集成1600个半导体激光器的LSI

<正>据日本《电视学会志》1991年第2期报道,日本电气公司已研制成在一块芯片上集成1600个半导体激光器的LSI.所开发的激光LSI是多功能的光芯片,它不仅具有面状发光,而且还有接收、存贮等功能.该公司采用独特的面输入输出光电融合(VSTEP)新技术的芯片,在1cm见方的芯片上集成1600个10μm见方的半导体激光器,比目前用发光器件制作的芯片速     

新型的注入激光器

美国休斯研究实验室首次在采用离子注入作为掺杂技术制作的砷化镓二极管上获得激光作用。该实验室研究人员把这一进展视为在半导体单片上将集成光电路和激光光源相结合的一个步骤。为了实现这一目标,他们认为必须把激光光源的光耦合到光集成电路的窄波导中。用离子注入技术制作的激光器的非常浅的结特别适用于这个方面。     

富士通研究所研制出了低功耗半导体激光器

富士通公司研究所研制出一种适用于光电集成电路的新型半导体激光器。这种激光器开始工作的阈值电流密度为190A/cm~2,这是至今所报导了的所有半导体激光器中阈值电流密度的最小值。非常密集的光电集成电路是光纤通信系统中基本的组件,使它商品化是富士通公     

蓝绿半导体激光器的室温连续振荡

日本索尼公司成功地研制在室温下连续振荡的523nm波长蓝绿色半导体激光器。 在半导体激光器的发光层处利用ZnCdSe在金属包层处利用ZnMgSSe,当制造半导体激光器时,把ZnSe和ZnCdSe等Ⅱ—Ⅵ族半导体用在发光层上,在金属包层处须要扩大禁带宽,为了获得禁带宽大的金属     

半导体光电子器件的应用

半导体光电子器件大致分为两类:一类是将电能转变为光能的发光器件;一类是把光能转变为电能的光敏元器件.这些光电器件在工业自动控制、家用电器、少年科技模型和儿童玩具、现代通讯技术、报警以及医学和农业等诸方面均有极其广泛的应用.本文在简述光电器件工作原理的基础上,着重介绍其报警方面的应用实例.光电元器件的工作原理发光器件主要有发光二极管、发光三极管和半导体激光器件等.这些器件都是将电讯号转变成光讯号的器件,它们的基本结构是pn结,如图1所示.发光方式有多种,但用得最多的是利用pn结正向注入的少子,通过直接或间接复合而产生光的辐射,对于直接跃迁的半导体,辐射光的波长由材料的禁带宽度确定,其关系式为     

新功能半导体光电器件研制动向

在半导体光电器件发展的历程中,首先研制成了发光二极管,接着很快过渡到了半导体激光器。由于低损耗光纤的问世,集中力量研制出了室温连续工作半导体激光器和高速半导体光探测器。除了1微米波段半导体光探测器外,目前光通信对上述器件特性的要求,基本上都能满足。然而,并不只是通信才是利用光纤作传输线的光领域。能利用光的领域非常多。光探测器是光接收器件,半导体激光器是发射器件。除了利用光传输信息外,为了利用光作信息处理,希望研制出新功能半导体器件。本文首先介绍在现有光探测器和激光器的基础上,经过改进后制成的新型器件,接着讨论了有放大作用和双稳作用的器件及其发展动向。     

光电子技术

TNZ,TN911.75 00040220用半导体激光器和PIN光电探测器设计和实现的光互连链路/井文才,周革,张以漠,刘卫,田劲东,华锋,张xun(天津大学)刀光电子·激光.一1999,10(5).一440一443采用半导体激光器和PIN光电探测器,设计和实现了用于计算机P Cl总线井行互连的光互连链路.在链路的网络接口卡上设计和实碗了激光器的电流源驱动电路以及具有宽动态范围的光电探测器放大整形电路,实现了激光器的自动功率保护.通过时分复用技术,实现了P Cl总线的并行数据在一根光纤中的虚拟并行传输.图4表1参7(木)制.这种输出信号受到光与电信号双重控制的特性,…     

简讯

简讯冲电气工业公司成功地将半导体激光器直接粘合在硅基片上，在室温下获得连续发光。用简单方法将半导体激光与硅合为一体，还同无先例。公司运用这一成果，在将来有可能把ＰＣ机之类电子设备内部的连接大规模集成电路芯片的电布线代换成高速的光布线。（思源）日立制作...     

NEC试验超高速光纤传输

<正> NEC用每秒1.2千兆bit的超高速InP光电集成电路(OEIC),成功地进行了千兆bit领域内的长波长光纤传输实验。传输距离是过去0.08μm波段光纤的12倍,可能进行12公里或更长距离的传输。发光用OEIC由一个1.3μm波长的半导体激光器和三个作驱动用的异质结双极晶体管组成,被集成在350μm×900μm的芯片上。这个电路用液相外延制成,当批量生产时可考虑采用MOCVD法。受光用OEIC由一个PIN光电二极管和三个放大用的FET组成,被集成在600     

用光开关和激光器组成的光集成回路

日立制作所开发了将半导体光开关、四个半导体激光器和光波导单片集成的光集成回路。这一回路具有光开关功能、发射和接收光功能以及光放大功能,并可直接用光处理信号。     

超高速光通信用的光电器件

超高速光通信用的光电器件据《学会志》１９９３年第６期报道，日本冲电气工业公司已开发用于下一代超高速光通信的光电器件。这种器件，产生振荡波长１．５５卜ｍ的激光，在调制器部分外加电压，转换成数字信号，把半导体激光器和调制器作在同一衬底上。制作方法：在Ｉｎ...     

下一代超高速光通信用的光电器件

下一代超高速光通信用的光电器件日本冲电气工业公司已开发成用于下一代超高速光通信的光电器件。这种器件把半导体激光器和变换器一体化在一块衬底上。将振荡波长１．５５μｍ的激光变换成数字信号。这一开发研究，除了便于使用外，信号的控制速度也相当于现在光通信的１...     

基于光相位锁定的载波可变光的毫米波产生技术

提出和实现了一种新型适用于光/无线混合接入的光子载微波产生方案.该方案利用直接调制分布反馈式半导体激光器可以产生宽谱信号的特点,将较低频率正弦信号直接调制半导体激光器,在半导体激光器中进行频谱展宽,然后把宽谱信号注入到多个半导体激光器中进行相位锁定从而作为相干锁定光源.用上述光源在不同波长加载不同信号进行传输,在接收端使用不同通带特性的光学滤波器对信号进行处理,可以选择接收基带信号、光子微波时钟信号、上行光源或不同载波频率的光子微波调制信号.作为验证,分别完成了2.5 Gbps基带信号、20 GHz和40 GHz光副载波调制信号的产生与接收.因为受限于试验条件,只进行了原理验证,但该系统理论上可集成波导设计,无需高频调制器件,并可生成更高载频光子微波信号,有利于未来的光/无线混合接入和超密集波分复用系统.     

光“与”门

我们成功地试制了一种新型逻辑电路,它所发出的光输出脉冲是两个不同波长的复合光输入信号的“与”函数。这种光耦合逻辑门的有源元件是一个触发式半导体激光器和一个新颖的光电探测器。这个光电探测器由两个对不同波段敏感的光电二极管串联而成。     

硅基发光材料和器件研究的进展

发光器件和集成电路都是信息技术的基础,如果将经们集成在一个芯片上,信息传输速度,存储和处理能力将得到大大提高,它将使信息技术发展到一个全新的阶段,但是,现有的集成电路是采用硅材料,而发光器件用Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体集成电路,虽然经过多年的研制,但至今还不成熟,因此,研究硅基发光材料和器件成为发展光电子集成的关键。本文评述了目前取得较大进展的几种主要硅基发光材料和器件成为发展光电     

韩国的OEIC研究

本文按年代介绍韩国光电子和光电集成电路（OEIC）的进展以及用于通信的OEIC发射机和接收机，用于光开关和光计算的半导体激光逻辑器件。     

光纤传输系统使用光电集成电路

日本NEC公司已研制成功一种以铟-磷为主要材料的光电集成电路(OEIC),用于发送和接收光信号。这种电路能以1.2Gbit/s的速率转换电光信号。该OEIC包括一块实施光发射的350×900μm基片和一块实施光信号接收的600×600μm基片。前者集成了四只光发送元件,即1.3μm的半导体、三只供激励用的双极晶体管;后者集成了四只光信号接收元件,即PIN光电二极管和三只用于放大的场效应晶体管。     

直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光试验成功

欧司朗光电半导体成功研发直接发光绿色氮化铟镓（InGaN）激光．标志着实验室研究取得重大突破。该款激光的光输出高达50mW．发射波长为515nm的真绿光线。与目前采用倍频技术的半导体激光相比，直接发光绿色激光器体积更小、温度稳定性更高、调制能力更强、更易于控制。     

时分副载波半导体DFB激光多路波长锁定器

我们研制成功8路时分副载波半导体DFB激光器波长锁定器.用1kHz正弦时分电信号,分别对8个1.55μm波段的DFB激光器进行1％的幅度调制,每个DFB激光2％的光信号分成两路,一路通过自由光谱区为100 GHz的F-P标准具,另一路作参考光,两路的光电差分信号反馈控制DFB激光器的温度,使每个DFB激光器锁定在各自所需的波长上.测试结果表明波长锁定的激光频率间隔100 GHz,波长锁定精度优于±2.5GHz。该方法同样适用于50GHz频率间隔和更多路的波长锁定.本文着重介绍该锁定器的光电信号处理和控制方法.     

有光反馈的半导体激光器大信号SPICE电路模型

为了使半导体激光器的电路级模拟更容易,本文建立了一个有光反馈的半导体激光器大信号SP CE模型,并对激光器的开启延时、张驰振荡和稳定时的光功率与光纤到激光器发光端面的距离及反射光功率大小间的关系进行了研究.