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文章介绍了一种新型的焊接质量监控系统,给出了系统的框架结构,分析了工作原理,介绍了参数检测、专家数据库和数字射线成像(DR)3个功能模块。对DR进行了详细论述,介绍了其组成结构和成像检测软件的主要功能。试验表明,DR子系统能够完成常规焊接缺陷的自动检测;将DR与焊接参数实时检测技术相结合,能方便地建立起最终焊接质量与焊接过程参数之间的映射,实现焊接过程的闭环化。 相似文献
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讨论了运用射线实时成像检验技术(计算机x线摄影ComputedRadiography,简称CR;直接数字化X射线摄影系统DigitalRadiography,简称DR)检测不同材质和厚度物体时对成像质量的影响,根据实验结果得出其更适应于密度低、厚度变化不大的结构拍摄,以及通过阶梯灰度评定法解决大厚度比结构拍摄成像质量差的方法。 相似文献
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介绍了所研制的工业数字成像(DR)射线透视检测技术的产品.给出了系统构成以及主要硬件模块.主要硬件模块有主计算机、射线机及控制电路、探测器、计算机外设、检测工装和无线通信模块6个部分.最后,通过试验,证明该产品能达到B级像质要求. 相似文献
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采用X射线数字成像系统对短路故障的电缆分接箱L2相穿墙套管进行解体检查,发现L2相穿墙套管与分接箱支持挡板之间存在明显的放电烧黑痕迹,L1、L3相套管屏蔽网均已严重歪斜。分析引发短路事故的主要原因,确定该缺陷为批次性缺陷。针对L1、L2、L3相套管均存在屏蔽网严重偏移缺陷,提出了相应的改进措施。 相似文献
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为了研究铜屏蔽层绕制方式对绝缘管母运行安全的影响,针对某地区110k V变电站35k V侧绝缘管母出现的外护套烧蚀击穿故障案例进行了研究。通过管母烧蚀击穿点的红外热成像,结合管母的有限元仿真对管母铜屏蔽层在绕包和叠包绕制方式下管母半导电层的电势分布、电流密度以及阻性损耗密度进行了对比分析。研究结果表明:两种绕制方式下管母的半导电层电势分布、电流密度及阻性损耗存在明显差异。管母采用绕包时在铜屏蔽层截断处容易形成局部高电势,半导电层表面电流及局部阻性发热功率密度大,半导电层发热严重并存在明显的过热点;采用叠包时管母半导电层的表面电势、电流密度及局部阻性发热功率接近于零,未发现明显的局部过热点。这些特征可为改进管母铜屏蔽层的绕制方式和指导实际生产工作提供理论依据。 相似文献
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针对目前太原地区220 kV变电站均设置单母差保护的情况,通过计算冶峪220 kV母线故障对系统稳定性的影响,提出了适时调整继电保护动作行为,以提高枢纽变电站无母差保护时系统运行稳定性的措施,并对母差保护校验工作和系统运行的安排提出了建议。 相似文献
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感应耦合等离子体(ICP)由于无电极烧蚀污染、等离子体环境纯净,在制备高纯度陶瓷材料涂层上具有明显的技术优势。该文利用自主研制的感应耦合等离子体喷涂设备,开展碳化硼涂层制备的实验研究。并利用发射光谱仪和高速相机,对放电气体中加入氢气后的等离子体特性进行诊断。通过在等离子体放电气体中加入不同比例的氢气,研究等离子体工作参数对涂层性能的影响。采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线荧光(XRF)分析了涂层的微观结构、物相和成分情况。结果表明,在放电气体中加入氢气会导致等离子体的宏观气体温度升高,从而提高喷涂粉末的表面熔融率;在放电气体中加入0.7L/min氢气时,制备的涂层结合强度最大,而且等离子体制备过程不会改变碳化硼的晶体结构。通过对比研究,得到最优化的制备参数,为该自主技术的工艺参数摸索提供重要的实验依据。 相似文献
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小水电作为最重要的可再生清洁能源得到了大力发展,但是小水电接入配电网后改变了原有网络的拓扑结构,加之其自身存在的缺陷必将影响配电网的电压质量。本文以陕南某并入小水电群的35 kV变电站母线电压为研究对象,分析了小水电机组专线接入变电站后在不同运行方式下对母线电压质量的不良影响,提出了利用并列电抗器补偿及水电机组之间协调运行的解决方法,并对小水电机组不同补偿方式下电压质量进行了对比分析。同时利用PSASP软件建立了该电力系统的仿真模型,对系统及其解决方案进行了仿真研究,结果表明了相应结论及解决措施的正确性和有效性,为接入小水电群的配电网稳定电压质量提供了有益参考。 相似文献
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基于中压配电母线典型拓扑结构,分析推导母线分流效应对电力线载波通信(PLC)信道特性的影响,在此基础上提出一种自适应频点选择算法及2种中压配电网PLC网络架构。基于输入电抗的频点选择算法,可在保证信道质量的前提下提高选频速度,结合中压配电网实际结构,建议以近母线侧节点作为频点测试发起者。PLC子网主节点设置于配电线路出口处的网络架构与设置于线路中部的网络架构相比较,后者可减弱母线分流效应带来的不利影响,提高PLC网络的经济性与可靠性。仿真结果与现场测试验证了理论分析及所提第2种网络架构的合理性。 相似文献
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外部汇流母排对压接型IGBT器件内部多芯片并联均流特性的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
压接型IGBT器件内部芯片之间的动态均流特性直接影响着IGBT器件的坚固性与可靠性。考虑到并联均流实验的困难,现有的压接型IGBT芯片级并联均流研究通常都是通过提取器件内部封装结构的寄生参数,并结合IGBT芯片的等效电路模型,在电路仿真环境中开展的,不考虑器件外部电磁条件对器件内部电流分布的影响。然而,该文通过9枚压接型IGBT芯片的并联均流实验发现,各个通流支路之间存在显著的动态电流不均衡,而且电流的分布特性不仅与内部并联芯片的相对位置有关,还与连接器件的外部汇流母排存在明显的关联。为了揭示器件内部电流分布特性与外部汇流母排之间的耦合关系,该文对被测器件与外部汇流母排进行三维有限元建模,从频域和时域2个方面,计算IGBT器件内部的电磁场分布特性。频域计算表明,由于外部汇流母排与内部并联芯片存在磁场耦合(即电感耦合),当频率超过一定数值后,外部汇流母排会对各个通流支路的电流产生显著影响。时域计算进一步再现了并联均流实验中外部汇流母排对各个通流支路上动态电流分布的影响规律。结果表明,在压接型IGBT器件的设计和应用中,不仅需要关注器件内部芯片间的相对位置对动态均流特性的影响,同时也要关注外部汇流母排引入的电磁不对称性。最后提出一种对称化的母排设计方案,并通过三维有限元计算,证实对称化母排设计可明显改善器件内部的动态均流特性。 相似文献
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几何参数对鹅颈型管道阻力系数的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
本文通过试验研究了鹅颈型管道几何参数(转角,曲率半径,过渡段)对其阻力系数的影响,提出各几何参数与阻力系数的关系。试验研究结果表明:鹅颈型管道的阻力系数不能简单地用线性叠加原理计算,即将各几何组成部分的阻力系数叠加,应按其固有的阻力规律计算。 相似文献
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研究了位置度公差和尺寸公差在限制孔组轴线中因采用不同图样标注形式而导致公差累加效果的不同,量化了位置度公差与尺寸公差在控制孔组轴线中公差带的大小。本文通过对比性分析,充分肯定了位置度公差在限制孔组轴线中的应用。 相似文献