新产品与新技术(92)

磁性研磨法去除激光钻孔孔口铜粒 PCB微小孔形成大多数采用直接激光钻孔,此过程中激光热熔化板面铜箔,铜会飞溅在板面特别是留在孔口成为细小铜粒,通常采用机械磨刷或化学蚀刻去除,易损伤表面铜箔和孔口.日本宇都宫大学与JCU研究所合作,开发一项用电磁研磨法除去孔口与表面铜凸出物技术.     

掩膜电镀法制备圆片级封装重布线中孔洞形成机理研究

在圆片级封装电镀铜重布线工艺中通常使用退火的方法促进铜晶粒生长、使电阻减小.而作为电镀铜种子层的溅射铜表面存在的微小裂纹通常会造成电镀液无法进入,从而使电镀铜和溅射铜界面出现孔铜,这类界面缺陷将影响后续高温退火过程中铜晶粒的生长,并导致电镀铜电阻增大.为研究此问题,本文尝试在电镀铜前轻微腐蚀溅射铜种子层,使裂纹尺寸变大,电镀液得以进入裂纹,并电镀填充裂纹形成无孔洞的电镀铜;此外若在电镀铜后在电镀铜表面溅射一层TaN层可限制高温下铜原子运动,使电镀铜经受300℃退火10分钟而不形成孔洞,高温退火同时可使得铜晶粒长大,电阻变小.     

PCB电镀铜系统控制浅谈

电镀铜是PCB加工过程中的一个关键工艺流程,涉及到孔和板面金属化的性能保证,影响因素众多。文章从系统控制角度出发,针对如何控制PCB电镀铜的各影响因素以保证电镀铜质量做了相关讨论。     

VCP脉冲填孔电镀铜研究

文章介绍了一种VCP电镀线上使用脉冲电源和不溶解性阳极进行电镀铜填充盲孔的工艺。提出了一种使用不溶性阳极进行电镀时避免阳极表面产生氧气的方法。提供了一种溶解纯铜粒的铜离子补加方法用以替代传统的溶解氧化铜粉的方式。研究了不同的脉冲参数设置如：正向、反向电流密度,正向、反向脉宽参数等对盲孔填充效果及镀层性能的影响。     

HF溶液中铜离子在硅片表面沉积的研究

研究了溶液中的铜离子在硅片表面的沉积情况,尝试采用几种螯合剂来减少铜在硅片表面的沉积.GFAAS的测试结果表明,HF稀溶液中加入少量螯合剂,均可以使硅片表面的金属Cu的沉积量显著减少,但不同的螯合剂效果不同,而且与溶液中螯合剂与铜形成的络合物稳定性质并不完全一致.加入螯合剂后,铜离子与螯合剂不仅在溶液中反应,而且在硅片表面形成竞争吸附,对铜离子在硅片表面的沉积量影响较大.     

新产品与新技术（87）

半加成法中化学镀铜介质表面低粗化度处理 安美特日本公司介绍高密度PCB制作中采用半加成法（SAP）时,以一种“Initiator”化学液处理绝缘介质表面,得到的表面粗糙度低而与化学镀铜层结合力高。用Initiator化学液的表面处理过程：向基板喷淋Initiator化学液,浸透绝缘层树脂,促使后续使绝缘层均匀蚀刻;烘干基板,去除板面化学液的溶剂成分,并促进化学液与绝缘层的反应;经过高锰酸盐溶液,氧化反应去除环氧玷污;再经高锰酸盐溶液,去除二氧化锰层。     

文献与摘要（104）

挠性印制板电镀铜的改善 当前挠性印制板（FPC）趋于越来越薄,要求可弯折性更高,应考虑更高的互连可靠性。文章针对高密度薄FPC的铜导体连接可靠性提出电镀铜的要求,及改善电镀铜层性能的新工艺。电镀铜层性能考虑有尺寸稳定性、热应力可靠性、与化学沉铜兼容性、镀层均匀性和表面平整性等,改变传统电镀铜工艺可达到新要求。     

新型HDI盲孔填孔电镀铜技术

高密度互连(High Density Interconnect Board,HDI)印制电路板的盲孔电镀铜技术是其孔金属化实现电气互连的难点和关注重点,为此,在目前传统盲孔电镀铜技术和盲孔脉冲电镀铜技术的基础上,提出一种新型的电镀铜填孔技术,通过填孔工艺特定的镀铜添加剂,在传统盲孔电镀铜的技术上改变表面和盲孔的电流效率...     

电镀铜孪晶形成原因及对产品质量的影响

介绍PCB电镀铜过程中,铜孪晶产生的机理、图像及表现,并结合PCB在电镀铜实际生产过程中如何预防铜孪晶的产生,防止PCB板在客户端SMT高温焊接时或后期使用过程中,因铜孪晶问题导致PCB孔铜断裂发生失效的致命缺陷产生。     

电镀铜粒影响因素探究

随着客户需求的不断变化和对PCB产品外观越来越高的要求,我公司客户对产品外观的要求更为严格,使得我们迫切需要对于过程中影响PCB板件外观的主要因素进行控制。本文主要从电镀铜粒着手,简述铜粒产生的影响因素,并提出可行性建议,给整个铜粒状况改善提供思路和方向。