提高模／数转换器精度和分辨率的一种方法

提高模／数转换器精度和分辨率的一种方法汪露明（安徽财贸学院计算中心，安徽蚌埠，２３３０００）对于测量电路，我们常希望它在很宽的测量范围内具有相同的测量误差。为达到这一目的，一般是通过调节模／数转换器的前级即模拟放大器的放大倍数来完成。这里介绍一种测量...     

数/模转换器对QNRC系统性能的影响及解决方案

高采样速率、高分辨率数/模转换器（DAC）是量子噪声随机加密（QNRC）系统性能提升的核心器件之一,一直制约着QNRC系统技术发展。为了探究不同的DAC采样速率和分辨率对QNRC系统性能的影响,采用VPItransmission Maker Optical System 9.1软件进行系统仿真设计.首先,搭建了介观态功率为-21 d Bm、传输距离为1000 km、传输速率为10 Gb/s和密文态数目为28-1的基于相移键控的QNRC系统;然后,改变DAC的采样速率、分辨率,对QNRC系统的性能进行对比分析。分析结果表明：当DAC的采样速率、分辨率分别为30 Gb/s、6 bit时,QNRC系统的性价比最佳。     

多通道模/数转换器AD7890与DSP的接口设计

为提高现代数字控制系统中多通道模/数转换的效率,介绍串行多通道模/数转换器AD7890工作原理。选用TMS320F2812作为处理器,给出AD7890与DSP串行外设接口的硬件实现方法、电平转换方法及软件实现流程。实际应用表明,系统的A/D转换效率较高,性能稳定。为实现多轴数字控制系统的A/D转换功能提供了一种新的方案。     

神经网络单电子数/模转换器

提出了一种功能性单电子电路 :神经网络单电子数 /模转换器 ,研究了电路特性。结果表明 ,这种单电子电路有很好的数 /模转换功能 ,加上单电子电路固有的极低功耗 ,可极限密度集成 ,高速度 ,使得这种功能性单电子电路在未来的 ULSI电路设计中具有独特的竞争能力     

模／数转换器和数／模转换器工作原理分析

随着数字技术的发展，在电视节目制作的前期和后期越来越多地采用数字音视频系统。考虑到现在处在从模拟向数字的过渡时期，还必需使用一些模拟视频源，这就需要将模拟信号转换为数字信号，才能送到数字系统中去；为了播出或监看等需要，又需要将数字信号转换为模拟信号。可以说模／数转换器（ADC）和数／模转换器（DAC）是联结模拟世界与数字世界的桥梁，     

Maxim最新推出MAX19692数/模转换器

Maxim日前推出MAX1969212位、2．3Gsp数／模转换器，该款DAC能够在多个奈奎斯特频带直接合成高频、宽带信号，为高速DAC确立了新的工业标准。     

14位模/数转换器AD6644原理及应用

Analog Devices公司的AD6644是一种14位ADC(模数转换器),为实现下一代通信设备——可编程数字无线电接收机(通称软件无线电)提供了高性能。文中主要介绍了AD6644的性能特点和工作原理,也说明了它的一些极限参数并与其他相关产品作了比较。举例介绍了AD6644的在一种可行的软件无线电接收机系统中的实际应用,同时给出了应用电路图。     

高性能模／数转换器在应力测试中的应用

介绍AD7731型高性能模／数转换器件的主要特点和工作原理，叙述了其在应力测试中与单片机的接口电路和软件设计。详细讨论了使用AD7731的几项关键技术。     

应用于ADSL的多位Σ-Δ数/模转换器的设计

提出了一种应用于ADSL数据传输的多位电流模Σ-Δ数/模转换器(DAC)。采用多位Σ-Δ调制器,可以在低过采样率和低调制器阶数下设计出高性能的调制器。通过采用动态元素匹配(DEM)技术,降低了由于电流模DAC(SteeringDAC)电路中电流源单元的不匹配带来的噪声,进一步改善了输出信号的信噪比。     

高清视频CMOS电流舵数／模转换器的设计

高清晰电视(HDTV)和无线通信网络的发展,对转换器速度和精度提出了更高的要求.基于新型传输门(TG)结构组成的电流源单元矩阵和译码逻辑电路,提出一种适用于高清晰视频使用的高速8位CMOS电流舵数/模转换器(CS-DAC).应用电流源单元矩阵结构和传输门结构的译码电路,有效减少了毛刺等干扰信号;TG结构设计的电路使晶体管数量和电路的延时显著减少;基于0.25 μm CMOS技术的DAC电路设计,功耗仅为21 mw,采样率达到1.5 GHz.仿真结果表明,电路的积分线性误差(INL)范围为-2～+2 LSB;微分线性误差(DNL)为-1～+4 LSB.     

前置放大电路中噪音的抑制方法

在自动测控和通信系统的调试、维修时,必然会遇到多种噪声.为了揭示噪声的根源,采用实验的手法,去观察、分析前置放大电路关键点电压及信号的波形,根据前置放大电路内部结构与实际需要,优化电路的结构,采用优质半导体元器件、光电耦合器和耦合变压器来抑制噪声.实践中,使用这些措施,避免了自控、通信设备信号失真大、共模干扰强,线性差、带宽窄、隔离性能不良等缺点,对提高设备的性能达到了事半功倍的效果.     

声表面波单指无内反射叉指换能器结构及其性能分析

根据我们以前的理论,本文提出了一些常用晶体的各种可能的单指无内反射叉指换能器结构,并分析了影响它们性能的几种因素。其中YZ—LiNbO_3,ST—X石英及X,112°YLiTaO_3上的金或金加铬单指结构存在某些缺点,用途受到较大限制,仅适用于带宽较宽及对中心频率准确度要求不太严格的场合。而上述三种基片上的沟槽填铝结构及Y128°LiNbO_3的铝和铝加铬单指结构是比较好的结构,具有比较广泛的用途。最后给出了我们在ST—X石英上用沟槽填铝单指结构研制的一种高带外抑制窄带滤波器的实验结果。     

铌代钽滤波器辐射导纳和静电容的计算方法

指出了铌代钽滤波器辐射导纳和静电容的计算方法，给出了计算实例。结果表明，二分节后变迹换能器辐射导纳和静电容约等于分节前的１／４。     

基于FEM/BEM方法的表面声场体波模式数值研究

采用有限元/边界元法(FEM/BEM),分析了有限长叉指换能器在半无限大压电晶体128°YX-LiNbO3中激发的表面波和体波在晶体表面上的分布情况。通过对频域内表面声场的分析,得到了表面上三个位移场分量含有的声波模式,对相应时域内各场分量的体波脉冲振幅进行处理,详细分析了各个模式的体波脉冲振幅随时间的分布关系。结果表明,除Rayleigh型表面波外,各场分量中还包含不同成分和比例的体波模式;在场分量1和场分量3中占主要成分的准纵波,以及在场分量2中占主要成分的准慢切变波,在表面上其传播损耗以指数衰减。     

脉冲激光在陶瓷片中产生的奇异冲击波形

当脉冲激光辐照ＰＺＴ陶瓷片时,在适当条件下,激光在样品中所产生的冲击波形上呈现椭圆网状的奇异脉冲信号。根据所观察到的实验现象,我们认为它们是强脉冲激光辐照所产生的脉冲瑞利表面声波信号。     

The wavelet transform based processing means for 1/f noise in millimeter wave focal plane array

After briefly introducing the characteristics of 1/f noise in millimeter wave focal plane array detectors, the paper analyses the relation of wavelet transform and 1/f noise in detail, suggests the fashion of decorrelating 1/f noise using the wavelet transform and deduces the relative expressions. The results of computer simulation show good effectiveness.     

The role of the insulator in determining 1/f noise in Hg1-xCdxTe integrating MIS devices

The low frequency 1/f noise charge found in Hg_1-xCd_xTe integrating metal-insulator-semiconductor (MIS) devices operating at 40K and low bias above threshold is found to be independent of integration time. The signal theory of random processes is utilized to demonstrate that 1/f noise charge resulting from carrier number fluctuations due to insulator traps should not depend on integration time, while 1/f noise charge resulting from 1/f noise in any current filling the MIS well should be proportional to integration time. This distinction allows for the determination of effective insulator trap densities from low temperature 1/f noise data on simple MIS structures. The technique is applied to a number of n-channel and p-channel devices and the effective trap densities in ZnS are determined.     

Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si结构基片中ZnO薄膜特性影响的实验研究

采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/A l/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002) ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO 薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征 ,采用 扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜进行表面形貌表征,并从薄膜生长机理角度进行了分析。结果 表明,加Al薄膜有利于ZnO薄膜按(002)择优取向生长,并且ZnO 薄膜的结晶性能提高;与(002)ZnO/Si结构基片相比,当Al薄膜 厚为100nm时,(002)ZnO/Al/Si结构中ZnO薄 膜的机电耦合系数提高 了65%。