印制板板边插头硝酸蒸汽试验研究

本文主要对印制板板边插头硝酸蒸汽试验机理进行研究,通过对试验后的试样切片及电镜观察分析,总结出金面镀层硝酸蒸汽腐蚀机理,并分析腐蚀失效的形成原因,最后从工艺参数和工艺设计两方面提出板边插头镀层可靠性的改善措施。     

电镀镍金工艺渗金原因分析及改善

通过对采用贴干膜板进行电镀镍金工艺渗金造成批量报废的原因进行分析,采取多种试验方案寻找问题根源,使问题得到彻底解决。     

化学沉镍金漏镀渗金的原因和措施

本文阐述了化学沉镍金工艺渗金和漏镀产生的原因以及预防改善措施。     

光模块PCB的板边插头尺寸公差控制研究

随着5G技术的高速发展,用作板件与结构件之间连接桥梁的印制电路板（PCB）板边插头部分,不仅要传输高速数据信号,还要承担引脚功能,因此对板边插头部分的厚度公差和外形公差要求十分严格。该位置外形尺寸偏大或偏小均会导致插头与卡槽线路连接错位,轻则电源引脚与信号引脚错位短路,烧坏板卡及设备,严重的可能引起火灾等不可预估的后果。对如何通过过程控制达到板边插头尺寸公差控制精度要求进行了探究。     

硝酸法控制FPC基材渗镀化学镍金的研究

化学镍金工艺会产生基材渗镀的问题。讨论了FPC基材渗镀化学镍金的形成机理,采用硝酸法研究了基材渗镀化学镍金的控制要点,应用正交实验优化了硝酸处理FPC基材渗镀化学镍金的工艺参数。结果表明硝酸法可有效控制基材吸附镍金层,获得了最佳硝酸处理的工艺参数:活化时间90 s,温度30℃,硝酸浓度3 mol/L,反应时间30 s。     

PCB镀镍金孔隙率探讨

SMT技术的兴起使有机可焊性保护涂层、化学沉镍金及电镀镍金表面处理在工业化生产中得到广泛的应用。但是这三种工艺形成的保护层较薄,不可避免的出现微孔,微孔,对表面品质有至关重要的影响,孔隙率是评价其镀层连续性的重要参数之一。本文通过试验验证的方式探讨电镀时影响镀层致密度的相关因素,总结分析出一套避免孔隙率产生的最优生产参数,为生产实际提供了理论依据。     

碘化钾体系褪金液用于渗镀板返工的研究

自主研发出针对区域渗镀单一,焊盘间间距较大、且较有规律可循的此类渗镀产品进行选择性褪金/蚀刻返工,得到风险低且可以满足客户需求的产品,本文主要阐述由碘和碘化钾配置而成的无毒褪金液用于渗镀板选择性褪金后进行选择性酸性蚀刻的返工的可行性研究,其褪金速率快,操作便捷、安全。     

插头镀金线镀层厚度计算模型研究

电镀镍金镀层厚度是PCB产品可靠性的关键指标,文章从插头镀金线实际生产需求出发,运用法拉第定律和多元函数进行数学推导,得出一个普遍适用于插头镀金线镀层厚度理论计算模型。在理论计算模型的基础上进行多次试验分别得出电镀镍和电镀金的电流效率,并对实际镀层厚度计算模型的有效性进行重复试验验证。试验结果表明,我们可以得出一个合理的镀层厚度计算模型以指导插头镀金线实际生产。     

化学镍金生产中的问题探讨简

文章主要探讨了化学镍金生产中所遇到的问题,如渗镀、漏镀、金面粗糙问题,结合我公司实际情况,进行的解决和改善的过程,为化学镍金生产积累了宝贵的经验,提高了我公司化学镍金的生产水平。     

化学镍金工艺中的镍足控制方法研究

PCB上的线路日趋精细,焊盘间距也在不断缩小。目前,PCB上的最小焊盘间距可以达到0.050 mm。而在这些小间距的焊盘上进行化学镍金处理后,镍足就会从焊盘边缘往外延伸,从而导致渗金短路。分析了镍足变化的主要影响因素,研究了铜箔毛面粗糙度,钯离子吸附和沉镍药水活性对镍足生长的不同作用,总结了减小镍足的若干措施。     

密集长短印制插头制作工艺探究

文章主要针对密间距长短分级印制插头的结构特点,阐述了工艺开发中的重要控制点以及它与普通工艺的差别,主要提出了采用湿膜法掩盖+碱性蚀刻去除印制插头外端镀金引线的方法制作。     

降低电镀镍/金印制板的不良率

随着电子工业的快速发展,高密度集成电路和BGA封装器件也广泛用于军用电子产品,新的器件和焊接工艺对印制电路板的表面可焊涂覆层提出了新的要求,其不但要求涂覆层有良好的可焊性,而且要求涂覆层平整,印制板电镀镍/金涂层不但表面平整,可焊性好而且具有较好的三防性能和较长的存放期,因此,电镀镍/金印制板正逐渐被应用于高密度的军用电子产品,本文就印制板电镀镍/金过程中出现的问题进行探讨和交流。     

用于乳胶袋的有机硅耐热涂料的研究与应用

三维光弹性试验必须在高温(125℃)进行加载“冻结”,加载采用柔软的乳胶袋内充气加压,乳胶在高温下“老化”,丧失强度而破裂,使试验难于进行。因此根据有机硅橡胶和偶联剂的机理,经研究配制了有机硅耐热涂料,按制定的工艺过程涂覆在乳胶袋上,其涂层薄(0.1毫米)而柔软,且与乳胶粘接牢固。在高温下,由于涂覆层完好的封闭乳胶袋,防止乳胶“老化”和降解反应,当乳胶袋强度显著降低时,有机硅涂覆层具有极好的热稳定性,其强度不会下降,保证高温下充气加压,且可重复使用,解决了长期存在的问题,达到较为完善的程度。     

激光强化冲击技术中涂层厚度的理论研究

在激光冲击强化技术中,充当能量转换体的涂层厚度问题是影响激光冲击强化效果的关键技术之一。许多研究者认为激光冲击强化处理技术中的涂层应有一个最佳值。涂层过厚,剩余涂层会对激光冲击波产生损耗;涂层过薄,又使金属表面产生气化,二者均会影响激光冲击强化效果。本文从激光与涂层相互作用的物理机理,研究推导了激光冲击涂层的理论厚度计算公式,并从工件表面状态、涂层和约束层等相关环境因素出发,讨论了它们对涂层厚度理论计算的影响,得到了具体工况条件下激光冲击涂层厚度的理论估算公式。     

镍氧化对镀金板可焊性影响的深入探讨

镀金板的可焊性问题,也是业界经常面临的难题。业内普遍认为是镍层有机污染严重、阻焊残留导致,而系统深入地研究很少。本文由生产实际出发并结合相关试验测试,从镍氧化的角度,对镀金板可焊性不良的机理进行了深入分析,找到关键影响因素,为改善提供切实有效的理论依据。     

硬质与超硬涂层在印制电路板微型刀具上的应用（一）——硬质HAC涂层在微钻上的应用

通过物理气相沉积方法,在PCB微钻上沉积硬质HAC涂层,采用扫描电子显微镜、纳米压痕/划痕仪、摩擦磨损试验机等仪器对涂层的硬度、结合强度等力学性能进行了研究,并进行了硬质HAC涂层微钻与未涂层微钻对比加工测试。实验结果表明,硬质HAC涂层的硬度高,与硬质合金基材结合良好,涂层的摩擦系数低;硬质HAC涂层钻头加工典型无卤素板材时,使用寿命是未涂层钻头的2.8倍。     

The dual localized surface plasmonic effects of gold nanodots and gold nanoparticles enhance the performance of bulk heterojunction polymer solar cells

In this study, we investigated the effects of plasmonic resonances induced by gold nanodots (Au NDs), thermally deposited on the active layer, and octahedral gold nanoparticles (Au NPs), incorporated within the hole transport layer, on the performance of bulk heterojunction polymer solar cells (PSCs) based on poly(3-hexyl thiophene) (P3HT) and [6,6]-phenyl-C₆₁butyric acid methyl ester (PC₆₁BM). Thermal deposition of 5.3-nm Au NDs between the active layer and the cathode in a P3HT:PC₆₁BM device resulted in the power conversion efficiency (PCE) of 4.6%—that is 15% greater than that (4.0%) for the P3HT:PC₆₁BM device without Au NDs. The Au NDs provided near-field enhancement through excitation of the localized surface plasmon resonance (LSPR), thereby enhancing the degree of light absorption.     

Connecting bulk properties of germanium with the behavior of self- and dopant diffusion

The understanding of self- and dopant diffusion properties over a range of temperatures and pressures can be technologically important for the formation of defined and efficient nanoelectronic devices. Phosporous, Arsenic and antimony are n-type dopants that can be considered for n-channel germanium metal oxide semiconductor field effect transistors. Using recent experimental data we show that elastic and expansivity data can reproduce the self-diffusion and n-type dopant diffusion coefficient of germanium in the temperature range 702–1177 K. This is achieved in the framework of the cBΩ model, which assumes that the defect Gibbs energy is proportinal to the isothermal bulk modulus and the mean volume per atom.