取向电工钢中Goss晶粒生长的取向环境

将以MnS为主要抑制剂的普通取向电工钢作为实验材料,检测并分析脱碳样品的宏观织构及脱碳和随后加热至925℃时样品的微观织构,统计分析了Goss与周围晶粒的取向差分布。根据取向差原理计算了脱碳样品主要织构组分内各取向晶粒的取向差环境。结果表明,取向电工钢脱碳退火后Goss晶粒与周围晶粒的取向差分布呈现大角度特征,主要取向差分布范围为30°-45°,而非Goss晶粒与周围晶粒的取向差分布则呈现更多小角度特征。二次再结晶后,Goss晶粒与周围晶粒的取向差分布仍然以大角度特征为主。     

取向硅钢易磁化方向对轧向偏离角α和β的测定方法

利用X射线衍射的方法测定取向硅钢易磁化方向[001]晶向对轧制方向(RD)的偏离角α和β。通过测定(110)晶面在轧面内的转动角度,以及其对轧面的倾斜角度,并根据晶体结构中(110)晶面与[001]晶向的关系,得到[001]晶向相对于轧向的偏离角α和β。对某取向硅钢中的4个晶粒的α和β角进行了测定,并提出了计算α和β角平均值的方法。     

离子注N对6061铝合金表层晶粒取向的影响

通过掠入射X射线衍射及面探扫描实验研究了经氮离子注入后，6061铝合金表层的晶粒取向。结果表明离子注入对铝合金表层的晶粒取向有较大影响，并且随着注入时间的增加，其晶粒取向也发生变化。同时对离子注入层中晶粒取向的形成进行了探讨。     

轧制和热处理工艺对Bi系超导带材晶粒取向的影响

利用Ｘ射线晶面衍射分析和扫描电镜观察手段，分析了Ｂｉ系超导带材在轧前后以及热处理前后的晶粒取向性。实验结果表明轧制工艺导致了有利于超导材料电学性能的晶粒取向性分布，超导晶粒的片平面即晶面沿轧制平面作一致排列，这种取向性在热处理中得到了保留和加强。     

低温热轧取向硅钢一次再结晶组织对磁性能的影响

采用EBSD技术对不同工艺处理的低温热轧取向钢的尺寸、取向差、CSL等进行了分析，结果表明：当大角度晶界占优时，磁性能较好，采用快速加热工艺有助于增大角度晶界所占的比例，采用渗氮工艺能提高功所占百分比并增大晶粒尺寸：25～45。取向差的晶粒所占比例较大时，磁性能较好．相比重位点阵（CSL）理论，高能晶界理论（HE）更符合本试验结果．     

烧结NdFeB磁体的晶粒取向和矫顽力的角度关系

本文研究了烧结ＮｄＦｅＢ磁体的晶粒取向矣矫顽力的影响和矫顽力的角度关系，结果表明：晶粒的混乱取向使矫顽力上升而不是下降，矫顽力的发动场理论比成核机制和钉扎机制与实验结果符合更好。     

镁合金搅拌摩擦焊接头晶粒取向和织构分析

利用背散射电子衍射分析技术(EBSD)和取像显微分析技术(OIM),通过定量测量变形镁合金AZ80A搅拌摩擦焊搭接接头的焊核区晶粒取向和织构,探讨了搅拌摩擦焊焊核区形成的微观过程.结果表明:AZ80A合金在搅拌摩擦焊过程中,存在塑性变形和动态再结晶两种微观过程,导致焊核区所形成的晶粒织构密度不强、取向呈多样化的趋势;晶粒为再结晶细晶粒;在焊核区,变形织构{1,-1,0,4}<1,0,-1,0>略偏离板法向20°,且随板厚方向向下越来越强,同时再结晶取向越来越多;焊核区晶粒继承了母材中的{1,-1,0,4}<1,0,-1,0>变形织构,在焊核区所发生的动态再结晶含有一定程度的原位再结晶.     

晶体取向测量的计算公式及其图解法

为了便于测量和计算,通过系统X射线衍射实验研究和理论分析,改进了X射线衍射透射及反射几何关系图,推导出定量计算公式,并创立了晶体取向测量图形。使用这种定量计算公式及图形可以非常简便、迅速而又准确地得到晶体取向的反射衍射斑点θR和透射衍射斑点θT。为了便于精确测量和更有效地利用高级测试仪器,在X射线衍射仪日常工作的同时,使用原有线焦点等实验方法进行了累计X射线衍射斑点拍照研究。结果表明,用射线源线焦点拍照的精确度与点焦点相同,操作方便,并可大大缩短调机和开机时间,充分发挥了X射线衍射仪的作用。     

双相不锈钢中奥氏体沉淀相的晶粒取向及界面特征分布

利用电子背散射衍射(EBSD)技术和基于Rodrigues-Frank(R-F)空间的取向差分析方法研究双相不锈钢中过饱和铁素体(α)经1323K沉淀析出的奥氏体(γ)相的晶粒取向和界面(晶界和相界)特征分布。结果表明:α晶粒经ε=2预先轧制变形后,γ析出相具有较强的织构,晶粒内取向差呈现以小角度晶界为主,孪晶界次之的晶界特征分布,这些晶粒与α基体的取向关系满足K-S,N-W和Bain关系的数量基本相当。具有相同取向而未经轧制变形的α晶粒沉淀析出的γ晶粒取向基本随机分布,与基体的取向关系主要以K-S为主;但内部发生孪晶的γ晶粒与基体不再满足K-S关系,其周围的相界约有1/4满足35°/〈110〉的新型取向关系。     

超薄取向硅钢组织及织构与磁性能的关系

本工作旨在探讨超薄取向硅钢组织及织构与磁性能的关系,并从加工工艺角度揭示如何减少不利于磁性能的组织和织构的产生。利用电子背散射衍射(EBSD)技术和X射线衍射(XRD)技术对两种磁性能不同的商业超薄取向硅钢带材的显微组织和织构进行对比分析,结果发现,二者组织、织构差异均比较明显。磁性能差的带材样品的组织尺寸不一,均匀性较差,η线织构(〈100〉//RD)所占比例偏低,非η线取向晶粒所占比例高且晶粒尺寸大,其取向特征主要表现为{210}〈001〉、{411}〈148〉及{111}〈110〉。这些不利组织的产生可能与轧制、退火工艺控制不当有关。因此,晶粒尺寸及η线取向晶粒所占比例的不同是造成两种带材性能差异的主要原因,在高性能取向硅钢超薄带材制备过程中,应精准控制轧制、退火制度等相关工艺,以避免非η线取向晶粒形成、长大。     

压电陶瓷晶粒取向生长技术的研究进展

由于取向生长技术可以显著地提高压电陶瓷的性能, 并且不会降低材料的居里温度, 故压电陶瓷的晶粒取向生长技术已成为研究的热点. 本文分别从定向凝固技术、多层晶粒生长技术、模板晶粒生长技术和反应模板晶粒生长技术等四个方面,归纳和分析了近年来压电陶瓷晶粒取向生长技术的研究进展,并对压电陶瓷晶粒取向生长技术今后的研究和发展提出一些建议.     

基于电子背散射衍射分析晶粒大小分布和微观织构的关系

采用电子背散射衍射技术检测了三种薄钢板试样的晶粒尺寸统计分布规律,并测定了取向成像图和取向分布函数图,统计了各织构晶粒所占比率以及晶粒取向差分布状况。分析了晶粒大小统计分布状况对微观织构形成的影响。结果表明:晶粒尺寸分布越集中,越利于增加{111}∥ND有利织构的含量;取向成像图和取向分布函数图所分析的织构结果是一致的,晶粒取向差分布状况与织构特征的形成有一定的对应关系。     

应用强磁场控制Zn薄膜取向研究

在不同磁场下,用真空蒸发法制备了不同方向放置的Zn薄膜。对样品进行X射线衍射分析表明,在大于3T的磁场环境下,垂直于磁场放置的基片上制备的Zn薄膜最强衍射峰为(002),而平行于磁场方向放置的基片上制备的试样最强衍射峰为(101)。Zn的磁各向异性引起了晶体在磁场环境下的择优生长,磁能较低的c轴方向是Zn薄膜的优先生长方向。利用磁场诱导晶体取向这一特性,提出了一种控制薄膜取向的新方法,通过调整基片与磁场方向的放置角度即可对制备薄膜的取向进行调整。     

薄规格取向硅钢中晶粒取向和尺寸对Goss晶粒异常长大的影响

利用EBSD技术统计了薄规格取向硅钢片中初次再结晶和二次再结晶前期组织中{411}〈148〉、{111}〈112〉、{100}〈025〉取向晶粒尺寸分布,分析了三种不同取向的晶粒对Goss晶粒异常长大的影响。结果表明:初次再结晶组织中不同的取向晶粒对应的平均晶粒尺寸(d)存在差异,{411}〈148〉取向晶粒的平均尺寸最大,其次为{100}〈025〉取向晶粒,{111}〈112〉取向晶粒的平均尺寸最小。Goss取向晶粒异常长大的过程中优先吞噬{111}〈112〉取向晶粒,其次是{411}〈148〉取向晶粒,最后是近{100}〈025〉取向晶粒和近黄铜取向晶粒。{111}〈112〉、{411}〈148〉取向晶粒对Goss取向晶粒异常长大的影响主要体现在二次再结晶的前期。因此,可以推断取向硅钢中最终残留的"岛晶"可能来源于近黄铜取向晶粒或近{100}〈025〉取向晶粒。     

鸵岛蛋壳的微结构研究

用Ｘ射线衍射分析、扫描电镜及透射电镜对鸵鸟蛋壳的晶体结构进行了研究。观察了蛋壳晶体形貌、晶体取向、晶粒尺寸和相邻晶粒的取向关系。发现蛋壳内晶粒存在的择优取向，用取向畸结构解释了蛋壳内存在的择优取向。用扫描电子显微镜观察了蛋壳内有机介质和无机相的形貌。     

一种测定晶体取向及其分布的简便XRD方法

提出了旋转定向测试法，其原理是使试样的在粉末X射线衍射仪上进行θ扫描的同时绕其端面法线自转，增加了晶面法线通过衍射平面的机会。通过这种方法可直观地区分取向多晶，准单晶或者单晶体，评定研制过程中准单晶和择优取向材料的晶体品质，确定单晶，准单晶及择优取向等材料的晶面相对宏观端面的晶向偏离角和取向分散度，还可对单晶体材料进行三维晶面定向。旋转定向法测试晶体取向具有快速简便，一机多用，精度高等优点，在电子、光学、磁性，机械等材料研究领域具在广泛的应用。     

NdFeB永磁体取向度的X射线测量方法

Nd-Fe-B合金的晶体学织构可以通过X射线衍射方法测量,但完整的定量织构分析,通常采用反极图法如取向度的测定法。对于试样局部区域的精确取向测量,可以采用EBSD方法,其取向度直接与永磁体加工过程微结构的变化相联系。介绍了NdFeB永磁体取向度的X射线测量方法,磁取向与晶体学织构关系(包括取向度的研究)分析对于NdFeB永磁体的研制与开发具有重要的实用价值。     

钼单晶的判定及其偏离角的测试

采用X射线θ扫描旋转法和金相分析相结合的方法 ,对区熔法生长的钼单晶样品进行了判定和 ( 111)晶面取向偏离角的测试 ,对钼单晶中的小角晶界进行了观察和分析。在钼单晶中 ,小角晶界可以在晶内结束 ,其两边的衬度不能在金相显微镜下区分。钼单晶的I θ曲线有一对规整的峰 ,峰的宽度很小 ,这表明晶界两边的晶粒取向差很小。所测试的钼单晶偏离角为 7.6°。上述结果表明 ,该方法对钼单晶测试和判定具有操作简单、测试快速 ,对取向偏离角的测试结果准确等特点     

烧结Nd—Fe—B取向度的研究

提出了一种用普通Ｘ射线衍射谱定量测量烧结Ｎｄ－Ｆｅ－Ｂ磁体取向度的简单易行的新方法,并与用１０－１２Ｔ强脉冲磁测量的Ｂｒ／Ｊｓ和（Ｂｒ∥－Ｂｒ）／Ｂｒ∥值进行了比较。为提高在金属模压工艺条件下的取向度,应加大取向外磁场或者采取减小磁粉与模具之间摩擦力的措施。     

高强度、高模量聚丙烯腈基碳纤维的微晶取向研究

用X射线衍射研究了高强度(T系列)与高模量(M系列)聚丙烯腈基碳纤维的微观结构,结果表明两类碳纤维具有不同的结构特征:(1)高模量碳纤维的晶胞尺寸较接近于石墨结构;(2)高模量碳纤维的晶粒尺寸和取向度大于高强度碳纤维;(3)高模量碳纤维的二维层状堆砌比高强度碳纤维排列规整,并存在两种不同晶胞尺寸的六方晶系石墨结构。取向度增大,使晶粒尺寸增大,层状堆砌趋于规整,有利于提高拉伸模量。存在适度的层状紊乱堆砌和不完善微晶以及缺陷,有利于提高拉伸强度。