微波BJT超宽带低噪声放大器的设计

本文给出了一种频带覆盖达１０－１６００ＭＨｚ的微波ＢＪＴ超宽带低噪声放大器的设计方法，从微波ＢＪＴ的噪声模型出发，通过拟合５０Ω源阻抗下微波ＢＪＴ的噪声系数ＮＦ５０和Ｓ参数来提取其噪声参数，然后根据增益，噪声及驻波比要求优化设计放大器，使放大器在超宽带范围内获得平坦增益和低噪声，本文所给出的微波ＢＪＴ惨数提取及放大器优化设计方法已由实验结果所验证。     

超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计

叙述了超宽带低噪声放大器的计算机辅助设计方法，提出了利用普通微带混合集成电路．工艺设计超宽带低噪声放大器的方法和关键技术，并且用带封装的ＢＪＴ和ＦＥＴ实现了两个超宽带低噪声放大器。实验结果和设计结果吻合较好。一个利用２ＳＣ３３５８，放大器为三级，频带为３０ｋＨＺ～１６００ＭＨＺ，增益Ｇ＝２０±１ｄＢ，噪声系数ＮＦ≤３．５ｄＢ；另一个利用ＡＴＦ１０２３５（６），放大器为二级，频带为５００ｋＨＺ～６０００ＭＨＺ，增益Ｇ＝２０±２ｄＢ，噪声系数ＮＦ≤２ｄＢ。     

超宽带CMOS低噪声放大器的设计

设计了一种应用于3.1~5.2 GHz频段超宽带系统接收机的差分低噪声放大器,采用前置切比雪夫(Chebyshev)2阶LC ladder带通滤波器的并联负反馈结构,详细分析了其输入宽带阻抗匹配特性和噪声特性。仿真基于TSMC 0.18μm RF CMOS工艺。结果表明,在全频段,电路功率增益S21为11 dB,增益平坦度小于1 dB,最小噪声系数为3.5 dB,输入输出均良好匹配,在1.8V电源电压下,功耗为14.4 mW。     

一种接收前端三级低噪声放大器的设计

针对单片雷达接收机中对低噪声放大器（LNA）的要求,采用CMOS0．18m工艺设计了三级级联的镜像抑制低噪声放大器。通过在低噪声放大器中接入陷波滤波器,实现对镜像信号的衰减,从而减小了后端混频器电路的设计难度。在ADS中对放大器进行仿真,结果表明：在最大供电电压为5V、信号频段为3．0～3．2GHz时,中频输出225MHz,功率增益31dB,噪声系数（NF）0．5dB,输入输出1—dB点的功率分别为-19．5和11．5dBm,对镜像信号的抑制度达22dB。     

宽带CMOS低噪声放大器的设计

文章主要介绍应用于集群接收机系统的350MHz～470MHz低噪声放大器,采用0.6μm CMOS工艺。探讨了优化低噪声放大器的噪声系数、增益与线性度的设计方法,同时对宽带输入输出匹配进行了分析。这种宽带低噪声放大器的工作带宽350MHz～470MHz,噪声系数小于3dB,增益为24dB,增益平坦度为±1dB,输入1dB压缩点大于-15dBm。     

一种接收前端三级低噪声放大器的设计

针对单片雷达接收机中对低噪声放大器（LNA）的要求,采用CMOS0．18,um工艺设计了一个三级级联的镜像抑制低噪声放大器。通过在低噪声放大器中接入限波滤波器,实现对镜像信号的衰减,从而减小了后端混频器电路的设计难度。在ADS中对设计的放大器仿真,其结果为：最大供电电压为5V情况下,信号频段为3．0～3．2GHz,中频输出为225MHz,功率增益≥31dB,噪声系数（FN）≤O．5dB,1dB点的输入／输出功率分别为-19．5dBm和11．5dBm,对镜像信号的抑制度达22dB。     

一种0.03～1.7 GHz超宽带低噪声放大器的设计与制作

为了降低接收机前端的噪声,设计了一种超宽带低噪声放大器。选用噪声较小、增益较高且工作电流较低的放大管,利用负反馈和宽带匹配技术,结合ADS和HFSS微波软件辅助设计,放大器在30 MHz~1700 MHz范围内,增益大于31 dB,平坦度小于±0.5 dB,噪声系数小于2.3 dB,驻波比小于1.6。     

微波宽带低噪声放大器的设计研究

微波宽带放大器是电力对抗、遥测遥控和雷达等进行系统接收的关键部件,宽带网络设计作为微波宽带设计中的难点内容,需要充分运用负反馈和平衡电路的形式,来降低宽带低噪声的匹配难度,要想促进微波宽带低噪声放大器取得良好的应用效果,需要合理设置微波宽带低噪声放大器.本文对微波宽带低噪声放大器基本理论进行详细阐述,并提出了设计方法.     

射频宽带低噪声放大器的设计与仿真

介绍了一种射频宽带低噪声放大器的设计过程,包括稳定性分析、偏置电路设计和匹配电路设计等内容.设计采用E-PHEMT晶体管(ATF-55143)器件模型和其他元件模型.通过采用ADS技术进行电路和电磁仿真,结果表明设计的放大器完全满足性能指标要求.     

采用噪声消除技术的3-5GHz CMOS超宽带LNA设计

设计了一种适用于超宽带无线通信系统接收前端的全集成低噪声放大器.该放大器以经典窄带共源共栅低噪声放大器为基础,通过加入并联负反馈电阻以扩展带宽,采用噪声消除技术优化噪声系数.低噪声放大器基于SMIC 0.18-μmRF CMOS工艺进行设计与仿真,仿真结果表明,在3-5 GHz的频带范围内,S11小于-13 dB,S22小于-11.8 dB,S21大于17.3dB,S12小于-32 dB,增益平坦度小于0.7 dB,最大噪声系数为2.9 dB,输入三阶截断点为-12.9 dBm.采用1.8 V电源供电,电路总功耗约为20.5 mW.     

CMOS全差分超宽带低噪声放大器

文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器,该低噪声放大器采用了电阻并联负反馈与源极退化电感技术的结合,为全差分结构,在Jazz0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为1.08mm2,射频端ESD抗击穿电压为1.4kV。测试结果表明,在1.8V电源电压下,该LNA的工作频带为3.1～4.7GHz,功耗为14.9mW,噪声系数(NF)为1.91～3.24dB,输入三阶交调量(IIP3)为-8dBm。     

一种0.5~9.2 GHz超宽带低噪声放大器设计

基于0.18 μm CMOS工艺,设计了一种应用于10 GHz以下无线通信频段的两级超宽带低噪声放大器(LNA)。第一级在互补共源级的基础上通过引入电阻反馈、电感峰化技术和伪电阻结构,在拓展带宽和提高增益的同时降低了噪声。第二级在共源放大的基础上通过电感峰化技术、增益辅助级和缓冲级的使用,提高了电路的增益并改善了输出宽带匹配特性。仿真结果表明,在0.5~9.2 GHz频率范围内,电路增益为14.2±0.2 dB,噪声系数(NF)小于3.97 dB,整体功耗为12.9 mW。     

3．1～10．6GHz超宽带低噪声放大器的设计

基于SIMC0．18μmRFCMOS工艺技术,设计了可用于3．1—10．6GHzMB—OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器（LNA）。该LNA采用三级结构：第一级是共栅放大器,主要用来进行输入端的匹配;第二级是共源共栅放大器,用来在低频段提供较高的增益;第三级依然为共源共栅结构,用来在高频段提供较高的增益,从而补偿整个频带的增益使得增益平坦度更好。仿真结果表明：在电源电压为1．8v的条件下,所设计的LNA在3．1～10．6GHz的频带范围内增益（521）为20dB左右,具有很好的增益平坦性f±0．4dB）,回波损耗S11、S22均小于-10dB,噪声系数为4．5dB左右,IIP3为-5dBm,PIdB为0dBm。     

3～5GHz超宽带并联负反馈低噪声放大器的设计

设计了一种用于3～5GHz MB-OFDM超宽带接收机射频前端的CMOS低噪声放大器(LNA).分析了RC电阻反馈式低噪声放大器的结构,针对其存在的噪声大、增益低等问题,提出一种改进电路结构;增加了一个源极电感,以克服上述电路的不足,采用TSMC 0.18μm RFCMOS工艺,进行设计和仿真.仿真结果表明:改进结构在...     

心电图机专用IC－CMOS低噪声前置放大器的设计

ＣＭＯＳ低噪声、低漂移、低失调运放是为＂心电图机专用集成电路＂而设计的，要求具有高输入阻抗、高ＣＭＲＲ、低漂移、低失调、尤其是低的１／ｆ噪声。ＣＭＯＳ器件与双极型器件和ＪＦＥＴ器件相比，通常有较大的１／ｆ噪声电压。由于采用特殊的设计技术，使我们研制的ＣＭＯＳ运放具有较低的１／ｆ噪声，且功耗较低。经研制及投片，实例得０．０５Ｈｚ～２５０Ｈｚ等效输入噪声电压峰峰值小于２．５μＶ，±２．５Ｖ到±１０Ｖ电源电压下输入失调小于１ｍＶ，共模抑制比１１０ｄＢ以上，完全达到设计指标。该运放可广泛用于生物医学电子学及其他需要低噪声运放的场合，在±２．５Ｖ工作时亦可作为微功耗运放使用。     

3～5 GHz超宽带无电感CMOS低噪声放大器设计

基于TSMC O.18μm RFCMOS工艺设计了一种无电感并联负反馈的超宽带低噪声放大器(LNA).在3～5 GHz工作频率范围内,电阻电流复用技术为整体电路提供自偏置,使其在足够的带宽范围内均可实现较高增益;同时噪声相消技术又可消除部分沟道热噪声,在很大程度上降低了放大器的噪声系数,由仿真结果可以看到:LNA在3～5 GHz内实现了良好输入输出匹配和较好的线性度,同时得到了较好的电压增益和噪声性能;并且其在整个频带范围内增益达到11～13.9 dB,噪声系数小于4.6 dB.整个设计最大的优点是没有用到片上电感,使得芯片面积大大缩小,这对商业应用具有极大的吸引力。     

VHF-UHF超低噪声放大器的设计

介绍了应用Avago ATF-54143设计VHF-UHF超低噪声放大器,阐述了利用电感串联反馈、RC反馈技术,损耗一定的增益,实现输入输出匹配和放大器的无条件稳定.利用ADS进行仿真设计,对产品实际测量,G>20 dB,NF<1 dB,0IP3>35 dBm.结果表明此低噪声放大器达到了预设的技术指标,性能良好,可用于接收机前端.     

L波段低噪声放大器的设计

文章阐述了低噪声放大器的一部分主要技术指标,通过对电路设计中应该注意的诸多要点分析了此类高频微带电路的复杂结构和形式,介绍了利用微波工作室软件,对GaAs场效应管S参数中增益和噪声系数等参数进行了分析并设计了两级低噪声放大器,并对电路进行模拟和优化,通过电路调试,软件修正,得到最终电路设计,从最终的测试结果可以看出该放大器具有良好的射频性能,已经达到了预定的技术指标。     

低噪音放大器(LNA)多层板设计

介绍了低噪音放大器电路的多芯片技术设计与工艺分析.详细介绍了低噪音放大器多层布线版图以及每层的工艺实现步骤;通过对低噪音放大器电路的多层结构的设计与工艺实现,可以知道多层布线的发展是使电路小型化的一种途径,逐步提高电路的微型化的设计与制造的技术,最终实现电路微集成化的工作.