半导体致冷的激光冷却系统

本文从实际应用出发，依据半致冷的基本原理，详细叙述了半导体激光冷器的设计构思及实验装置。从实验结果的测量可以看出，半导体激光冷却器不失为小型机载激光器的一种可选冷却系统。     

半导体致冷器件及其应用

本文论述了半导体致冷器件的原理、结构和特性;讨论了半导体致冷装置的设计原则和计算方法;介绍了半导体致冷器件的应用领域;提出了开发半导体致冷器件和半导体致冷装置的问题与建议。     

半导体致冷技术的应用

本文首先介绍了半导体致冷技术的优点并简要说明了热电器件的三种工作模式,接着介绍了国内外半导体致冷器的几种系列产品并着重介绍了半导体致冷技术在高技术、低温试验仪器和设备、家用电器冰箱和空调器等方面的应用概况,最后指出,这是一种具有广泛应用前景的新技术。     

半导体致冷器浅说

<正> 致冷原理 半导体致冷,又称温差电致冷,亦称电子冷冻。它是利用半导体材料的温差电效应来实现致冷的一种新技术。 两种不同的金属材料两端相互连接构成一个回路,如果两端保持不同的温度,回路中就会产生一个电动势,称为温差电动势。反过来,如果在回路中通以电流,就会使金属材料的一端温度降低,另一端温度升高。这一现象称为温差电效应。     

SCT—Ⅱ型温差电致冷材料测试仪

叙述一种新型的测量半导体温差电致冷材料α、σ参数的计算机自动测量系统。全面而扼要的介绍测量工作原理、硬件结构及应用软件。     

半导体致冷复合相变硅镜光照热有限元模拟

为克服高能激光用相变致冷镜两次出光时间间隔长的缺点,设计了一种新型半导体致冷复合相变硅镜,并采用ANSYS有限元程序模拟了实心硅镜、相变镜和半导体致冷镜的光照热行为.由最大温度-时间曲线可知,在净吸收热量为100W、环境温度为0℃,制冷量为5W时,半导体致冷复合相变硅镜只需5s就可使镜体的温度和弹性变形恢复至初始状态.     

高功率激光反射镜变形的半导体致冷补偿的研究

激光谐振腔中的反射镜在激光作用下其镜面产生变形，使反射镜面偏离原设计要求。实验表明，半导体致冷铜镜和硅镜可以很好地补偿激光热变形，使反射镜在承受激光功率的时候，其镜面面型保持不变。此外，半导体致冷镜还有无压力变形、致冷量可控、致冷均匀等优点。     

利用L4970A实现的某半导体致冷装置电源

针对半导体致冷装置中对电源要求的特殊性 ,文章介绍了一种利用新型 10A电流输出的PWM式开关电源芯片L4 970A实现的半导体致冷装置的电源系统 ,并给出了其详细的工作原理、具体电路、调试安装和注意事项等     

新型半导体致冷组件的研制及应用

采用喷涂及电镀方法，在晶片表面形成单质导流层，提高组件的上限使用温度，充分利用半导体致冷组件可致冷，致热的特点，实现一机两用。     

北京科菲尔电子科技有限责任公司

北京科菲尔电子科技有限责任公司是生产、研制、开发应用半导体致冷技术的专业企业，长期以来我们将半导体致冷技术应用于军事，科研、航空、航天、电子、通讯、医药和石油化工等领域。随着全球高科技技术的发展和不断的进步，我们又将半导体致冷技术应用在军民的消费类产品上，给人类带来了可喜的绿色环保型的新型冷源，1．军用冷帽（醒脑器）防止夏季中暑；2．军民两用电子冷热毯，既能热又能凉，     

赝三元系半导体致冷材料及器件的研制

研制出高优值系数的Ｐ型和Ｎ型赝三元系Ｂｉ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｔｅ３－Ｓｂ２Ｓｅ３半导体致冷材料，在室温附近最高优值系数达到３．３×１０＾－３／Ｋ，致冷器件制作结果表明，热电性能高于二元系半导体致冷材料。     

半导体致冷器△T·Q参数智能测试系统

本文深入分析了半导体致冷器(温差电致冷组件)的工作原理,并从理论上讨论半导体致冷器最大温差△T_(max)、最大致冷量Q的测试原理。描述最新研制成功的△T·Q智能测试系统。     

设计定型的GBF-2型光时域反射计

本文叙述了 GBF—2型光时域反射计的性能指标,着重介绍在初样机基础上所作的改进:测试距离的直接数字显示、半导体激光器的致冷。     

腾飞中的台湾半导体设备市场

介绍了世界半导体设备市场 ,台湾半导体及设备市场 ,并叙述了台湾半导体设备市场有望居世界第二位。     

赝三元半导体致冷烧结材料致密性和强度的研究

研究了以高优值系数赝三元半导体致冷区熔生长晶体为原料,制作烧结体材料的工艺,确定出以颗粒度为74～297μm的晶体粉末,400MPa下冷压成型,在380℃～400℃条件下,经五小时烧结处理,获得高致密度和高强度的半导体致冷器用烧结体材料。     

我国半导体硅材料的发展现状

叙述了我国半导体硅材料的发展现状及国外相比存在的差距，提出了发展我国硅材料的一些建议。     

半导体致冷温度控制器

介绍了一种半导体致冷器件的致冷温度控制方法，包括温度控制原理及控制与检测电路等。该控制器采用连续式控制方式，实际控温精度可优于±０．０８℃，并具有冷却温度预设置，上下限取警等功能。     

单相六温区无变压器管式熔炼炉的研制

本文介绍了生产半导体致冷材料用的单相六温区无变压器管式熔炼炉的结构，恒温控制原理及性能特点，并与单温区、三温区熔炼炉性能进行了比较。这种炉控温能力强，成本低，节约能源，重量轻。     

世纪之交我国半导体工业的现状和发展趋势（续一）

叙述了我国半导体工业的现状和发展趋势，并指出了我国半导体工业面临的机遇和任务。     

双向主动式高精度晶体控温仪

利用半导体致冷器可以加热又可以致冷的双向性，研制成双向主动式高精度控温仪。在１５～３２℃范围内，控温精度高达±０．００４℃。用于控制ＫＴＰ晶体温度，在ＯＰＯ实验中获得稳定的参量下转换输出。