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[例一]机型:TK-708故障现象能收不能发分析检修按发射键,电源电流只有1A左右,功率无输出。一般情况下,车载对讲机的发射电路主要由话筒放大及调制电路、功率放大驱动电路、自动功率控制电路及功率放大器电路组成。由于按发射键,电流只有1A左右,基本上可... 相似文献
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故障现象开机后机器面板显示正常,接收信号灵敏度良好,发射时发射指示灯亮,但是发射距离只有50m左右,通话功能及DTMF编解码功能正常。分析检修根据故障现象分析,故障可能出现在射频功率放大电路部分。因接收灵敏度正常,所以可以判断天线接口部分正常。在没有功率计的情况下,可将万用表置于交流电压挡,用1根表笔接天线中心端,按发射键,看是否有交流电压输出(因发射频率较高,万用表的显示应很大),如没有,说明射频功率放大器有故障。也可以用电流表测试发射状态下的整机电流,正常时应大于500mA,如小于200mA,说明射频功率… 相似文献
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<正> 本设计主要由功率放大器、信号变换电路、输出功率显示电路和保护电路组成。功率放大器部分采用D类功率放大器确保高效率,在5V供电情况下输出功率大于1W,且输出波形无明显失真,低频输出噪声电压很低(输出频率为20kHz以下时,低频噪声电压约1mV);信号变换部分采用差分放大电路,将双端输出信号变为1:1的单端输出信号;输出功率显示部分用乘法器电路及带A/D转换的电压表头显示功率值,电路简单合理;保护电路部分采用电流互感器监控,实现输出短路保护。 题目分析及设计方案论证与比较 根据题目要求,整个系统由D类功率放大器、信号转换电路及功率测量显示装置组成。系统组成如图1所示。 相似文献
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针对传统甲类功率放大器电路复杂、电路稳定性较差的缺点,设计开发了一种新的基于全对称互补差分放大电路的甲类功率放大器。该放大器采用MLE20/MJD20绝缘栅型场效应管作为电流放大管,通过对差分输入级、电压放大级、功率输出级中各元件参数的合理设计,降低了功率放大器的输出内阻,提高了电路的驱动能力及电路的稳定性。 相似文献
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作为步进电机的驱动电源,以往大多采用分立元器件构成。功耗大,效率低,体积大而笨重。随着电子技术和集成电路技术的不断发展,后来采用了集成环形脉冲分配器 CH250,但 CH250的负载能力极小(≤1mA),仍不能直接驱动大功率负载(例如步进电机),还需采用多级晶体管作为功率推动电路,因而电路的功耗、体积仍未得到多大的改善。近几年来,功率集成电路有了很大的发展,这就给功率驱动电路的改善提供了条件。目前电子市场上的新秀——TWH8751功率集成电路,就是一个新型的高压、大电流开关电路。它具有工作频率高(可达1.5MHz),开关特性好,控制功率大(加散热器可达3A),内有自动保护,具有选通(ST)功能,使用简便等特点,是一个较为理想的大功率放大器件。 相似文献
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《家庭影院技术》2015,(4)
ESOTERIC日前宣布推出全新的Grandioso S1旗舰级立体声后级,这款功率放大器延续了M1单声道后级的设计理念,装载强大的电源系统,全平衡放大技术提供150W/8Ω或600W/2Ω的立体声功率输出。Grandioso S1从电源部分开始就已经采用双单声道的设计,一台机内左右两个声道从电源系统到输入、放大电路、输出等都是各自完全独立,以完全隔离左右声道之间的微弱信号干扰,同时左右声道的全部元件都会做精细配对才安装,以实现更佳的一致性。Grandioso S1采用线性扩增功率晶体管,功率放大器模块为5组并联推挽双极LAPT元件和三级达林顿配置,具有优良的高频特性和良好的驱动能力;采用了独特的LIDSC(低阻抗驱动级耦合)电路以增加电流供给容量,功率放大连续输出电流为17A,瞬间电流达34A;阻尼系数达到1000,提供良好的低音驱动能力,拥有优越的喇叭驾御驱动能力。 相似文献
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LM386在小功率主动声呐发射及接收电路中的应用 总被引:2,自引:1,他引:1
介绍了集成功率放大器LM386在小功率主动声呐发射电路和接收电路中的应用。研究的发射电路和接收电路简单、操作方便,可以用来检测小功率主动声呐中心频移、定位及为小功率主动声呐信号处理提供简易的信号源。 相似文献
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《固体电子学研究与进展》2017,(4)
采用SiGe BiCMOS工艺设计了一款大功率高效率硅基功率放大器芯片,用于驱动现有大功率GaN功率放大器芯片,满足相控阵雷达的低成本需求。该硅基功率放大器通过和低噪声放大器、驱动放大器、数控移相器、数控衰减器、单刀双掷开关、电源管理以及数字逻辑单元等硅基电路进一步集成,实现了一片式高集成度硅基幅相多功能芯片,从而降低了前端收发组件的尺寸和成本。在硅基功率放大器设计中,结合Stack结构、变压器耦合结构和有源偏置结构,开展电路设计及优化,提高了放大器的输出功率和效率。测试结果表明:研制的硅基功率放大器在Ku波段f_1~f_2(3GHz带宽)频带内,实现了小信号增益31dB;在-3dBm输入功率条件下,实现发射功率21.5dBm、功率附加效率(PAE)25%等技术指标。集成功率放大器的幅相多功能芯片在f_1~f_2(3GHz带宽)频带内,实现了发射通道增益24dB;在5dBm输入功率条件下发射功率21.5dBm、功率附加效率(PAE)23%等技术指标。 相似文献
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为实现30 W连续掺Yb光纤激光器,设计一种大功率(10 A)半导体激光器(LD)的驱动电路,该恒流源电路采用功率场效应管作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流,正向电流0 A~10 A连续可调,纹波峰值为10 mV,输出电流的短期稳定度达到1×10-5,具有过流保护、防浪涌冲击的功能。实际应用在30 W连续掺Yb光纤激光器中,结果表明该驱动电路工作安全可靠。 相似文献
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基于GaAs单片微波集成电路(MMIC)工艺设计并制备了一款宽带射频前端多功能电路芯片,其包含功率放大器、限幅低噪声放大器(LNA)和收发开关.功率放大器采用平衡式结构同时选择合适的匹配网络实现宽带匹配;限幅器第一级采用功分结构提高耐功率能力;LNA前三级采用电流复用拓扑结构实现低功耗,最后一级采用自偏置结构增加动态范围;天线端的开关具有较高的功率容量,保证信号经过开关后不会压缩而导致发射支路输出功率不足.测试结果显示,电路在6~ 18 GHz频带内,接收支路噪声系数典型值为3.7 dB,增益约为27 dB,1 dB压缩点输出功率典型值大于7 dBm,功耗约为140 mW,能耐受1W的连续波输入功率;发射支路饱和输出功率大于30 dBm,功率附加效率典型值为26%. 相似文献
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电流型D类功率放大器与传统电压型D类功率放大器相比,能够消除由非线性寄生电容所带来的功率损耗,因而取得更高的效率和适用于更高的频率段。在L频段实验仿真设计电流型D类放大器的电路并对其电路进行性能分析,最后实现了在1GHz频率点电流型D类功放电路,采用LDMOS场效应管,实际合成输出功率为8.3W,功率增益为14.2dB,漏极效率可达64.8%。 相似文献
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提出了一种全新的电调Doherty移动基站功率放大器。该Doherty放大器的载波放大器和峰值放大器的驱动功率分配比及输出合成相位实现了电可调,从而保证了Doherty功率放大器的最佳驱动功率分配比,以及最佳的输出合成相位,同时结合内部线性化技术以实现Doherty功率放大器的最优性能。为保证功率放大器性能的稳定,设计了一种用于Doherty功率放大器的恒静态偏置电路,在-25℃~+50℃的高低温实验中使放大器偏置电流的波动小于5%。功放的工作频率为870~890MHz,增益大于58dB。在CDMA2000信号测试下,输出功率为50.06dBm时,其ACLR(邻道泄漏功率比)小于-47.5dBc,整机效率达42.3%(含驱动级)。 相似文献
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由于MOSFET栅源极和栅漏极间存在着寄生电容,也即Cgs和Crss(统称为输入电容Ciss),而且呈现非线性特性,它的存在在高频时会影响到功率放大器的驱动电路的性能。因此,文中构建了包含输入电容的功率放大器的电路模型,并以ARF461A射频功率MOSFET为例,分析了输入电容Ciss对射频功率放大电路的驱动电路设计的影响。实验结果和理论分析保持了很好的一致性。理论分析和实验均表明,在射频MOSFET功率放大器的设计中,充分考虑输入电容Ciss的影响,可以提高驱动电路的驱动能力和放大器的性能。 相似文献
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本文针对无线通信应用的InGaP/GaAs HBT射频功率放大器,提出一种新型的在片温度补偿电路。该温度补偿电路由一个GaAs HBT和五个阻值大小不同的电阻组成,结构简单,可实现性强。通过调整偏置电路中参考电压的方法调节功率放大器静态偏置电流,有效地实现补偿功率放大器功率增益和输出功率随温度变化的特性,优化了射频功率放大器的热特性,性能随温度只有略微的退化。将该温度补偿电路置入一个无线通信应用的三级单片集成功率放大器,温度在-20℃到+80℃范围内变化时,增益随温度变化的变化量从4.3dB提高到只有1.1dB。 相似文献
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设计了一种基于A/D和D/A相互转换的音频功率放大器.A/D转换后的数字音频信号经电平匹配和隔离驱动后,控制功率D/A转换电路进行音频还原和功率放大.当转换位数足够时,能基本不失真地还原音频信号.对功率D/A转换输出的阶梯波进行逐级分析,得出开关器件工作频率、器件通态损耗和开关损耗的计算式.利用多级自举方法,减少了驱动电源数目.实验结果表明,这是一种效率较高的音频功率放大器. 相似文献