俄歇电子能谱表面定量分析

本文叙述了表面定量俄歇分析的一些方法:(1)多元素标样法,(2)纯元素标样法,(3)灵敏度因子法。给出了利用JAMP-10型俄歇电子谱仪进行定量分析(包括深度定量分析)的一些结果。     

铝金属化的俄歇电子能谱分析

用俄歇电子谱仪(AES)研究了Al/Si、Al/poly-si和Al-Si/Si结构的Al金属片中Si的溶解和扩散现象。同时还研究了Al-Si界面区的冶金学状态。结果表明:Al-Si界面宽常不均匀,局部扩散和溶解现象严重。用AES深度分布分析技术测量了Al-Si界面宽和Al向Si和多晶硅中的扩散深度。 AES分析结果表明:Al-Si界面区是由富Al的Al-Si合金和富Si的Si-A1合金两相组成。     

俄歇电子能谱分析方法及其应用

国内从1980年开始引进了多台俄歇电子能谱分析仪器。为了让从事电子材料及元器件科研和生产方面的科技人员了解这种分析方法的工作原理、仪器结构和具体应用,在工作中及时地应用这种方法,本文拟就上述几个方面作一些简要的介绍。     

超晶格材料的俄歇电子能谱分析

本文是以Cu/Nb系金属超晶格材料和Si/SiN系半导体超晶格材料作为俄歇电子能谱进行超晶格材料多层结构分析的初次入门,并获得了两种材料深度剖析结果,且观察到Si/SiN半导体超晶格材料的二次电子吸收电流像。     

俄歇电子能谱中的化学信息

本文首先介绍了固体表面化学结构对俄歇电子的影响。然后,对去卷积技术在俄歇电子能谱中的应用作了讨论,认为采用这种技术对变形的能谱进行修正后,就可以用来分析固体表面的化学信息。     

GaAs表面处理及其椭圆偏振仪、俄歇电子能谱与X-光电子谱的特性测定

用椭圆偏振仪、俄歇电子能谱仪(AES)和X-光电子谱仪(XPS)等对经pH=7±0.05的H_2O_2-NH_40H溶液化学腐蚀或用NH_4OH:H_20=1:10和HCl:H_2O=1:1进行清洗后的GaAs表面残余氧化层厚度、折射率、纵向组分分布和Ga(3d)与As(3d)结合能变化等进行测定.三者实验结果对应很好.化学腐蚀后的GaAs表面有一层氧化物层,然后是氧化物与GaAs混合的过渡层,直至GaAs衬底.从NH_4OH:H_2O=1:10清洗后GaAs表面残余氧化层厚度,表面C吸附量和Ga/As的波动看,它均比用HCl:H_2O=1:1清洗为优,故用它作为GaAs在化学腐蚀后的清洗是可取的.     

俄歇电子能谱的数据分析系统和设计考虑

本文介绍一种由微机控制、操作简便的俄歇电子能谱(AES)数据分析系统,及其设计考虑。谱图既可直接显示,也可打印输出,从而把成本降到最低限度。此外,软件全部采用FORTRAN语言和汇编语言混合编程,不仅提高了速度,也提供了各种强有力的图形功能。     

GaAs/(AlGaAs)双异质结激光二极管P面电极的俄歇电子能谱分析

俄歇电子能谱广泛地应用于科学研究。本文叙述了用俄歇电子能谱来分析GaAs/(AlGaAs)DH LD P面电极的情况,对没有热合金和经过在高真空中450℃合金5分钟的两种样品进行了分析,得到与国外同行类似的测试结果。木文的分析结果表明,由于热合金而出现了很强的氧峰,大约为没有热合金样品的五倍,并使Au、Cr进入GaAs之中,而没有热合金的Cr—Au电极样品就没有这些不良因素;由此本文提出热合金的Cr-Au电极对GaAs/(AlGaAs)DH LD的发光性能是不利的,有必要进行改进。本文还根据金属-半导体接触的原理,根据几种电极材料比接触电阻值与半导体载流子浓度的关系曲线,认为GaAs/(AlGa)As DH LD P面电极不采用热合金工艺也可以获得小的、适合器件要求的接触电阻。     

俄歇电子能谱及其在半导体中的应用

一 引言 俄歇电子能谱(AES)是通过测定由电子束激发产生的俄歇电子的特征能量进行元素分析的一种固体表面薄层分析技术。近年来,发展非常迅速。它可以进行固体表面元素的点分析、线分析和二维分布的分析,如果配以离子腐蚀装置还可以进行元素的三线分布分析。由于它充分利用了固体表面激发出的各种可测信息,除俄歇电子外,尚有反射电子、二次电子、吸收电流等,不仅能用俄歇电子能谱进行     

采用俄歇电子能谱技术分析铂化硅的合金行为

采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果.     

氧化物阴极激活过程的俄歇能谱分析

本文介绍了一种实验室用的俄歇电子能谱分析装置。利用该装置对氧化物阴极及其活性镍基金属进行了分析研究,观察到激活前后Ba、Sr原子浓度比有明显变化,这种变化与活性Ni中激活剂向表面富集有关。激活好的氧化物阴极表面BaO多于SrO,而且有盈余Ba存在。     

Monte Carlo方法计算定量俄歇电子能谱分析中的背散射因子

本文通过Monte Carlo方法模拟计算了定量俄歇电子能谱分析（如对Ni的LVV俄歇电子和Pt的M5N67N67俄歇电子）中的背散射因子。由于计算中结合了相关领域的各种最新进展．因此该新计算可以为定量俄歇电子能谱分析提供更为准确的参数。     

液相外延生长的Al_xGa_(1-x)As/GaAs异质结构的俄歇电子能谱

采用俄歇电子能谱仪(AES)对液相外延生长的GaAs-AlxGa_(1-x)As异质结构进行了研究.结果表明,在异质结界面处,有一过渡层,其组分由异质结的一边向另一边单调地变化,该层的厚度依赖于溶液的饱和度.还对样品表面的沾污情况进行了观测.     

铝合金硬质阳极氧化的能谱分析

本文对铝合金硬质阳极氧化膜进行了俄歇电子能谱和Ｘ光电子能谱分析，对膜层表面的耐磨耐腐蚀性能作了微观机理分析，其分析结果对铝合金硬质阳极氧化工艺的完善具有一定的参考价值。     

俄歇电子谱的定量分析

俄歇电子谱定量分析的通常方法的准确度为±30%。为了提高准确度,用蒙特卡洛法计算电子背散射因子R,并将此因子用于定量分析。最后举了一个简单的例子说明新方法的应用。     

用俄歇电子谱仪和X射线光电子谱仪研究氧化物阴极

本文用俄歇电子谱仪和X射线光电子谱仪研究了氧化物阴极在分解激活过程中表面、基底和涂层交界面的化学成分、化学态以及基底中的激活剂对涂层的作用。获得的实验结果表明,在激活过程中,阴极表面诸成分的原子浓度百分比发生了明显变化,产生了超额Ba。基底中的激活剂Mg对超额Ba的产生起重要作用。充分激活的阴极表面层是由(Ba,Sr,Ca)O和超额Ba构成的。超额Ba是电子发射的源泉。     

β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱

在GaAs表面淀积β-GaS是一种可行的GaAs表面钝化方法.用光电子能谱研究了超薄GaS淀积后的GaAs表面,分析了表面成分.并发现GaS的淀积能使GaAs原有的表面能带弯曲减小0.4eV,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除.给出了一个半定量的理论模型,来解释GaS淀积引起的能带弯曲减小与以前湿法钝化引起的能带弯曲增大之间的不同.     

β-GaS钝化的GaAs表面的光电子能谱

在 Ga As表面淀积β- Ga S是一种可行的 Ga As表面钝化方法 .用光电子能谱研究了超薄Ga S淀积后的 Ga As表面 ,分析了表面成分 .并发现 Ga S的淀积能使 Ga As原有的表面能带弯曲减小 0 .4e V,这意味着表面费米能级钉扎在一定程度上得到消除 .给出了一个半定量的理论模型 ,来解释 Ga S淀积引起的能带弯曲减小与以前湿法钝化引起的能带弯曲增大之间的不同