技术动态

新型二维纳米材料可能带来电子工业革命澳大利亚科学家研制出一种由氧化钼晶体制成的新型二维纳米材料,有可能给电子工业带来革命,使"纳米"一词不再停留于营销概念而成为现实。在材料学中,厚度为纳米量级的晶体薄膜通常被视作二维的,即只有长宽,厚度可忽略不计,称为二维纳米材料。新研制出的这种材料厚度仅有11纳米,它有着独特的性质,电子在其内部能以极高速度运动。科学家说,他们是从另一种奇妙的新材料——石墨烯     

包含自加热效应的短沟道SOIMOSFET直流模型

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ中存在着严重的自加热效应,对其直流特性有较大的影响。给出准确的自加热效应模型是精确模拟ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流特性的基础。文中通过对自加热效应的分析,建立了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的自加热效应模型,在此基础上给出了一个包含自加热效应的短沟道ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ直流模型,并对该模型进行了验证。     

科学家首次研制成功单电子半加器

在一项新研究中，韩国、日本和英国科学家组成的科研小组仅用5个晶体管就制造出一个半加器，它是所有逻辑电路中最小的一种。这也是首次成功制成基于单电子的半加器。相关研究报告发表在最新一期《应用物理陕报》上。     

基于单电子晶体管的动态全加器电路设计

基于单电子晶体管的I-V特性,运用CMOS动态电路的设计思想,提出了一种基于单电子晶体管的全加器动态电路,利用SPICE对设计的电路进行了仿真验证,分析了电荷分享问题.相对于静态互补逻辑电路的设计方法,基于单电子晶体管的动态逻辑电路不仅克服了单电子晶体管固有的电压增益低的缺点,而且器件数目也大幅减少.多栅SET的使用可以减少电荷分享问题对动态电路的影响.     

硅基单电子晶体管的制备

硅基单电子晶体管是一种极具潜力的新型量子器件。大多数硅基单电子晶体管的制备方法可以很好地与主流的CMOS工艺兼容。介绍了硅基单电子晶体管一些典型的具体制备工艺和方法以及该领域近年来的研究热点。     

石墨烯基电子学研究进展(续)

4 石墨烯的应用 尽管纳米管具有许多独特的优点,但石墨烯与其相比具有无可比拟的优势,如在制作复杂电路时若采用纳米管,则必须经过仔细筛选和定位,目前还没有开发出有效的方法,而采用石墨烯工艺较为简单和容易得多;石墨烯平面型材料与传统的半导体器件CMOS等的平面化工艺兼容性较好.     

电子百科

4K电视4K电视,即UHDTV(Ultra High DefinitionTelevision的简写),代表"超高清电视",是HDTV的下一代技术。2012年5月,国际电信联盟发布了"超高清电视UHDTV"(或"Ultra HDTV")标准的建议,将屏幕的物理     

技术动态

SEMI发布半导体制造5项新标准SEMI日前发布了五项新的半导体制造技术标准。这些标准由来自设备与材料供应商、器件制造商以及其他参与SEMI国际标准项目厂商的技术专家们开发制定。SEMI标准每三年发布一次。这些新的专利作为2008     

技术动态

德州仪器发布45纳米半导体制造工艺德州仪器(TI)发布了45纳米(nm)半导体制造工艺的细节,该工艺采用湿法光刻技术,可使每个硅片的芯片产出数量提高一倍,从而提高了工艺性能并降低了功耗。通过采用多种专有技术,TI将集成数百万晶体管的片上系统处理器的功能提升到新的水平,使性能提高30％,并同时降低 40％的功耗。     

取代硅元件芯片技术新突破

IBM研究人员已在碳纳米芯片研究方面取得重大进展,其可将1万个晶体管安置在单一芯片上,这一数字约为传统硅晶体管数量上限的100倍。根据摩尔定律,单一芯片上晶体管数量一直在翻倍增长着,但随着工艺的不断提升(现在可达32纳米),人们日益担心摩尔定律的失效,并期望能找到新材料,以延续摩尔定律。碳纳米管是其中主要的研究方向之一,而近期IBM的研究成果给业界吃了颗定心丸。     

纳米结构制备技术

随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为将来的集成电路的基础.本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法;用这种工艺方法在P型SIMOX硅片上成功制造的一种单电子晶体管,在其电流电压-特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应.     

双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟

提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱是通过剂量为3×1013cm-2,能量为250keV的磷离子注入实现的,并与n+前栅多晶硅直接相连.这项技术与体硅工艺完全兼容.通过Tsuprem4和Medici模拟,发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOSFET保持了传统全耗尽SOI nMOSFET的优势,消除了反常亚阈值斜率和kink效应,同时较传统全耗尽SOI nMOSFET有更加优秀的电流驱动能力和跨导特性.     

技术动态

IBM携手TDK开发大容量MRAM芯片，三星50纳米DRAM获Intel认证，我国自主硅基液晶（LCOS）光学引擎量产,飞兆半导体设立全球功率资源中心,台积电90纳米量产Xbox绘图记忆体,英特尔计划在越南构建芯片工厂.[编者按]     

技术动态

最小静态随机存取存储器元件研制成功日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报,这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0.128平方微米的静态随机存取存储器(SRAM)元件,并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。     

技术动态

美国宣布开发出一种生物纳米电子装置美国研究人员发表报告称,他们利用脂膜纳米导线开发出一种融入生物成分的纳米电子装置,这种生物纳米电子装置不但可以改善诊断工具的性能,而且可以提高神经修复技术的水平。     

石墨烯场效应晶体管研究进展

制备场效应晶体管的石墨烯主要分三种类型:大面积单层石墨烯、石墨烯纳米带和双层石墨烯片。文中介绍了这三类石墨烯场效应晶体管器件的研究进展和标志性成果,探讨了石墨烯对于场效应晶体管的影响。研究认为:与大面积单层石墨烯晶体管相比,由石墨烯纳米带制得的石墨烯场效应晶体管的开关比和电流密度等性能能够大幅度提升,可应用于逻辑电路;与大面积单层石墨烯和石墨烯纳米带相比,双层石墨烯晶体管具有更高的开关比,因此其实际应用的潜力最大。     

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IBM研发铜锌锡光伏电池打破世界纪录IBM的材料科学团队与日本太阳能电池厂商SoIarFrontier和其他团队一起合作,一直致力于发展高效和经济丰富的自然材料来生产光伏电池。他们的努力获得了成功,使用铜、锌、锡(简称CZTS)这些常见的元素制做电池,光电转换率达到了11.1%。但跟其它同等产品相比效率已经高出10%。此外,CZTS太阳能电池也运用到简单的喷墨技术里,例如印刷印刷或铸造。该材料可     

技术动态

超级电容器性能由碳电极材料结构决定 法国研究人员日前报告说，用来制造超级电容器电极的碳材料结构越不规则，超级电容器的电容就越大，对高压的承受能力也越强。     

技术动态

苹果获飞思卡尔200余项技术专利苹果最近披露的信息显示,该公司已经从飞思卡尔处获得了超过200项专利和专利申请,多数都与电脑硬件和无线设备有关。苹果从飞思卡尔处获得的这批专利包含很多与复杂的Wi-Fi和蜂窝信号以及数据解码相关的技术。除此之外,还包括一些2010年底提交的新专利申请。苹果主要利用专利组合进行防御,该公司最近就对诺基亚的侵权诉讼提起了反诉。不过,苹果也对三星等竞争对手发