小尺寸VDMOS阈值电压温度特性模型

研究了温度对VDMOS阈值电压中各参数的影响,确定了受温度影响较大的参数.为提高模型的精确度,建立了短沟道的阈值电压温度特性模型,模型考虑到VDMOS元胞结构中的小尺寸效应.最后将250K至500K温度范围内模型的阈值电压温度特性与MEDICI的仿真结果及忽略短沟道效应的温度模型进行比较,验证了模型的准确性.     

VDMOS的虚拟栅结构

文中设计了一个虚拟栅结构的VDMOS,该结构可以减小漏栅反馈电容Cras,使其接近于零.因此,对于相同的模块电压率,虚拟栅结构可以使MOS器件有一个更短的沟道,同时也因为有一个更大的栅漏交叠区域而使导通电阻减小.这样,器件跨导也可以提高.经过ISE仿真模拟,虚拟栅结构比原始分栅结构的击穿电压提高了近42%,而电流输出特性也更好更稳定.     

双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降

基于电荷分享原理 ,推导了双栅和环栅 MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降 ,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响 ,并用数值模拟验证了理论结果 .这些研究结果对进一步开展纳米 CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义     

双栅和环栅MOSFET中短沟效应引起的阈值电压下降

基于电荷分享原理,推导了双栅和环栅MOSFET短沟效应引起的阈值电压下降,分析了衬底掺杂浓度、栅氧化层厚度及硅膜厚度等因素对阈值电压下降的影响,并用数值模拟验证了理论结果.这些研究结果对进一步开展纳米CMOS新器件的研究有很好的参考价值和实际意义.     

三栅MOSFET阈值电压模型

根据三栅(TG)MOSFET二维数值模拟的结果,分析了TG MOSFET中的电势分布,得出了在硅体与掩埋层接触面的中心线上的电势随栅压变化的关系;通过数学推导,给出了基于物理模型的阈值电压的解析表达式;并由此讨论了多晶硅栅掺杂浓度、硅体中掺杂浓度、硅体的宽度和高度以及栅氧化层厚度对阈值电压的影响;得出在TG MOSFET器件的阈值电压设计时,应主要考虑多晶硅栅掺杂浓度、硅体中掺杂浓度和硅体的宽度等参数的结论。     

槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型

给出了槽栅MOSFET的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律.分析和对比结果显示,该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性,是一个较为理想的解析模型     

槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型

给出了槽栅MOSFET的阈值电压解析模型,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律.分析和对比结果显示,该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性,是一个较为理想的解析模型.     

双栅肖特基源漏MOSFET的阈值电压模型

通过求解泊松方程得到了双栅肖特基势垒MOSFET的解析模型. 这个解析模型包括整个沟道的准二维电势分布和适用于短沟双栅肖特基势垒MOSFET的阈值电压模型.数值模拟器ISE DESSIS验证了模型结果.     

双栅无结晶体管阈值电压模型

无结晶体管是近年来纳米SOI MOS器件领域的研究热点,相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管,基于二维泊松方程,建立了电势分布解析模型。根据该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件MEDICI,探讨了栅压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响。该模型简单且与仿真结果吻合良好。     

一种集成RC吸收器的低EMI分离栅VDMOS

为满足高速、高集成度和低EMI的要求,提出了一种分离栅VDMOS器件。通过在JFET区集成梳状MOS电容、漂移区电阻,构成内部集成RC吸收器,减小了器件关断过程中漏端电压斜率dV_ds/dt和电流斜率dI_d/dt。仿真结果表明,相比于常规VDMOS,该VDMOS的漏端过冲电压从535 V降低到283 V,抖动频率从42 MHz降低到33 MHz,抖动持续时间从65 ns缩短到30 ns。     

基于阈值电压漂移的VDMOS寿命评价

随着DC/DC电源的快速发展,作为其中的开关管,VDMOS器件的可靠性一直受到关注.基于VDMOS阈值电压漂移的失效机理研究,对DC/DC电源上的VDMOS器件进行寿命评价;在135 ℃、150 ℃和165 ℃三种温度下进行加速老化试验,以阈值漂移量20 mV为失效判据,利用Arrhenius模型对试验结果进行分析,得到其失效激活能为1.18 eV,推算出其工作状态下的中位寿命特征值为4.0×105 h.分析认为,引起阈值电压漂移的原因主要是界面态电荷的积累.     

低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计

介绍VDMOS阈值电压的定量计算及氧化层厚度对他的影响,及VDMOS的氧化层厚度与特征电阻RONA的关系,讨论了栅氧化层的厚度对特征电阻的影响并进行了简单计算。此外,讨论了最新的VDMOS结构和制造技术,对器件阈值与特征电阻进行了优化。     

热测量中误差的影响因素分析

根据热辐射理论和红外热成像仪的测温原理,系统分析了各种因素对红外热成像仪测温的影响,并根据被测物体表面的发射率、吸收率、大气透射率、环境温度和大气温度本身及其误差对测温误差影响的理论计算公式,分析了各种误差对测温误差的影响程度,并讨论了减小误差的对策.     

Error Analysis of Surface Temperature Measurement by Infrared Sensor

The general mathematical model for the surface temperature measurement based on infrared radiation is proposed. Measurement error function is derived and analyzed. The results of analyze are presented and conditions of measurement for better measurement accuracy are determined.     

射频大功率测量误差分析

通过对射频测量误差,尤其是在大功率条件下的测量误差进行了深入研究。从理论上详细分析了由于功率源和负载间失配而引起误差的机理,并通过实例对大功率条件下使用衰减器和定向耦合器两种测量方法引起的误差进行分析对比,结果表明:选择端口驻波小的器件和简化测试系统可以有效地降低测量误差,同时要求在工程设计时要尽可能减小输出驻波。     

应变测量系统误差分析

电阻应变式传感器在实际工程中应用较广。介绍影响电阻应变式传感器精度的一些因素,并对其在实际应用中可能出现的问题进行全面细致的分析。分析电测试验中应变片粘贴质量、非线性及导线长度、温度、不同组桥方式对测试结果所产生的影响,修正了导线电阻引起的误差,大大提高了测量精度,得出了应变电测试试验中减小误差的方法。     

应答着陆系统测角误差分析

应答着陆系统(Transponder Landing System,TLS)是一种基于应答机的精密进近着陆引导系统,采用相位干涉仪测角原理获得飞机的方位和仰角信息。从应答着陆系统的基本测角原理入手,分析了该系统的测角精度和误差来源。重点分析了因接收通道不平衡和多基线干涉仪测角的相位模糊引起的相位误差,并针对各自的特点提出了消除接收通道失衡和噪扰条件下解相位模糊的办法。通过计算机仿真验证了理论分析的正确性。     

捷联惯性测高误差分析

在一些不能采用气压高度表或卫星、雷达信号实时测高的特殊且飞行时间很短的场合，利用惯性测量单元进行高度实时测量成为一种主要手段。鉴于惯性测高的发散性，对惯性器件和初始对准信息的精度有严格要求。本文从惯性测高原理及其发散性出发，建立了计算捷联惯性测高的误差方程，结合某载体再入轨道参数。对影响捷联惯性测高误差的各因素对测高误差造成的影响进行了估计，为惯性器件的选型和初始对准参数的给定提供了依据。     

距离波门拖引干扰对目标航迹起始的影响机理

距离波门拖引干扰会影响数据处理中目标的航迹起始,分析其拖引速度的设置可以为干扰敌方距离跟踪系统提供理论依据.先给出了这种干扰下的雷达系统的数学模型,分析了航迹起始算法中涉及的初始相关波门、后续相关波门以及干扰对航迹起始的影响机理,详细推导了影响过程,总结了要取得有效的干扰,拖引速度需满足的条件及其相关的因素.最后对这种干扰下的航迹起始进行了仿真,拖引速度的不同会使得干扰对目标的航迹起始有不同的影响,与理论分析结果相符合.