共查询到20条相似文献,搜索用时 312 毫秒
1.
《信息技术与标准化》2008,(10)
SD卡协会(SDA)日前宣布了嵌入式SD(Secure Digital Memory Card,安全数码卡)标准,将于今年11月正式进入嵌入式存储市场。 相似文献
2.
3.
4.
5.
6.
SDHS存储卡已经发布许久,现在也已经逐步上市,但相对于传统SD卡而言,大多数消费者对SDHC存储卡还是感到陌生,尤其是不少消费者对其读写速度方面的表现依然存有疑虑。我们特意收集了四种知名品牌的4GB容量SDHC卡,松下SDHC(Class2),Sandisk SDHC(Class2),ELECOM SDHC(Class4)与ATP Pro Max SDHC(Class6),下面就来看看这四款产品在读写速度方面与以前的高速SD卡究竟有何区别。[编者按] 相似文献
7.
随着计算机硬件的发展及数据量的增加,对存储设备的要求也越来越高。SD(安全数码)卡是近年来流行的大容量便携式存储卡。介绍了一种在ARM9处理器AT91RM9200基础上以SD卡作为主要存储介质的数据存储系统。描述了SD卡与AT91RM9200的硬件接1:7,对SD卡文件系统与Linux下驱动程序实现进行了详细说明,最后介绍了Linux设备驱动模块的加载。 相似文献
8.
具有SD(Security Data)接口、身份认证和电子签名作用的SD Key智能卡是结合了现代密码学技术、智能卡技术和SD接口技术的新一代身份认证产品,可广泛用于与信息安全相关的各个领域。文中分析了SD Key的体系结构,着重阐述了SD key智能卡的硬件构成。 相似文献
9.
10.
射频磁控溅射法制备(Ba0.7Sr0.3)TiO3铁电薄膜 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的(Ba0.7Sr0.3)TiO3(BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺,分析了BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌。测试了其介电特性,测得的相对介电常数-温度曲线表明制备的(Ba0.7Sr0.3)TiO3铁电薄膜的居里温度在室温附近,约30℃处。 相似文献
11.
12.
13.
14.
基于ReWorks平台的SD卡驱动程序设计 总被引:1,自引:0,他引:1
SD卡作为一种大容量、高性能的固体存储设备广泛应用于各类嵌入式系统。目前基于嵌入式ReWorks系统的SD卡驱动研究还比较少。为实现SD卡在ReWorks平台上的数据存取,本文以S3C2440为处理器研究了基于SD总线模式的SD卡初始化过程和读/写过程,并根据ReWorks系统关键数据结构和建立块设备的工作流程,在ReWorks系统平台上实现了的SD模式下的SD卡驱动程序。该驱动程序的结构及实现细节对ReWorks平台的块设备驱动开发以及其他系统平台的SD卡驱动开发均有一定的借鉴意义。 相似文献
15.
16.
《数字通信》2006,(2):96-99
NDS本来是一款彻头彻尾的掌上游戏机.特点是价格低廉。目前市面上行货的卖价也不过970元左右(行货名为IDS)。NDS拥有2个屏幕,其中一个还是触摸屏,如果只是用来玩游戏似乎有些可惜了.现在国内有公司开发了一种使用SD/CF卡的扩展系统,占用NDS的GBA插槽,这种设备可以外接SD/CF卡的扩展.能够让NDS除了玩MDS/GBA游戏外,还能看电影.阅读电子书.以及像一个PDA一样运行爱好者们自己制作的软件。这种扩展系统名为MOVIEPLAYEA3(简称M3),按名字看是用来看视频的.其实这块卡的功能可丰富了,玩游戏.看电影.听音乐,样样都可以哦!对于囊中羹涩的学生们来说,NDS搭配M3似乎比某些电子词典更加超值!毕竟M3可以玩2000多个GBA游戏和数百个NDS游戏啊![编者按] 相似文献
17.
合成了(+)-4-(2-甲基丁基)-4’-(4-正辛基苯氧(基)甲基)-联苯,经红外光谱、质谱和元素分析等证实了分子结构、测试了相变温度、相态,介电各向异性和电阻率等物理性能。 相似文献
18.
介绍一种近耦合射频识别系统(典型读写距离25mm的非接触读写卡系统)的两个重要组成部分--邻近耦合设备和邻近卡的工作原理及由此设计的天线尺寸和匹配电路。 相似文献
19.
《电子科技》1999,(13)
Z-buffer是用来确定3D物体间前后位置关系的,没有它3D物作的深度就会一片混乱。硬件Z-buffer的优劣主要有两个评价标准,一是精度,二是速度。如果在运行(See3D)时发现物体有交错拌动的问题,说明显示卡的Z-buffer精度太低,可将3D驱动改成RGBemulation(软件方式)作一对比。Z-buffer通常都采用16bit,但也有一些新的3D加达十支持24hit和32bit方式。雇(See3D)申Z-huffer默认显示卡卡能支持的最高值,也可在菜凌中的Setup里自行更改.几乎没有什么3D加速平时Z-bullbr不提供硬件支持,但要注意显示内存的不足合影响Z-buf… 相似文献
20.
设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器(D-EAM)。同时,作为实验对照组,还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器(N—EAM)。两种器件的测试结果对比分析表明,D-EAM的电容明显要小于N—EAM。脊波导长度为250μm,宽度为2.5弘m的D-EAM在-3V偏压下电容为0.225pF,对应的调制带宽估算为28.3GHZ;1550nm输入波长条件下,D-EAM在偏压为-1V至-2V之间调制效率最大,达到10dB/V,而-3V、-6V下的调制深度分别为22dB和26dB,满足40Gbit/s光纤通信要求。 相似文献