极性晶体中激子的性质

在本文中对作者之一过去得到的极性晶体中激子的有效哈密顿,采用变分法计算了激子的基态能量和波函数,就大激子和小激子两种情形,得到了基态能量和波函数的解沂式,对式中各项的意义作了详细的分析.     

极性晶体中慢激子极化电势的性质

<正> 本文是作者对极性晶体中慢激子极化电势的讨论推广到电子和空穴质量不相等的情形.对激子声子系的哈密顿     

极性晶体中的激子在磁场中的性质

本文采用Haga研究极化子、顾世洧研究激子时采用的方法讨论极性晶体中的激子在磁场中的性质.在忽略激子于反冲效应中发射的不同波矢的虚声子之间的相互作用的近似下,导出了激子的自陷能、电子-空穴有效作用势以及激子-声子- 磁场三者之间的耦合能.我们发现激子的自陷能与晶体的电子-空穴质量比有关,但是对于任意电子-空穴质量比,激子都是自陷的.我们还发现,由于晶格振动对激子运动的影响,使得激子在磁场中的抗磁性能移(diamagnetic shift)有所减弱.我们采用变分法对处于磁场中的激子-声子系统的基态能量进行了计算,并与Behnke的工作进行了比较.结果表明:在α<2的情况下,即使采用零级近似的有效势,已经能得到令人满意的结果.     

极性晶体中强耦合激子的内部激发态

采用线性组合算符和么正变换方法计算了极性晶体中强耦合激子的基态能量、内部激发态能量和激发态能量。结果表明，激子的基态能量、第一内部激发态能量和激发能可表示为耦合常数α和降幂级数，其首项为α的1次项。     

极性半导体表面激子结合能

本文由作者导出的极性晶体表面激子的有效哈密顿量出发,用变分法计算了一些极性半导体材料的表面激子结合能,进一步讨论了晶格振动对表面激子基态的影响.对于GaAs,本文的结果与实验很好地符合.     

极性半导体中表面激子的性质

本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。     

正电子湮没法研究极性晶体P_s正负方向的探讨

本文报道了用正电子湮没法检测极性晶体P_8正负方向的方法原理和所用的技术设备。可以看出,正电子湮没技术又是一种检测晶体中空间电子密度和负性单空位缺陷浓度的好方法。     

极性晶体中磁极化子声子色散效应

利用线性组合算符和幺正变换相结合的方法,研究了声子色散对极性晶体中磁极化子性质的影响．计及纵光学（LO）声子色散,在抛物近似下导出了极性晶体中磁极化子基态能量、自陷能和基态Landau能随声子色散系数、回旋共振频率和电子-纵光学声子耦合强度的变化关系．数值计算结果表明基态能量随声子色散系数、电子-纵光学声子耦合强度的增大而减小．自陷能随声子色散系数和电子-纵光学声子耦合强度的增大而增大．基态Landau能随电子-纵光学声子耦合强度的增大先增大到最大值后又减小,随声子色散系数的增大而增大．     

极性三元混晶中的Wannier激子结合能

在无序元胞孤立位移(MREI)模型下．考虑激子与混晶中的两支光学声子的相互作用,利用变分法计算了极性三元混晶(TMCs)中的Wannier激子的结合能。数值计算给出几种混晶材料的结合能随组份x的变化关系。讨论了混晶中的两支光学声子对激子结合能的贡献。结果表明,当电子和空穴有效质量相差较大时,电声子相互作用对激子结合能有着重要的贡献,声子对结合能的影响随混晶组份非线性变化的。同时讨论了有效声子近似(EPMA)在计算激子结合能时的适用范围。     

极性晶体中表面极化子的基态能量和有效质量

本文用微扰法导出了极性晶体中表面极化子的基态能量和有效质量的解析式,改进了Sak的结果.     

通过双中温AlN插入层提高半极性(1122)面AlN薄膜的表面形貌和晶体质量

利用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上生长了一系列具有双中温AlN插入层(MTG-AlN)的半极性AlN薄膜样品。中温生长的AlN插入层具有较大的表面粗糙度,形成了类似纳米级图形化衬底结构,能够有效阻断高温生长的半极性AlN样品中堆垛层错的传播,从而提高半极性AlN样品的表面形貌和晶体质量。通过原子力显微镜和X射线衍射仪的表征,研究了MTG-AlN插入层厚度在20～100 nm之间的变化对半极性AlN样品的表面形貌和晶体质量的影响。结果表明,所有半极性AlN样品都具有■取向。当插入的MTG-AlN中间层厚度约为80 nm时,半极性AlN样品表面粗糙度显著降低,晶体质量明显改善。     

IDT在压电晶体—液体界面上的声体波激励

压电晶体－液体界面上的叉指换能器（ＩＤＴ）可向液固介质内激励声体波,这一效应可用于液体声传感器的研制。文章通过引入压电晶体－液体界面的界面有效介电常数,研究了ＩＤＴ的声体波激励强弱与晶体取向之间的关系,给出了最强声体波激励时的晶体取向;同时,还分析了ＩＤＴ仅向液体内激励声体波的情形。     

多原子极性晶体中磁极化子的回旋共振性质

本文研究磁场中多原子极性晶体中电子和体光学声子相互作用的性质。采用线性组合算符和拉格朗日乘子法，分别导出强、弱耦合情况下体极化子的振动频率和回旋共振质量。     

YAG晶体等径生长过程中界面翻转与流体效应

本文讨论了提拉法氧化物晶体生长过程中固液界面的翻转与流体效应的关系。在自然对流时,Re不是一个独立的无量纲数.而是G的函数,与坩埚中熔体纵横比有关。计算了界面发生翻转与直径突变时晶体高度l:■对于坩埚中熔体的不同纵横比,计算界面翻转时的临界直径和晶体高度,与实验结果基本符合。     

引人瞩目的非极性激光器

利用GaN晶体非极性面的发光元件的研发工作引起了众多业内人士的关注.与传统的发光元件相比,这种发光元件可以提高发光效率,并降低功耗.     

基于不同AlN钝化层的极性GaN MOS器件界面特性

界面质量是影响GaN MOS器件性能以及可靠性的主要因素之一,Al203栅介质与极性GaN界面间插入超薄非晶AlN作为钝化层可以有效改善GaN栅界面特性,针对AIN钝化层生长方式研究了GaN界面优化特性.通过GaN MOS电容的C-V和J-V特性,结合透射电子显微镜(TEM)表征分析,对比了不同生长条件的AlN插入层对GaN MOS电容的界面特性的影响.相比常规热生长AlN钝化层制备的样品,以等离子体NH3为N源在300℃下生长AlN钝化层制备的GaN MOS电容的频散和滞回特性均得到显著改善,界面态密度也略有改善.分析认为,经过等离子体NH3的轰击作用有效地抑制了GaN表面上Ga-O键的形成,在GaN表面直接生长AlN,从而改善了界面特性.     

Cu_2O晶体中激子光学非线性研究

我们研究了Cu_2O晶体在室温及液氮温度下黄系激子线在光注入载流子条件下的饱和吸收。在实验中我们采用了布儒斯特角入射反射光谱测量方法,此方法对激子谱线分辨灵敏度很高。实验中观察到了Cu_2O黄系激子线在光注入载流子条件下展宽以至达到饱和,并进行了理论上的推导,证明激子饱和吸收主要是由库仑屏蔽造成的。我们利用Kramers—Kronig变换求出△n(ω),我们还探讨了利用Cu_2O的激子光学非线性制做双稳态器件的可能性。     

布里奇曼法生长碲镉汞晶体的固液界面形态研究

文中综述了布里奇曼法及加速坩埚旋转技术的布里奇曼法生工碲镉汞晶体过程中固液界面形态的研究结果，简单讨论了固液界面形态对组分分布的影响，并将两种技术所得的组分分布结果进行了比较，在分析影响固液界面形态因素的基础上，认为加速坩埚旋转技术是目前改善固液界面形态的有效方法。     

由熔体中生长晶体时固液界面的形状

1.前言由熔体中生长晶体技术是以获得含有既定杂质浓度而晶格缺陷又小的晶体为目的发展起来的。为达此目的,曾进行了许多研究,但多凭借于经验。有的文章说,“生长界面平坦”的晶体特性好。这一点在实践上尽人皆知,然而缺乏理论根据。因此,本文以目前广泛使用的引上法为例谈谈怎样才能获得为界面平坦所需要的生长条件。     

压电晶体—液体界面上IDT对入射声体波的接收

压电晶体－液体－压电晶体分层结构可用于液体声传感器的研制,两个叉指换能器分别位于两个相向的压电晶体－液体界面上,一个ＩＤＴ向液体中激励声体波,另一个ＩＤＴ接收液体中的声体波。文章通过采用恰当的压电晶体液体界面上的边界条件,研究了ＩＤＴ对声体波的接收,给出了ＩＤＴ的输出电功率与声体波入射角。