JTE结的二维电场分析

本文借助于根据结终端技术的解析理论开发的分析程序ANAPI,对单区与多区JTE进行了场分析及优化设计,给出了具有JTE结构的pn结沿冶金结和沿表面的二维电场分布,并用国际上通行的PISCES-Ⅱ程序进行了验证。实验发现:在浅结情形下,优化的三区JTE结也能达到理想击穿的91％,近似优化VLD的效果。     

场限环电场分布的有限元分析

矩形场限环在器件反偏时的最大电场总是集中于四角，因而求解柱坐标下极角α不变的泊松方程可使场限环三维电场分布的讨论大为简化．在此基础上用有限元法对三场环结构的电场分布进行模拟，并对结构参数进行了优化分析．环电位随外加电压而变化的模拟结果与实验结果相吻合，表明了简化模型和分析方法的正确性和实用性．     

用EBIC法观察InSb半导体器件中的p-n结

能够直观地\     

亚微米GaAs MESFET二维数值模拟

本文用计入热电子效应的动量能量守恒模型讨论了亚微米GaAs MESFET二维数值模拟。为了减少计算量进行了模型简化和算法选择。文中给出并分析了三种典型器件的模用范果,根据模拟结果,研究了小尺寸器件中的速度过冲效应并得出常规的漂移扩散模型的适拟结围。     

基于Matlab的电场有限元数值计算分析

有限元法是对电磁场进行数值求解的重要方法,也是本科电磁场课程的教学内容之一.论文结合本科教材阐述了对电场进行有限元计算时的数学模型和算法原理,介绍了Matlab软件基本的矩阵处理编程方式和电场场域有限元分析的算法框图.进而联系教材中一个电器的电场电位分布计算实例,在Matlab环境下进行有限元计算编程的实现.数值解与解析解的比较结果表明Matlab应用在对电磁场进行有限元计算所具备的合理性与简易性.本文对本科教学中帮助学生理解电磁场的数值计算及其编程实现有一定的参考意义.     

基于结模型的极化石英玻璃内建电场分析

用多载流子模型分析玻璃的热极化过程及其内部耗尽层的形成,极化电场的作用使载流子在玻璃内的迁移及由外界的注入最终形成交替的电荷分布,形成类似两个相向p-n结的结构。针对几种典型的p-n结电荷分布形式,计算了相应内建电场及二阶非线性极化率,极化完成后产生的宏观非线性效应主要由钠离子耗尽形成的突变结电场(~3′109V/m)决定,二阶非线性极化率的数值在0.2~1.2pm/V之间,耗尽区分布在阳极表面下25mm的范围。     

半导体器件Poisson方程数值解法的比较及改进

本文对半导体器件物理计算机模拟中非线性Poiccon方程的主要数值法——有限差分、有限元Newton法及Mayergoyz法进行了比较.计算结果表明Mayergoyz法具有编程简单、节省计算机贮存单元及收敛性好的优点,但运算速度随离散点增加而显著变慢.本研究将该法和SOR法结合起来,克服了上述缺点.     

半导体器件的预辐射技术

本文介绍一种半导体器件预辐射技术,这种技术可将半导体器件的辐射损伤消除,使器件的性能参数恢复到辐射前的水平。这种技术被应用于半导体器件加固保证的筛选和被辐射器件性能衰降的精确预测,是加固半导体器件研制生产中的一种早期技术,但目前也有现实意义。     

半导体器件的发展动态

本文首先对国内半导体分立器件和半导体集成电路的质量水平做了估价,接着进行了国内半导体器件市场分析,讨论了器件销售所面临的困难和造成困难的原因,探讨了器件生产厂家的出路和发展方向,并对国产器件所存在的问题做了评述。文中还对半导体器件引进生产线情况做了介绍。本文在概述了分立器件的发展方向之后,重点阐述国内半导体集成电路的发展动态(我国IC工业发展现状、国内生产IC的主要品种、“七五”期间IC工业的发展及ASIC),并对国外IC发展动态做了扼要说明。     

半导体器件模拟技术的研究

主要介绍了半导体器件模拟中常用的HD模型与DD模型和三角网格划分的常用算法。以泊松方程为例，简要说明了如何在三角网络上离散化方程。同时，介绍了几种求解非线形方程组常用的数值方法。     

电场强度的三维数值计算

本文讨论了电子光学系统计算机辅助设计中涉及的电场强度的三维数值计算问题，给出了一套数值计算公式；同时编程计算了特定电位分布下的电场强度。结果表明，此方法的精度较高，符合实际需求。     

由等价掺杂转换理论得到非对称线性缓变P-N结的击穿特性

基于等价掺杂转换理论的应用,得到了解析计算非对称线性缓变P-N结击穿特性.由于非对称线性缓变P-N结是单扩散P-N结的一个恰当近似,因而,研究其击穿特性可以更好地理解和设计功率器件P-N结的终端结构.运用等价掺杂转换方法的基本理论得到了不同扩散掺杂梯度和衬底浓度组合系列的击穿电压.研究了最大耗尽层宽度在扩散侧和衬底侧的扩展,给出了它们随扩散掺杂梯度和衬底浓度组合的变化而出现的不同特点.本方法预言的最大击穿电压较之单纯的突变结和对称线性缓变P-N结更接近文献报道的结果,显示了等价掺杂转换理论的理论计算非对称线性缓变P-N结击穿电压的有效性.     

半导体器件可靠性试验的计算机控制

介绍了半导体器件可靠性试验自动控制过程，详细探讨了系统控制原理和软件设计思想，给出了主要程序框图及测试实例，说明了该自动控制测试方法的可行性和正确性。     

激光表面熔凝温度场的二维数值模型

建立了激光表面快速熔凝条件下温度场的二维数值模型,并利用有限差分法对Cu-Mn合金在激光表面快速熔凝条件下的温度场进行了计算。计算结果表明该模型能准确描述激光表面快速凝固条件下熔池的温度场信息,而且在保证计算精度的条件下简化了计算(相对于三维)。计算结果与实验结果相吻合。     

平面高反压器件的两维数值模拟

本文报告了用有限差分法解两维泊松方程的方法分析带有场限制环的平面高反压器件的耐压性能的模拟程序。介绍了程序的算法及原理。程序是用FORTRAN语言编写,并在VAX11/750机上实现。文中还举例说明了利用此程序分析平面高反压器件所得到的新结果在器件的优化设计及实际生产中的重要意义。     

SiC器件与电路的若干关键技术

SiC器件可以稳定工作于高温、高频、强辐射条件下的能力已经得到证实。在许多应用领域和系统中,SiC已经成为进一步提高性能的理想材料。但是,在SiC器件及其电路的数量按比例增长并被融入电子系统之前,晶体生长和器件制造等技术必须得到进一步的发展。文章报道了SiC技术的最新进展情况。     

平面结场板结构表面场分布的二维解析

提出了基于二维泊松方程解的平面结场板结构的二维表面电场解析物理模型 .在该模型基础上 ,分析了衬底掺杂浓度、场板厚度和长度对二维表面场分布的影响 .解析预言的场分布与击穿电压的计算结果与先前的数值分析基本符合 .该模型为场板结构的优化设计提供了理论基础