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一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和二次侧墙,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方法来实现.模拟结果表明这种结构能够成功抑制SOI nMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应,漏端击穿电压也有显著提高.这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积,而且与体硅MOSFET工艺完全兼容. 相似文献
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提出了一种新型的Schottky体接触结构 ,能够有效抑制部分耗尽SOInMOSFET的浮体效应 .这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+ p结和二次侧墙 ,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方法来实现 .模拟结果表明这种结构能够成功抑制SOInMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应 ,漏端击穿电压也有显著提高 .这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积 ,而且与体硅MOSFET工艺完全兼容 . 相似文献
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一种能够抑制部分耗尽SOI nMOSFET浮体效应的新型Schottkty体接触结构的模拟 总被引:2,自引:3,他引:2
提出了一种新型的Schottky体接触结构,能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应.这种结构可以通过在源区形成一个浅的n+-p结和二次侧墙,然后生长厚的硅化物以穿透这个浅结的方法来实现.模拟结果表明这种结构能够成功抑制SOI nMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应,漏端击穿电压也有显著提高.这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积,而且与体硅MOSFET工艺完全兼容. 相似文献
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部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了部分耗尽SOI MOSFET中的浮体效应;简要描述了浮体效应的物理机制、测试结果,以及减小浮体效应的方法;同时,给出了在有体接触的情况下出现kink效应的测试结果. 相似文献
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全耗尽SOI nMOSFET的浮体效应物理模型 总被引:1,自引:0,他引:1
本文提出了一个短沟道、包含寄生双极晶体管效应的物理解析模型来分析薄膜SOInMOSFET强反型电流下的浮体效应,该模型通过研究各种寄生电流成分对源漏电流和浮体电位的贡献,以及浮体电位的变化对器件其他参数如阈值电压和寄生寄生双极电流各成分的影响,成功地解释了器件处于背界面积累状态时的“Kink”现象和器件的异常击穿机理.本模型模拟结果从不同偏置电压、不同器件尺寸几方面较好地拟合了实验曲线,同时还得到结论,器件处于背面积累状态时由于碰撞离化作用产生的空穴的源端堆积使浮体电位升高导致器件的阈值电压突然降低,因而 相似文献
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部分耗尽SOI静态存储器位线电路的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
对部分耗尽SOI CMOS静态存储器的位线电路进行了模拟和研究,详细分析了BJT效应对SRAM写操作过程的影响,给出了BJT效应在SRAM写操作过程的最坏条件和最好条件下存储单元门管的瞬态泄漏电流的模拟结果;在详细分析BJT效应影响的基础上,对"First Cycle"效应进行了全面的研究.结果表明,"First Cycle"效应对写操作影响较大;研究了位线电容负载对存储单元门管体电位的依赖.最后,给出了研究结果. 相似文献
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本文在分析薄膜全耗尽SOI器件特殊物理效应的基础上,建立了可细致处理饱和区工作特性的准二维电流模型。该模型包括了场效应载流子迁移率、速度饱和以及短沟道效应等物理效应,可以描述薄膜全耗尽SOI器件所特有的膜厚效应、正背栅耦合(背栅效应)等对器件特性的影响,并且保证了电流、电导及其导数在饱和点的连续性。将模型模拟计算结果与二维器件数值模拟结果进行了对比,在整个工作区域(不考虑载流子碰撞离化的情况下)二者吻合得很好。 相似文献
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对SOI/SDB薄膜全耗尽隐埋N沟MOSFET(FDBC NMOSFET)的器件结构及导电机理进行了深入研究,建立了明确的物理解析模型,推导出各种状态下器件工作电流的解析表达式。并将解析模型的计算结果与实验数据进行了比较和讨论。 相似文献
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本文在详细分析各种不同条件下全耗尽MOSFET单晶体管Latch效应测试结果的基础上,较为详细地讨论了单晶体管Latch效应的物理机理,发现单管Latch效应与MOSFET的寄生双极晶体管有着极其密切的关系,最后还给出了相应的改进措施。 相似文献
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