管式镀膜工艺对太阳电池并联电阻的影响

主要研究不同沉积方式下并联电阻的差异,同时对管式镀膜工艺在不同工艺条件下并联电阻的变化关系进行研究。研究表明,影响并联电阻的主要因素为温度、氮硅比,并联电阻随温度的降低而不断升高,随温度的升高而降低;且其随氮硅比的增加而上升,随氮硅比的减少而下降。     

a-Si:H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的模拟优化

通过AFORS-HET软件模拟了TCO/a-Si:H(p)/a-Si:H(i)/c-Si(n)/a-Si:H(i)/a-Si:H(n)/Ag结构的硅异质结电池中硅衬底电阻率、本征非晶硅薄膜厚度、发射极材料特性以及TCO功函数对电池性能的影响。结果表明:在其它参数不变的条件下,硅衬底电阻率越低,转换效率越高;发射极非晶硅薄膜厚度对短路电流有较大影响,发射极掺杂浓度低于7.0×10¹⁹cm^-3时,电池各项性能参数都极差;TCO薄膜功函数应大于5.2 eV,以保证载流子的输运收集。     

太阳电池模型参数对并联组件输出特性的影响

根据太阳电池I-V方程和基本电路联接理论,推导出选择具有相同最大功率点电压V_m的单体太阳电池组成并联组件可以获得最大输出功率;分别计算出二极管理想因子A,短路电流I_(sc),反向饱和电流I_o,电池串联内阻R_s对最大功率点电压V_m和组件失配损失的影响,确定出对它们影响最大的模型参数是二极管理想因子A。     

太阳电池内部电阻对其输出特性影响的仿真

通过对太阳电池的等效电路进行分析,建立了太阳电池的计算机仿真模型,定量地模拟了在一定光照下太阳电池内部的等效并联电阻及串联电阻对其伏安特性、开路电压、短路电流及填充因子的影响的程度。仿真结果表明：等效并联电阻产生的漏电流会影响太阳电池的反向特性和正向小偏压特性,且并联电阻影响其开路电压,但对短路电流基本没有影响；等效串联电阻会影响太阳电池的正向伏安特性和短路电流,而对开路电压没有影响；另外,并联电阻的减小和串联电阻的增大都会使太阳电池的填充因子和光电转换效率降低。仿真结果与实际测量的数据取得了相一致的结论。     

SnO_2／p接触特性对a－Si太阳电池填充因子的影响

用ＰＥＣＶＤ方法制备出高电导率（～０．２ｓｃｍ－１）、宽带隙（～２．２ｅＶ）的Ｐ型微晶化硅碳合金（ｐ－μｃ－ＳｉＣ：Ｈ）薄膜材料。利用ｐ－μＣ－ＳｉＣ：Ｈ／ｐ－ａ－Ｓｉ：Ｈ复合结构做ａ－Ｓｉ太阳电池的窗口材料，明显改善了ＳｎＯ２／ｐ之间的接触特性，从而使１０ｃｍ×１０ｃｍ单结集成型电池的填充因子从０．７０以下提高到０．７２。     

电感和电阻对DC-ERTG母线电压的影响

保持直流母线电压的稳定是确保DC-ERTG正常工作的前提。通过实验测试了直流母线的电感和电阻对母线电压的影响,并对一个实际DC-ERTG系统进行了仿真,结果可供类似系统的设计参考。     

电容效应对高效太阳电池电流-电压特性测试的影响及解决方法

随着太阳电池制造技术的不断进步，市场上出现了一批电容远大于常规电池的高效太阳电池，传统的窄脉冲单闪测试仪已经不能适应这些电池的测试要求。通过实验和模拟研究了电容效应对该类电池测试的影响，并提出了较好的解决方法。     

沉积温度和激光刻线功率对a-Si材料H含量及电池组件效率的影响

系统研究了非晶硅本征层的沉积温度和激光刻线功率对薄膜电池组件性能的影响。各非晶硅薄膜(P层、I层和N层)采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备。I层的光学带隙随着沉积温度的升高而降低,同时也引起电池转换效率的变化。采用傅里叶红外分析检测I层的H含量及键合方式,H含量及键合方式的变化是引起光学带隙变化的根本原因。激光刻线的形貌采用光学显微镜作微观分析,而采用不同激光功率刻线后,薄膜电池的性能也有所差异,结果显示7.5μJ是最合适的功率。     

单晶硅太阳电池扩散薄层电阻和SiNx薄膜对电池短波响应的影响

分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiN薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从理论上分析了随着薄层电阻的增大和采用低频(40 kHz)的PECVD沉积SiNx,薄膜,短波响应得到提高的原因.光谱响应峰值随着薄层电阻的增大逐渐向短波方向移动.     

磷掺杂对a-Si的吸收系数及隙态的影响

本文从磷掺杂对价带顶上隙态和导带带尾分布的影响,讨论了掺杂对非晶硅隙态的影响。轻掺杂使带隙深处态密度增加;重掺杂还加宽了价带带尾。掺杂对导带带尾影响不明显,掺杂造成光隙的减少是由于价带带尾单方面变动造成的。     

空隙率变化及填充床表面下沉对阴燃烧传播的影响

假定阴燃过程中,活性物,焦炭和灰三种物质的密度是恒定的,但它们各自占固体质量的份额随阴燃而改变,确定了阴燃过程固体颗粒的体积收缩速率及填充空隙率变化数学模型,对上方具有空气掠过的水平纤维质填充床,从点火到稳态传播的阴燃过程进行了模拟计算。计算结果表明,空隙率随阴燃过程增大,从而加快了阴燃传播速度,提高了其峰值温度,水平填充床表现上深所引起的固－固辐射换热在阴燃模拟计算中则可以忽略不计。     

存贮气氛对Cu_2S/CdS太阳电池性能变化的影响

Cu_2S/CdS太阳电池的性能衰退快,寿命短。一般认为是Cu_2S的电化学分解、氧和水汽的氧化造成的。显然,这两种因素都会使电池性能单调下降。但是,我们在观察电池性能衰退的情况时发现:Cu_2S/CdS电池的性能变化并非单调下降的,在某些情况下会呈现性能上升现象。下面是我们的实验结果及简单分析。     

二次丝印对硅电池填充因子和转换效率的影响

考虑到在印刷过程中存在栅线展宽效应,通过理论与实验分析一次印刷和二次叠印过程中栅线展宽对栅极线宽和线高的限制和导致电池片的电极电阻和填充因子的变化,建立栅极电阻和填充因子理论模型。研究表明,丝网二次叠印电池片的填充因子比丝网一次印刷的填充因子小1%,但其短路电流密度比一次印刷高0.33 mA/cm2,开路电压比一次印刷高1.1 mV,最终晶体硅太阳电池片的转换效率比一次印刷提高0.391%。提出采用设计印刷线宽消除因叠印栅线展宽而产生的填充因子减小,以获得更高的硅太阳电池转换效率,并建立实际印刷线宽半经验模型。     

PID效应对太阳电池漏电流及发热的影响

针对受PID效应影响程度不同的太阳电池,通过对应的测试方法,寻找太阳电池受PID效应影响程度与漏电流及发热之间的关系,并指出了PID效应对组件的危害及应对措施。     

适用于太阳电池的nc-Si:H薄膜及 nc-Si/c-Si异质结的研究

该文介绍了使用改进的PECVD薄膜沉积设备,制备出掺杂氢化纳米硅(nc-SiH)薄膜,并在此基础上制备了纳米硅/晶体硅(nc-Si/c-Si)异质结;研究了其光学和电学特性.实验表明nc-Si/c-Si异质结具有良好的光电转换性能和稳定性,适用于制造太阳电池.     

相变潜热随温度变化对固-液相变过程的影响

对相变潜热随温度变化的变温固液相变过程进行了数值分析计算，重点分析了相变潜热随温度变化对相变过程的影响。结果表明，对于相变潜热随温度变化的相变过程，其主要影响因素仍然是Stefan数、相对导热系数、相对热扩散系数、相变温度宽度等基本无量纲数。尽管相变潜热随温度的变化会对相变过程造成一定的影响，但如果用相变温度范围内的平均潜热代替实际相变且视为常数，则可以较好地近似实际相变过程：由此不会给预测融化所需要的总时间带来明显的误差，而对温度分布的影响也很小，主要集中在液固过渡区内。     

翼型凹变随风向变化对风机低阶振频及动态应变的影响研究

针对风力驱动机械装置的叶片失速问题,文章通过将翼型向内侧凹变的被动控制方式应用到某小型水平轴风力机叶片吸力面,发现在80%弦长处实施长度为350 mm凹变形式的叶片,可在风机旋转轴心与来流风向偏差30°范围内对风轮做功能力有一定提升作用。在此基础上,在来流方向发生偏斜的情况下,文章对低频下易触发的圆盘振动和轴向窜动的结构动态响应两种振动形式的振频和动态应变的变化特征进行了细致分析。     

PEDOT:PSS对PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池性能影响的研究

聚合物poly(3,4-ethylenedioxythiophene):polystyrene sulfonate(PEDOT:PSS)是一种具有高电导率和良好透过性的p型半导体材料。PEDOT:PSS/Si杂化太阳电池由于具有较低的工艺温度,且工艺简单而具有一定的前景。在这种杂化太阳电池结构中,PEDOT:PSS的光学、电学性质对器件性能有重要影响。分别从PEDOT:PSS退火工艺、溶液二次掺杂(二甲基亚砜)的含量以及PEDOT:PSS薄膜厚度3个方面对薄膜的光、电特性以及器件性能的影响进行研究,并优化相关工艺。根据这些优化的参数,最终得到6.63%的太阳电池转化效率(太阳电池面积为2.25 cm²)。