电子级多晶硅金属杂质来源探讨

电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响影响下游晶圆制造产品质量,所以对其金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从精馏、还原及后处理生产过程中每个环节浅析电子级多晶硅金属杂质的引入源,同时提出相应控制措施。     

电子级多晶硅的清洗液选择

对于电子级多晶硅产品而言,其质量判断的关键在于材料表面金属杂质含量情况。就目前来看,当前电子级多晶硅为去除附着在表面的金属杂质,一般都采取以酸为主的清洗工序。通过妥善选择清洗液来控制电子级多晶硅表面金属杂质含量,以提升产品质量。基于此,本文就围绕电子级多晶硅,对其清洗液选择展开重点探讨,并分析影响电子级多晶硅清洗质量的因素,以供参考。     

浅析电子级多晶硅的清洗工序

电子级多晶硅产品的质量指标之一就是表面金属的杂质含量高低,而我国当下的电子级多晶硅清洗工序还是以酸洗为主导去除表面金属杂质含量,通过不同标准的化学刻蚀控制表面金属杂质含量,以达到产品的标准要求。文章就电子级多晶硅材料的化学清洗工序进行论述,讲述多晶硅的化学清洗工序中所涉及的化学试剂等因素的影响,提供清洗工序经验。     

原子吸收法测定氧化锌中金属杂质含量

研究原子吸收法测定氧化锌中金属杂质含量,并与化学分析法测定结果进行对比。结果表明,与化学分析法相比,原子吸收法干扰因素少,测定结果准确性高,重复性好,各金属杂质含量测定结果的相对标准偏差小于6%,并可缩短测定时间。     

高分辨等离子体质谱仪测定常用电子级有机试剂中29种金属杂质

建立了常用电子级有机试剂中29种金属杂质同时测定的方法,样品经蒸发氮吹处理后,高分辨等离子体质谱仪(HR-ICP/MS)检测,29种金属杂质的检出限为0.1μg/kg,线性相关系数均≥0.999,加标回收率在98%～110%,相对标准偏差在0.39%～1.62%。该方法操作简便,能够灵敏、快速、稳定地测定有机试剂中的29种金属杂质,符合电子级试剂的检测需求。     

FTIR法测定NF3中微量HF的分析方法探究

根据NF_3和HF在红外光谱上的差异性,建立利用傅里叶变换红外(FTIR)法测定NF_3中HF的分析方法。HF有8个特征吸收峰,为避免检测过程中水蒸气的掩盖作用,选定在4038.96cm~(–1)处的红外光谱吸收峰作为HF分析的定量标准峰。并据此建立起HF吸光度–浓度的标准曲线,通过测定NF_3成品1、2、3的数据,得到测定结果的相对偏差分别为0.88%、0.72%、1.00%,相对标准偏差分别为1.18%、0.95%和1.38%,均低于2%。由此可知方法的准确度和精密度均可满足分析要求,从而建立起准确可靠的测定NF_3中微量HF的分析方法。     

电子级多晶硅酸洗过程分析及经济成本论证

电子级多晶硅材料是集成电路产业链中一个极为重要的基础材料,是制造集成电路抛光片、高纯硅制品的主要原料,是信息产业最基础的原材料。电子级多晶硅表面金属杂质含量的高低对单晶硅的制备以及晶圆片良品率的高低有着密切的关系,因而通过硅块酸洗来控制多晶硅的表面金属杂质含量对多晶硅的品质提升有着至关重要的影响。目前,我国在电子级多晶硅酸洗方面的研究成果几乎还是空白。因此,如何使电子级多晶硅酸洗质量既满足电子级多晶硅酸洗标准又能达到酸洗最佳经济成本的目标,就是一个必须解决的课题。     

电子级肼中超痕量金属杂质的石墨炉原子吸收法测定

叙述了以无焰原子吸收技术测定电子级肼中超痕量金属杂质的方法，确定了用原样肼Ｈ７０直接进样分析的最佳操作条件。各元素的加标回收率在９５＾－、０３％，测定的相对标准偏差在５．０％以下。     

HR-ICP-MS测定电子级氨中的痕量杂质

电子级超纯氨是半导体产业上游关键配套原材料,其痕量杂质含量直接影响材料的光学及电学性能乃至器件的使用寿命,是半导体产业链发展中一个重要环节。本文采用高分辨电感耦合等离子质谱仪(HR-ICP-MS)标准加入法检测电子级氨水中痕量杂质元素,回收率在92.1%～119.6%之间,重复性在0.2%～3.9%,检测限能满足电子级氨中杂质含量在(0.1～1.0)μg·kg~(-1)的测试需求。     

锑元素溶液标准物质的研制

为满足锑元素检测需求,研制了锑元素溶液标准物质.该标准物质以高纯锑和MOS级硝酸为原料,在对高纯金属纯度定值的基础上,采用重量-容量法进行配制和定值.高纯锑采用杂质扣除法测定其纯度.采用ICP-MS半定量方法对杂质进行定性分析,通过电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)对金属杂质进行准确测定,通过惰性气体熔融-红外吸收...     

高纯电子气体中金属杂质分析方法概述

概述了高纯电子气体中金属杂质的来源及测定高纯气体中金属粒子的前处理方法和检测手段。选定检测手段从最初的单一仪器检测逐渐过渡到仪器间的联合检测。选用合适的检测方法,满足痕量杂质(10-9级)、复杂组分的分析要求。这样能更精准的检测出更多金属种类。不仅提供对半导体生产中沾污的测试手段,而且对高纯气体的生产、包装等具有非常重要的意义。     

基于离子色谱法快速测定镀铬液中金属杂质

离子色谱法是一种灵敏度较高、检测快速以及操作简单的测定离子手段,该方法还能够同时测定分析多种离子,因此目前被广泛使用。本文通过分析对镀铬液中金属杂质进行测定的意义,进一步分析了使用离子色谱法测定镀铬液的金属杂质含量方法。     

国外动态

▲美国空气产品和化学品公司推出高纯NF_3 空气产品和化学品公司正在推广一项99.995%纯度的NF_3的研究,该产品要求四氟甲烷含量小于十万分之一。它用来作为半导体腐蚀和喷涂时的氟源,高能化学激光及现场清洗化学蒸汽喷涂装置的氟源。3磅重量的NF_3装在高纯气体钢瓶内。NF_3在美国国内可以从空气产品公司得到,在日本可以从空气     

浅析多晶硅杂质引入因素及解决方案

如何进一步降低卤硅烷中杂质含量,使国内多晶硅的质量达到国外电子级水平一直是行业关注的话题。本文首先阐述了改良西门子法生产多晶硅流程中杂质的主要来源,其次概述了近些年国内外关于痕量硼、磷等杂质高效去除的技术方案,着重探索了络合法、吸附法、部分水解法等杂质去除机理;最后提出了电子级多晶硅国产化进程中应侧重的提纯技术研究方向。     

石墨炉原子吸收光谱法测定电子行业用丙酮中痕量铅

石墨炉原子吸收光谱法测定电子行业用超高纯电子级丙酮中痕量铅,较火焰原子吸收法灵敏度高,检出限低,但由于超高纯电子级丙酮中基体比较复杂,因此在石墨炉原子吸收光谱法测定中,由基体引起的背景吸收干扰往往比较严重。为此利用氘灯进行背景校正。同时进行加标回收测定。试样经处理后,注入原子吸收分光光度计石墨炉中,电加热原子化吸收283.3nm共振线,测定超高纯电子级丙酮中痕量铅,获得了较满意的结果。     

原子荧光法测定照相明胶中的砷、铋、汞

<正> 照相明胶中有些金属杂质的存在,将影响到乳剂的照相性能,如提高灰霉,降低感光度。因此,准确、及时地测定照相明胶中的有害金属杂质,是指导研制、生产照相明胶的一个重要环节。 测定照相胶中的Fe、Cu、Pb、Zn等元素一般都用原子吸收分光光度法,该方     

GC-MS法测定化纤级环己酮中微量或痕量杂质

采用气相色谱-质谱(GC-MS)联用法测定化纤级环己酮中的微量或痕量杂质,通过标准物质对照、特征离子定性、GC定量,优化GC-MS条件,确定了最佳GC-MS测定化纤级环己酮中杂质含量的条件,并测定了5种不同工艺条件下的化纤级环己酮的杂质含量。结果表明:采用极性柱HP-WAX毛细管柱60 m×0. 53 mm×1μm,载气为氦气,进样口温度220℃,直接进样,进样量为0. 4μL,柱初温75℃保持5 min,以5℃/min升温到120℃保持10 min,以10℃/min升温到180℃保持10 min,分流比为10∶1,以电子轰击源,在合适的灵敏度下,选择离子监测模式下进行检测,采用校正归一化法定量,在此条件下测定化纤级环己酮中的杂质含量,其最低检测限为1μg/g;方法的加标回收率为91. 2%～104. 4%,相对标准偏差为2. 9%～12. 8%; 5种不同工艺条件下生产的化纤级环己酮均能被检测到其杂质含量,其中均含有微量或痕量的环己烯酮、环戊烯酮(简称烯酮),其中E工艺条件下生产的化纤级环己酮质量最好,醛、酮含量最低,其中的烯酮达到痕量级。     

DID气相色谱法分析电子级SF_6

采用中心切割和吹扫技术对电子级SF6气体中微量杂质进行了定量分析,同时测定该方法的精密度。结果表明:中心切割技术能够将一些组分从主组分掩盖下有效分离出来,使得微量的杂质能够准确定量;该方法重复性好,简便快捷,有很强的实用性,适用于大规模生产过程中对电子级SF6气体的分析。     

DRWS-1型液相微量水份仪

一、概况在毛主席革命路线指引下,我国炼油工业多金属催化重整工艺的应用,取得了重大的技术进展。这项重整工艺规定的操作条件比较苛刻,对进料中的杂质含量要求严格,需要一种简单、快速、准确的方法,来测定重整原料油中ppm级的微量水含量,以作为严格控制反应过程,使催化剂不致中毒,     

铜基金属结合剂中锌的测定

文章报道了铜基金属结合剂中锌的含量测定的新方法.采用原子吸收分光光度法测定铜基金属结合剂中锌,不需分离基体铜,直接测定Zn.其工作曲线线性良好,标准偏差为0.0178.用于铜基金属结合剂中锌含量的测定,结果满意.