低温激光退火多晶硅薄膜的光学常数研究

用分光反射光谱(SR)和分光椭偏光谱(SE)来分析低温激光退火多晶硅薄膜的光学特性。利用多层光学和Braggeman有效介质近似模型(B-EMA),对薄膜光学常数和结构参数(膜厚度,表面粗糙度和非均匀性)的退火功率依存关系进行解析。解析结果表明,有一个临界退火功率存在。退火达到这个功率时,多晶硅薄膜的光学常数非常接近单晶硅。由于受增大晶粒尺寸影响,在这个功率时,薄膜表面粗糙度和非均匀性也显示了一峰值。在整个退火区域,膜厚度有大约8%变化。     

用量热计测量薄膜的弱吸收

任何介质均非完全透明,或多或少存在有损耗,包括吸收和散射损耗。膜层的吸收是引起薄膜激光损伤的主要因素之一。为了研究光学薄膜的总的光学损耗,要求分别测出吸收和散射。传统的光度法测量无法分开散射和吸收。而激光量热计技术则是较理想的技术。所谓激光量热法,就是将激光照射在样品上,然后测量样品的温升,同时测出一些必要的参数,以求出吸收值。这种方法能直接测出吸收值,而不需用一已知吸收率的样品定标,并具有高的灵     

MIC多晶硅薄膜的光学与电学特性及其优化

制备了4种P型掺杂的多晶硅薄膜;固相品化(SPC)、金属诱导(MIC)、准分子激光晶化(ELA)和低压化学气象沉积(LPCVD)多晶硅薄膜,并且研究了它们的光学特性与电学特性.结果发现,MIC多品硅薄膜具有最小的可见光吸收率;ELA和MIC有较小的方块电阻,而SPC和LPCVD方块电阻较大.最后通过对MIC多晶硅薄膜厚度的优化表明,厚度为40 nm的MIC多晶硅薄膜最适合做有机电致发光器件的像素电极.     

掺杂对多晶硅薄膜的影响

该文简要地论述了掺杂对多晶硅薄膜淀积的影响,并就掺杂对多晶硅薄膜淀积率的影响作了一些解释。     

衬底和退火温度对多晶硅薄膜结构及光学性质影响

通过射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术与退火处理制备多晶硅薄膜,研究了衬底和退火温度对所制薄膜的结构及光学性质的影响。本次试验最大的晶粒尺寸是在衬底温度为250℃获得,考虑薄膜表面的质量,最佳的退火温度为635℃,衬底温度为225℃,在玻璃衬底形成的晶粒大于50 nm,光学带隙为1.5 e V。结果表明:衬底温度影响着薄膜中氢含量以及相关的缺陷。随着退火温度的升高,晶化率的提高,光学带隙先减小后增大。     

吸收薄膜的光学常数(摘译)

镀在透明的或弱吸收基片上的吸收薄膜,其光学常数nf和Kf同实测量诸如透射率T、空气侧入射的反射率R以及基片侧入射的反射率R'有着复杂的关系。导出了简单的解析公式,它们最大限度地减小了实验误差的传递,井可用于确定基片的Kn和薄膜的Kf、nf。这些公式已用于不同厚度的镀于玻璃基片的Te合金薄膜。     

矩形弱吸收介质波导光学特性的微分增量法分析

运用微分增量法分析了矩形弱吸收介质波导的光学特性,数学处理简捷,所得公式精确度高,对于文中的计算实例,本方法的计算结果与波导模复特征方程的数值结果之间的相对误差,对于模有效折射率小于3×10~(-6),对于模吸收系数小于6×10~(-4).     

低温多晶硅薄膜制备技术应用进展

系统介绍了金属诱导横向晶化法、准分子激光晶化法、触媒化学气相沉积法(Cat-CVD)以及电感耦合等离子体化学气相沉积法(ICP-CVD)制备低温多晶硅薄膜的原理及进展。对不同制备工艺的优势和不足进行了比较,重点讨论了Cat-CVD和ICP-CVD在实用化中需克服的技术问题。对上述制备方法的应用前景作了评述和展望。     

半绝缘多晶硅薄膜的制备与应用

本文对ＬＰＣＶＤ半绝缘多晶硅（ＳＩＰＯＳ）薄膜工艺进行了研究，分析和讨论了工艺参数对薄膜淀积过程以及性能的影响。并较详细介绍了ＳＩＰＯＳ薄膜在高压功率器件领域的应用。     

多晶硅的点阵吸收带

多晶硅在300K和78K,7.5～20μm范围内的红外吸收峰的形状,频率和吸收峰对应的声子能量与单晶硅完全符合,也与文献报导的单晶硅的结果相符合,是多声子吸收引起的,因而晶界对红外吸收不敏感,因此多晶中氧、碳杂质的测定,仍可沿用单晶硅中氧含量测定的换算系数。     

多晶硅薄膜的淀积

近十年来,由于硅栅工艺在MOS集成电路中的应用逐渐普遍,对于介质上淀积多晶硅荡膜的工艺,以及多晶硅淀积层性质的研究己经受到了重视。     

多晶硅薄膜高温退火特性研究分析

利用原子力显微镜、二次离子质谱分析仪和探针,对多晶硅薄膜的高温退火特性进行了实验研究。研究结果表明,多晶硅薄膜退火时出现的第二次反退火阶段,其物理起因是由于注入杂质在薄膜中的再分布;而在更高退火温度下,多晶硅薄膜会出现晶粒再结晶和再结晶弛豫过程,这些过程都会影响多晶硅薄膜的薄层电阻。     

HWPCVD多晶硅薄膜的制备及性能分析

介绍了热壁低压化学气相淀积（HWLPCVD）多晶硅簿膜的结构,电子,光学和腐蚀性能。     

聚苯胺光学吸收及应用

从结构和性能的角度对聚苯胺不同形态因电子或极子跃迁引起的在可见近红外区的吸收特性进行了总结。重点讨论了本征态盐的分子链构像结构对光学吸收的影响，报道了作者在降苯胺用于透明导电材料和节能方面的一些设想和研究结果。     

热壁LPCVD多晶硅薄膜的制备及其应用

论述了热壁低压化学汽相渡积（ＬＰＣＶＤ）制备多晶硅薄膜的淀积变量，是影响膜层质量的因素。其次简述了热壁ＬＰＣＶＤ薄膜在硅ＣＣＤ多路传输器和硅ＣＣＤ多路开关组件等红外信号处理器件研制中的应用。     

多晶硅薄膜干氧氧化特性的研究

本文在800—1200℃的温度范围内,对LPCVD生长的未掺杂和重磷掺杂的多晶硅薄膜进行了干氧氧化特性的系统研究,并与轻掺杂和重磷掺杂的单晶硅的热氧化规律进行了比较.发现在900℃以下时,未掺杂多晶硅氧化规律不能完全用Deal-Grove模型描述,并存在着一个快速氧化的特征阶段.在这个阶段中多晶硅氧化速率比<111>单晶快,而重磷掺杂多晶硅却相反.掺杂、未掺杂,单晶、多晶间氧化规律的差异,在T=1200℃时,全部消失.本文讨论了产生上述现象的物理机理.     

掺氧多晶硅薄膜的组分分析

本文用红外吸收谱和统计理论分析低压CVD生长的半绝缘多晶硅(SIPOS)薄膜的组分.SIPOS 薄膜包含SiO 和SiO_2以及它们之间的硅氧化物.而且随着膜中氧浓度的增加,其SiO_2的比例也增加.     

多晶硅薄膜的Ar~ 激光再结晶

利用连续Ar~ 激光使绝缘层上的多晶硅薄膜再结晶.实验结果表明多晶硅晶粒尺寸显著增大,电学性能大为改善,并且与常规的集成电路工艺相容.     

多晶硅薄膜后氢化的研究

本文利用氢气射频等离子体辉光放电技术对ａ－Ｓｉ及ｐｏｌｙ－Ｓｉ薄膜进行了后氢化研究。确定了最佳后氢化处理条件，对后氢化前后材料的电学、光学及电子态等特性进行了测量，分析，结果表明氢气射频等离子体辉光放电技术能明显改善材料的性能，利用后氢化技术对ｐｏｌｙ－Ｓｉ ＴＦＴ器件进行了处理，获得了满意的效果。