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A32xx系列霍尔开关型传感器是美国AllegroMicrosystems公司生产的微功耗霍尔开关芯片 ,文中介绍了这种霍尔开关器件的特性原理和封装形式 ,分析了A32xx器件的构成原理和工作特性 ,给出了A32xx系列器件在低功耗应用时的限制条件。 相似文献
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恩智浦推出了PN整流器PNS40010ER,器件是采用FlatPower封装的二极管产品组合。这款400V、1A器件能够以标准开关时间支持高功率密度,并且采用小型SODl23WFlatPower塑料封装。通过使用高效率电源技术,它非常适合用于温度高达175℃的高温应用。由于斜切式砌合技术可承受高达32A的浪涌脉冲,所有的标准开关应用均可使用该项技术,无论是消费电子还是汽车应用。 相似文献
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《今日电子》2003,(12)
集成电路元器件与组件测试和测量电 源封装与互连光电器件计算机及外设软 件集成电路低成本的32位ARM处理器高性能、低成本的32位ARM微控制器LPC21xx系列采用0.18μm的CMOS嵌入式闪存工艺,可实现超低1.8V电压工作,运行频率为60MHz,提供高性能的嵌入式128位宽零等待闪速存储器。新器件提供25KB的嵌入式闪存、10位模拟/数字转换器、16KSRAM、脉宽调制器、计时器、UART、串行外设接口(SPI),以及46个通用输入/输出系统,采用小巧的64管脚封装。为用户提供了从8位和16位微控制器向32位微控制器移植的低成本方案。一些传统的8位及32… 相似文献
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硫系玻璃薄膜封装层对OLED寿命的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
在高真空条件下(3×10-4Pa),利用硫系玻璃(Se,Te,Sb)薄膜封装材料对有机电致发光器件(OLED)进行原位封装,有效避免了传统封装方法难以避免的水、氧危害,以达到延长器件寿命的目的。实验对比了正常封装与增加Se、Te、Sb薄膜封装层后器件的性能,对比实验中封装过程都未加干燥剂。研究发现Se、Te、Sb薄膜封装层分别可以使器件的寿命延长1.4倍,2倍,1.3倍以上;采用封装层对器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能几乎不产生影响,但影响了器件散热,薄膜封装层使器件的击穿电压、最高亮度等参数稍有下降。 相似文献
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《电子设计工程》2014,(20):26-26
国际整流器公司(International Rectifier,简称I R)推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化,包括光伏逆变器、焊接设备、工业用电机、感应加热和不间断电源等应用。全新的I RGP47xx系列I GBT提供从15 A到90 A的电流范围,并采用沟道纤薄晶圆技术降低导通损耗和开关损耗,以提升系统效率。这些产品可作为分立式器件或与软恢复低Q rr二极管一起封装,能够为8k Hz到30 k Hz的超高速开关作出优化,从而提供高达6μs的短路额定值,以及有助于并联的V CE(ON)正温度系数。新器件具有较高的击穿电压, 相似文献
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采用Te薄膜封装层作为OLED(organic light emitting diode)器件的保护层,以达到延长器件使用寿命的目的.在高真空(3×10-4Pa)条件下,利用真空蒸镀的方法,在绿光OLED多层器件各功能层蒸镀完成后,又在阴极的外面蒸镀了一层Te薄膜封装层,然后再按一般的方法进行封装.对比了一般封装与增加Te薄膜封装层后器件的性能,封装过程均未加干燥剂.研究发现,未加Te薄膜封装层器件的半衰期为2 880 h,增加Te薄膜封装层后器件的半衰期接近5 800 h.由此可见,Te薄膜封装层的增加将使器件的寿命延长两倍多.并且所增加的Te薄膜封装层基本不影响器件的电流-电压特性、亮度-电压特性、色坐标等光电性能. 相似文献
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汽车电子技术不断发展,越来越多的新器件、新封装应用在汽车中,这对汽车用功率半导体器件与封装提出很大挑战。文章介绍了不同种类功率半导体器件的特点,具体分析了当前主要的汽车用功率器件的分类、结构、封装与可靠性,并给出这一领域的发展现状。期望通过本综述能为发展国内汽车用功率半导体器件提供更广阔的视野。 相似文献
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深圳雷曼光电科技股份有限公司 《现代显示》2013,(5):5-9
全彩LED显示屏通常是仰视的应用环境,上视角范围内的亮度没有被有效利用。本论文提出了一种将LAMP器件上视角范围内的亮度,向下视角范围转移的设计方法。通过设计得到透镜型面数据,制作透镜模具,封装成成品灯珠并进行测试,非对称LAMP器件上视角20°,下视角40°。下视角增大后,在同等条件下,非对称器件与常规器件相比,下视角可视范围内亮度提升了30%。同时,配光的一致性也获得了明显提升,降低了色偏差。由于上视角减小,也减少了上视角范围内的亮度造成的光污染。 相似文献
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