等离子设备加工高厚径比产品工艺研究

文章通过对孔壁平均去钻污量的数据分析,研究了厚径比与孔壁平均去钻污量的规律,初步界定了等离子去钻污加工高厚径比的能力。通过对等离子去钻污均匀性的控制,控制平均去钻污量,从而得到高厚径比产品稳定加工品质。     

高厚径比盲孔HDI板水平脉冲电镀参数的研究

该文主要通过DOE试验,研究了水平脉冲电镀参数如传送速度,正向电流密度,反向电流密度,正反向脉冲时间及部分参数间的交互作用对高厚径比盲孔的 HDI板电镀均匀性和铜厚的影响,找出高厚径比盲孔 HDI板电镀的最佳电镀工艺参数。同时应用于二阶盲孔HDI 板的电镀。     

HDI板高厚径比微盲孔跨层微导通孔技术开发

高厚径比微盲孔的HDI板制作通常需要很好的孔金属化能力保障其导通可靠性,但所需生产设备及其配套成本让不少厂商望而却步。本文所述高厚径比微盲孔跨层微导通孔（skip-μvia）技术,通过定位精度控制、激光钻孔参数调整以及制板流程优化等工艺的开发,能以更低的成本、更高的品质、更短的加工流程以及常规孔金属化设备实现高厚径比的微盲孔制造,从而降低了高厚径比微盲孔HDI板制造的难度。     

提高高厚径比通孔电镀铜均匀性的溶液流动性研究

随着高端印制电路板的层数不断增多,通孔厚径比不断提高,现有技术已经很难满足当前微通孔金属化需求.传统通孔电镀采用的龙门线或垂直连续电镀线,主要采用底部打气或喷流的方式实现镀液的对流,很难促进高厚径比通孔内的物质输运.文章通过设计螺旋桨转动对流仿真模型,研究了镀槽中桨叶形成镀液对流对高厚径比通孔电镀的效果.螺旋桨转动形成...     

传统龙门式电镀线改造单槽脉冲电镀的实践

在印制电路板制造行业中,产品要求愈来愈严格,在高厚径比产品逐渐起量的阶段,因工厂无脉冲电镀而造成生产困扰,因此通过将普遍的龙门式电镀线其中的个别铜槽进行改造成脉冲电镀槽,实现即可生产单向电镀又能生产脉冲电镀的混合式电镀线,选择脉冲电镀的原因皆是因为传统电镀无法满足高纵横比的贯孔率和精细蚀刻兼得的目的,因此通过将传统电镀...     

高厚径比HDI板电镀能力研究

随着信息技术的不断发展,层数更多、板厚更厚、孔径更小、布线更密的PCB需求给PCB生产厂家提出的更高的要求。高纵横比与盲孔电镀是PCB电镀的两个不同的加工方向,而这两种要求并存的产品加工是电镀的难点,因此找到两者之间的平衡点至关重要。本文通过实验,找到两者兼顾的电镀参数,达到通盲孔兼顾的效果。     

基于高厚径比的高频PCB微型钻孔失效工艺研究

文章对通讯领域中印制电路板使用的高频材料产品中约0.2 mm孔径的高厚径比(AR)的钻孔加工工艺进行研究,分析了生产中机械钻高厚径比小孔的断钻缺陷问题的产生原因,提出了相应的改善方向.     

微小孔机械钻孔工艺研究

本文主要对微小孔（75um孔径）进行机械钻孔的工艺研究,对微小孔机械钻孔的重要因素进行分析和确定,通过正交试验寻找优化的钻孔条件,从而达到正常的生产加工工艺能力。     

高厚径比HDI通盲孔电镀参数研究

随着PCB厚径比的不断增加,电镀过程中通孔电镀与盲孔电镀的矛盾也日益加剧,为使通孔铜厚达到要求,盲孔可能出现堵孔或者底部折镀风险,从而引发可靠性失效。本文在通盲孔铜厚电镀能力及铜厚要求分析的基础上,通过不同电镀参数的研究,为高厚径比HDI的通盲孔电镀提供了最佳的解决方案。     

金属封装外壳电镀层均匀性研究

本文研究了金属外壳的镀镍层均匀性以及和电镀挂具、电镀参数的关系,并提出了改进措施。研究结果表明,电镀层存在着较严重的厚度不均匀性,高电流密度区如引线、封口处厚度明显高于内腔,影响金属外壳引线的弯曲性能及封盖性能。通过电镀挂具的优化、改进,能改善电镀层的分布,提高电镀层均匀性,外壳的防护性及功能性均得到提高;通过运用多波形电镀技术也能提高镀层的均匀性．     

板面电镀线镀铜均匀性改善

印制电路板的制作过程中,电镀均匀性是检验镀层质量的一个重要指标,对生产而言,板面镀铜均匀性直接影响后续精细线路的制作与形成。现结合实战案例,对板面电镀均匀性改善进行分析和说明一些方法。     

基于高厚径比的5G通讯PCB微型钻针失效工艺研究

文章针对高厚径比的5G通讯PCB产品的微型钻针失效原因进行了系统分析,并输出了有效改善措施,实现了0.15 mm孔径、厚径比30:1的钻孔加工能力。基于钻针的受力分析,锁定了断钻的根因为排屑不良。通过对钻针三维结构进行数学建模,优化了钻针结构,提升了70%的排屑能力。工艺方面综合研究了钻机分步类型、预钻工艺对断钻的影响,并通过DOE锁定了最优钻孔参数。     

补蚀系统改善蚀刻均匀性的研究

蚀刻线补蚀系统可改善蚀刻均匀性,但鉴于印制电路板尺寸、蚀刻铜厚等千差万别,现常规蚀刻补蚀系统难以满足多样化需求,应用价值不大。本研究通过优化改善补蚀系统,实现补蚀系统的灵活应用,大大改善了蚀刻均匀性。     

利用镀液组成改善镀层厚度均匀性

概述了利用CuSO4镀液组成控制PCB的贯通孔镀层均匀性和导通孔填充镀层均匀性。     

LED背光源亮度均匀性改善方法

针对液晶显示器中直下式LED（1ight—emitting diode）背光源边缘亮度较低的问题,本文提出了一种LED非均匀排列提高背光源亮度均匀性的方法。在等间距排列的基础上,通过测量单颗LED的亮度分布函数,计算出水平和垂直方向上的LED不等间距排列距离,并对该距离进行优化调整。非均匀排列的LED背光源亮度均匀性仿真计算结果表明,背光源的全屏亮度均匀性可达到90％以上。     

VHF-PECVD制备微晶硅材料的均匀性及其结构特性的分析

采用VHF-PECVD技术在多功能系统(cluster tool)中制备了系列硅薄膜，研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明：气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响；材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均匀，在将材料应用于器件上时，必须要考虑优化合适的工艺条件；硅烷浓度大，相应制备薄膜的晶化程度减弱，即薄膜中非晶成分增多。     

微偏振片阵列成像的非均匀校正研究

针对传统的非均匀校正算法难以校正偏振成像的非均匀问题,提出了一种新的矩阵校正算法。分析了偏振成像与非偏振成像的非均匀性的不同表现,阐述了微偏振片阵列成像的非均匀产生机理,指出了采用非偏振成像非均匀校正方法的失效原因。在构建偏振成像系统对入射偏振光源的响应模型基础上,提出了矩阵校正法。实验部分给出了矩阵校正法对均匀偏振场本底图像和信息丰富场景图像的校正效果,定量分析结果表明,矩阵校正法将均匀本底图像的非均匀性降至校正前的10%左右。     

磁控溅射台镀膜形貌及均匀性改善研究

针对目标磁控溅射台通孔结构侧壁覆盖能力差、镀膜均匀性差(8％左右)的问题进行设备优化改造;通过结构优化,其在高深宽比结构上的镀膜能力显著提升;同时将各类金属镀膜的均匀性指标提升至3.5％左右,提高金属薄膜性能可靠性,满足了工艺上各种高深宽比加工工艺的要求.     

表面电镀铜均匀性实验研究与改善

文章主要介绍通过实验分析,从数据中找出异常点,并制定相应方案,再通过实验验证,最终有效的改善了电镀均匀性的问题,为改善电镀均匀性提供了一些实用的参考方法。