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜晶化及介电性能的影响

用改善的溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备了钛酸锶钡(Ba_0.6Sr_0.4TiO_3, BST)薄膜,研究了退火温度对薄膜晶化及介电性能的影响.X射线衍射表明,由于薄膜较薄,各温度下衍射峰强度均微弱,但呈(110)择优取向,随温度的升高峰强度逐渐增加,也出现其他晶向的衍射峰.扫描电镜和原子力显微镜表明,改善的BST薄膜表面形貌光滑致密、无裂纹、无缩孔,随温度的升高薄膜晶化增强、晶粒逐渐长大、粗糙度增加.40 V外加电压下的介电性能大幅度提高,介电调谐率大于30%,介电损耗约0.02,其中,650 ℃对应介电调谐率45.1%和介电损耗0.0187.同时,就有关结构、介电性能及退火温度的关系进行了讨论.