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1.
采用每级1.5 bit和每级2.5 bit相结合的方法设计了一种10位50 MHz流水线模数转换器。通过采用自举开关和增益自举技术的折叠式共源共栅运算放大器,保证了采样保持电路和级电路的性能。该电路采用华润上华(CSMC)0.5μm 5 V CMOS工艺进行版图设计和流片验证,芯片面积为5.5 mm2。测试结果表明:该模数转换器在采样频率为50 MHz,输入信号频率为30 kHz时,信号加谐波失真比(SNDR)为56.5 dB,无杂散动态范围(SFDR)为73.9 dB。输入频率为20 MHz时,信号加谐波失真比为52.1 dB,无杂散动态范围为65.7 dB。 相似文献
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介绍了一种12 bit 60 MS/s流水线模数转换器(ADC),该转换器使用采样保持电路,将连续变化的模拟信号通过一定时间间隔的采样,以实现信号的准确量化,利用增益自举运放提高信号建立的线性度;采用每级1.5 bit精确度的流水线结构实现冗余编码,降低比较器失调电压对精确度的影响,同时提出一种新型的消除静态功耗的预放大比较器结构。该流水线ADC芯片采用华力55 nm 互补金属氧化物(CMOS)工艺进行电路和版图设计。对后仿真结果进行快速傅里叶变换(FFT)分析得到:动态参数无杂散动态范围(SFDR)为86.18 dB,信噪比(SNR)为72.91 dB,信纳比(SNDR)为72.8 dB,有效位数(ENOB)为11.72 bit。 相似文献
3.
介绍了一个10位100 MHz,1.8 V的流水线结构模/数转换器(ADC),该ADC运用相邻级运算放大器共享技术和逐级电容缩减技术,可以大大减小芯片的功耗和面积。电路采用级联1个高性能前置采样保持单元和4个运放共享的1.5位/级MDAC,并采用栅压自举开关和动态比较器来缩减功耗。结果显示,在输入频率达到奈奎斯特频率范围内,整个ADC的有效位数始终高于9位。电路使用TSMC 0.18μm 1P6 M CMOS工艺,在100 MHz的采样频率下,功耗仅为45 mW。 相似文献
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介绍了一种12 bit 80 MS/s流水线ADC的设计,用于基带信号处理,其中第一级采用了2.5 bit级电路,采样保持级采用了自举开关提高线性,后级电路采用了缩减技术,节省了芯片面积.采用了折叠增益自举运放,优化了运放的建立速度,节省了功耗.芯片采用HJTC0.18μm标准CMOS工艺,1.8 V电压供电,版图面积2.3 mm × 1.4 mm.版图后仿真表明,ADC在8 MHz正弦信号1 V峰值输入下,可以达到11.10 bit有效精度,SFDR达到80.16 dB,整个芯片的功耗为155 mW. 相似文献
7.
采用GF 0.18μm标准CMOS工艺,设计并实现了一种12 bit 20 MS/s流水线模数转换器(ADC)。整体架构采用第一级4 bit与1.5 bit/级的相结合的方法。采用改进的增益数模单元(MDAC)结构和带驱动能力的栅自举开关来提高MDAC的线性度和精度。为了降低子ADC的功耗,采用开关电容式比较器。仿真结果表明,优化的带驱动的栅自举开关可减小采样保持电路(SHA)的负载压力,有效降低开关导通电阻,降低电路的非线性。测试结果表明:在20 MS/s的采样率下,输入信号为1.234 1 MHz时,该ADC的微分非线性(DNL)为+0.55LSB/-0.67LSB,积分非线性(INL)为+0.87LSB/-0.077LSB,信噪比(SNR)为73.21 dB,无杂散动态范围(SFDR)为69.72 dB,有效位数(ENOB)为11.01位。芯片面积为6.872 mm2,在3.3 V供电的情况下,功耗为115 mW。 相似文献
8.
给出了一个SMIC0.13μmCMOS工艺的10bit/60MHz流水线ADC的设计方法。该电路去掉了采样保持电路,同时引入运放分享技术,从而大大降低了功耗。仿真结果显示。在60MHz时钟采样时,其ENOB为9.67bit,SFDR为75.2dB。 相似文献
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设计了一个14位40 MHz、100 dB SFDR、1.8 V电源电压的流水线A/D转换器(ADC).采用增益自举密勒补偿两级运放,可在保证2 Vpp差分输出信号摆幅的前提下获得130dB的增益,有效地减小了运放有限增益的影响;同时,采用冗余位编码技术和动态比较器,降低了比较器失调电压的设计难度和功耗.该设计采用UMC 0.18 μm CMOS工艺,芯片面积为2mm×4 mm.仿真结果为:输入满幅单频9 MHz的正弦信号,可以达到100 dB SFDR和83.8 dBSNDR. 相似文献
10.
设计了一个20MHz采样率,10bit精度流水线模数转换器。采用新颖的栅压自举开关,使电路在输入信号频率很高时仍具有良好的动态性能;用MATLAB仿真增益增强型运算放大器在不同反馈因子下闭环零、极点特性,提出了使大信号建立时间最短的主运放、辅助运放单位增益带宽和相位裕度范围。采用SMIC0.35μm2P4M工艺流片验证,20MHz采样率,2.1MHz输入信号下,SFDR=73dBc,ENOB=9.18bit。 相似文献
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Mikko Waltari Lauri Sumanen Tuomas Korhonen Kari A. I. Halonen 《Analog Integrated Circuits and Signal Processing》2003,37(3):201-213
A 13-bit, 50-MS/s pipeline ADC with IF-sampling capability is presented. A high sampling linearity is obtained through the use of bootstrapped switches. A digital self-calibration algorithm with modified capacitor measurement scheme is employed to improve the accuracy of the first two pipeline stages. The prototype, implemented with a 0.35-m BiCMOS (SiGe) technology, shows a 76.5-dB SFDR at a 194.2-MHz signal frequency and dissipates 715 mW power from a 2.9-V supply. 相似文献
12.
《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2009,44(9):2366-2380
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传统的基于Matlab/Simulink的高速高精度流水线ADC模型对电路设计具有指导作用,但是与实际电路存在一定的差距.为了提高模型的准确性,通过分析折叠式增益增强型运放的特点,建立基于SMIC 0.18 μm混合CMOS工艺的运放传输函数和相对符合实际的数学模型.将运放建模分析结果与采用同一工艺设计的实际电路仿真结果进行对比,验证了模型的有效性.在考虑实际电路中各种非理性因素的情况下,建立14位100 MHz流水线ADC模型,给出了理想情况下与添加非理想因素后流水线ADC模型的输出指标,对实际电路的设计具有指导意义. 相似文献
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一种10位50 MHz电阻分压型D/A转换器 总被引:2,自引:0,他引:2
实现了一个可驱动传输线的采样时钟频率为50 MHz、精度为10位的电阻分压型数模转换器(DAC)。“dual ladder”、“best INL”矩阵式布局等新技术的采用,使得电阻串无需校正即可达到10位的精度。同时,通过运放复用技术,可在不消耗额外功耗的前提下实现阻抗匹配,并达到1.2 V的输出摆幅。该DAC在0.18μm数字CMOS工艺上得以验证实现,芯片面积为0.5 mm2,积分非线性误差(INL)为±0.45 LSB。在3.3 V电源供电、50 MHz的采样频率下,信噪失真比(SNDR)达到61 dB,功耗为55 mW。 相似文献
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提出了一种基于两步转换法(5 6)的高速高精度A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗及面积。采用这种结构,设计了一个10位40 MHz的A/D转换器,并用0.6μm BiCMOS工艺实现。经过电路模拟仿真,在40 MHz转换速率,1 V输入信号(Vp-p),5 V电源电压时,信噪比(SNR)为63.3 dB,积分非线性(INL)和微分非线性(DNL)均小于10位转换器的±0.5 LSB,电源电流为85.4 mA。样品测试结果:SNR为55 dB,INL和DNL小于10位转换器的±1.75 LSB。 相似文献
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介绍了一种采用0.35μm BiCMOS工艺的双路双差分采样保持电路。该电路分辨率为8位,采样率达到250 MSPS。该电路新颖的特点为利用交替工作方式,降低了电路对速度的要求。经过电路模拟仿真,在250 MSPS,输入信号为Vp-p=1 V,电源电压3.3 V时,信噪比(SNR)为55.8 dB,积分线性误差(INL)和微分线性误差(DNL)均小于8位A/D转换器的±0.2 LSB,电源电流为28 mA。样品测试结果:SNR为47.6 dB,INL、DNL小于8位A/D转换器的±0.8 LSB。 相似文献
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