n沟道功率MOSFET

E系列600V和650V n沟道功率MOSFET器件在10V下具有64～190mΩ的超低最大导通电阻,以及22～47A的额定电流范围。     

SiHP16N50C等：功率MOSFET

Vishay Intertechnology宣布推出4款新型500V、16A的N沟道功率MOSFET——SiHP16N50C、SiHF16N50C、SiHB16N50C和SiHG16N50C。新MOSFET在10V栅极驱动下具有0.38Ω的超低最大导通电阻,栅极电荷降至68nC,采用TO-220AB、TO-220FULLPAK、D2PAK和TD247AC封装。     

500V N沟道功率MOSFET

SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C—E3和SiHBi2N50C—E3是三款500V、12A的N沟道功率MOSFET,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

采用高压条带技术的MOSFET

ViShaY推出下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件,这些新的400V、500V和600Vn沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3～36A电流,采用多种封装。     

SiR476DP：功率MOSFET

Vishay推出新型25Vn通道器件SiR476DP,从而扩展了其Gen Ⅲ TrenchFET功率MOSFET系列。SiR476DP在4．5V栅极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ,在10V栅极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与栅极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值（FOM）,在4．5V时为89．25nC。     

Vishay Siliconix推出新型500V N沟道功率MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc．宣布,推出三款新型500V、12A的N沟道功率MOSFET——SiHP12N50C—E3、SiHF12N50C～E3和SiHB12N50C—E3,该MOSFET在10V栅极驱动下的最大导通电阻达到超低的0．555Ω,栅极电荷减小为48nC,采用TO-220、TO-220FULLPAK和D2PAK（TO-263）封装。     

Si$443DN／SiSS27DN：MOSFET

Vishay推出采用PowerPAK1212-8封装的-40VSIS443DN和PowerPAK1212—8S封装的一30VSiSS27DN器件,扩充其TrenchFETGenIIIP沟道功率MOSFET。VishaySiliconixSiS443DN在-10V和-4．5V栅极驱动下具有较低的导通电阻,是-40VP沟道GenIII器件;SiSS27DN是采用PowerPAK1212—8S封装的-30VMOSFET。     

SiHP7N60E：功率MOSFET

Vishay Intertechnology推出其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ-600mΩ．     

超低导通电阻MOSFET

SiR640DP和SiR662DP是40V和60VN沟道TrenchFET功率MOSFET,两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装,具有极低的导通电阻,以及极低的导通电阻与栅极电荷乘积（FOM,优值系数）。     

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新的500 V家族里首款MOSFET---SiHx25N50E,该器件具有与该公司600 V和650V E系列器件相同的低导通电阻和低开关损耗优点。新器件的低导通电阻和栅极电荷在高功率、高性能的消费类产品、照明应用和ATX/桌面PC机开关电源（SMPS）里将起到节能的重要作用。     

在非开关工作条件下操作功率MOSFET的一些忠告

M0SFET的单位面积导通电阻（Rsp）和品质因子（FOM）近年来出现大幅下降。在给定的硅材面积下，降低Rsp的关键因素是改善器件通道的宽度。这个改进促使了超低导通电阻产品的出现。由于栅极电荷在较高开关频率下对能耗的影响越来越重要，     

用于工业、消费和电信应用的MOSFET

OptiMOS3 40V,60V和80V N沟道MOSFET系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能,使其能够在采用标准TO（晶体管外形）封装的条件下,降低30％的功耗。     

Vishay推出的下一代D系列MOSFET具有诸如超低导通电阻、超低栅极电荷等高性能指标

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400 V、500 V和600 V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3～36 A电流,采用多种封装。     

SiB800EDK：n通道功率MOSFET／肖特基二极管

Vishoy推出20Vn通道功率MOSFET＋肖特基二极管SiB800EDK,该器件采用1．6mm×1．6mm的热增强型Power-PAK SC-75封装。这款新型器件的推出,意味着Vishoy将其在100mA时具有0．32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至1．5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。     

SiA975DJ：P沟道功率MOSFET

Vishay推出新款双路12VP沟道TrenchFET功率MOSFET——SjA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻,采用2mm×2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC．70封装。     

Vishay的17款新器件扩充600VN沟道功率MOSFET系列

Vishay Intertechnology,Inc宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件．将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39-600mr／,将最高电流等级扩展至7-73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术,使公司进入使用功率转换技术的增量市场,包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。     

Vishay推出新型30V TrenchFET功率MOSFET系列

日前,Vishay Intertechnology,Inc．推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件。新型TrenchFET第三代Si7192DP是一款采用PowerPAK SO-8封装的N沟道器件,在4．5V栅极驱动电压下具有2．25毫欧的最大导通电阻。导通电阻与栅极电荷乘积是DC-DC转换器应用中MOSFET的关键优值系数（FOM）,Si7192DP器件的FOM值为98——创造了任何采用SO-8封装的VDS=30V、VGS=20V器件的新的业界纪录。     

飞兆推出PowerTrench MOSFET产品FDD4141

飞兆半导体（Fairchild）推出40VP沟道PowerTrench MOSFET产品FDD4141。FDD4141具有低导通阻抗，与目前的M0SFET相比能降低栅极电荷（QG）达50％，可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用以更高的速度进行切换，而不会产生过多的热量。FDD4141采用PowerTrench工艺技术制造，将N沟道MOSFET的特性运用在P沟道MOSFET中，