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4.2GHz 1.8V CMOS LC压控振荡器 总被引:1,自引:0,他引:1
基于Hajimiri提出的VCO相位噪声模型,分析了差分LC VCO电路参数对于相位噪声的影响。根据前面的分析,详细介绍了LC VCO电路的设计方法:包括高Q值片上电感的设计、变容MOS管的设计以及尾电流的选取。采用SMIC 0.18μm 1P6 M、n阱、混合信号CMOS工艺设计了一款4.2GHz 1.8V LC VCO。测试结果表明:当输出频率为4.239GHz时,频偏1MHz处的相位噪声为-101dBc/Hz,频率调节范围为240MHz。 相似文献
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本文实现了一种集成高品质因素片上电感的差分互补压控振荡器。该压控振荡器的谐振腔由片上电感和反型MOS电容并联组成。谐振腔的品质因素主要被片上电感性能所限制。通过优化设计以及采用单圈的拓扑结构,片上电感在6GHz仿真的品质因素可以达到35。本文提出的压控振荡器采用SMIC0.13微米工艺流片,芯片面积为1.0×0.8mm2。振荡器的频率范围为5.73GHz到6.35GHz。当振荡器中心频率为6.35GHz时,其功耗在1.0V电源电压时为2.55mA,1MHz频偏处相位噪声为-120.14dBc/Hz。该压控振荡器的FOM值达到-192.13dBc/Hz. 相似文献
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分析了LC压控振荡器(VCO)相位噪声,通过改进电路结构,采用PMOS和NMOS管做负阻管,在尾电流源处加入电感电容滤波,优化电感设计,设计了一种高性能压控振荡器.采用TSMC 0.18 μm IP6M CMOS RF工艺,利用Cadence中的Spectre RF工具对电路进行仿真.在电路的偏置电流为6 mA、电源电压VDD=1.8 V时,输入控制电压为0.8~1.8 V,输出频率变化为1.29~1.51 GHz,调谐范围为12.9%,相位噪声为-134.4 dBc/Hz@1MHz,功耗仅为10.8 mW. 相似文献
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李长生 《无线电技术(上海)》2006,(1):56-61
相位噪声是压控振荡器(VCO)的关键参数之一。本文阐述了VCO相位噪声的特性,分析了时不变和时变两种相位噪声模型,给出了优化相位噪声的方法。 相似文献
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一种基于BiCMOS工艺的差分压控振荡器 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了一种Colpitts型LC振荡器。该电路采用差分结构,具有集成度高,噪声性能良好的优点。该设计基于0.8μm BiCMOS工艺,实现了中心频率为433MHz的Colpitts型差分压控振荡器(VCO)。电路采用3V电压供电,频率范围399.8~465.1MHz,偏离中心频率1MHz处的相位噪声是-137dBc/Hz。 相似文献
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一种采用交错耦合VCO和高速前置分频器的频率合成器 总被引:3,自引:0,他引:3
文章提出了一种采用延迟单元交错耦合压控振荡器(VCO)和高速双系数前置分频器的锁相环(PLL)频率合成器设计方法。采用0.25μm的CMOS工艺模型,在Cadence环境下模拟,在相同级数情况下,设计获得的VCD比传统顺序连接的VCO速度快1.4倍;运用动态D触发器实现的双系数前置分频器,最高速度可达2GHz。该锁相环频率合成器在400MHz-1.1GHz的宽频范围内都能保持良好的相位跟踪特性,温度系数为886ppm/℃,电源反射比为3.3%/V。 相似文献
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采用0.35 μm BiCMOS工艺,设计了一款基于开关电容阵列结构的宽带LC压控振荡器.同时分析了电路中关键参数对相位噪声的影响.基于对VCO中LC谐振回路品质因数的分析,优化了谐振回路,提高了谐振回路的品质因数以降低VCO的相位噪声.采用噪声滤波技术,减小了电流源晶体管噪声对压控振荡器相位噪声的影响.测试结果表明,优化后的压控振荡器能够覆盖1.96~2.70 GHz的带宽,频偏为100 kHz和1 MHz的相位噪声分别为-105和-128 dBc/Hz,满足了集成锁相环对压控振荡器的指标要求. 相似文献
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