半导体硅材料的进展与发展趋势

本文叙述了近年来国际国内半导体材料的发展状况及未来的发展方向，同时叙述了半导体工业对硅材料的要求，并提出了我国发展硅材料的建议。     

低硅电解金属锰试验

阐述了电子工业发展对电解锰产品中Si含量的要求，分析了生产中Si的主要来源，提出了降Si的理论依据，措施与途径。     

太钢高炉降硅研究与实践

本文简要介绍了太钢在降低铁水硅含量过程中所做的研究工作、采取的措施、降硅的效果及效益情况。     

硅钼蓝光度法测定硅铬合金中硅含量

将经典的氟硅酸钾碱滴定法改为硅钼蓝光度法快速测定硅。试样用硝酸和氢氟酸溶解,多余的氢氟酸用饱和硼酸溶液配合,在一定酸度下,加入钼酸铵与硅酸生成黄色的硅钼杂多酸,再加入草酸以破坏磷等与钼酸铵形成的杂多酸并络合三价铁,最后加入硫酸亚铁铵将硅钼黄还原为硅钼蓝,然后用分光光度法测定硅含量的方法。实验结果表明,在0.1～0.6mol/L的酸度下,正硅酸与钼酸铵生成硅钼杂多酸,选择硅钼蓝的吸收波长在660nm处,表观摩尔吸光系数为ε=8.69×103L·mol-1·cm-1,Si的浓度在0～500mg/100mL范围内符合比尔定律,相关系数r=0.9998。本方法应用于硅铬合金中硅含量的测定,方法选择性强,且缩短了分析周期。     

硅铁渣代替硅铁粉在电炉炼钢中的应用

本文概述了以硅铁渣粉全部代替硅铁粉在电炉炼钢扩散脱氧中的工业试验情况。试验表明:在冶炼一般钢种中可以硅渣粉取代硅铁粉,但要根据硅渣粉的硅和碳化硅的含量,适当增加其吨钢使用量。     

高碳铬铁冶炼中的硅行为浅析

论述了高碳铬铁冶炼过程中合金含硅量的变化规律及其影响因素，并据此提出了控制高碳铬铁含硅量的措施。     

钛矿渣电热法制取钛硅合金时直流电作用的实验研究

本文研究了实验条件下钛矿渣直流电硅热法制取钛硅合金直流电对渣中ＴｉＯ２还原贫化的作用，研究表明：直流电所特有的电解还原和金属液滴电泳沉降对渣中ＴｉＯ２的还原及合金微粒的沉降均有促进作用，外加直流电可使渣中ＴｉＯ２贫化速度，合金中钛含量，合金收率得率，钛回收率升高，合金中硅含量，残渣中ＴｉＯ２含量降低，半工业性试验结果与此类似。     

直接钼蓝光度法测定高纯二硫化钼中微量硅

对不分离样品主体钼条件下，直接用钼蓝光度法测定硅进行了深入研究；在标准系列中加入钼基体，补偿了钼的影响，加入乙醇消除了溶样产生的钼蓝的干扰，所拟的测定高纯二硫化钼中微量硅的方法，准确度、精密度均好；硅含量为0．034％，RSD为8．8％。此方法已应用到钼化学品生产的实际分析，效果良好。     

Fe—3%Si合金（110）表面上Sn和Si的偏析

使用带原位置加热装置的俄歇电子能谱仪研究了含残余Ｓｎ为０．０１３％的Ｆｅ－３％Ｓｉ单晶的（１１０）表面偏析。将该合金加热到约７００ｋ以上，Ｓｉ偏析发生用于氢离子溅射后的表面，偏析动力学的结果表明，通过用离子轰击产生的表面损伤增强了偏析过程，已发现在高温下Ｓｉ在表面上被Ｓｎ所取代，Ｓｎ的偏析过程为由基体内向表面的大量扩散所控制。Ｓｉ和Ｓｎ的表面偏析发生在次表层；在Ｓｎ偏析的同时，在Ｓｎ偏析层之下形成     

硅热法冶炼低,微碳铬铁过程硅氧化损耗机理及对经济效益影响浅析

分析了电硅热法和热兑法冶炼低、微碳铬铁过程硅的氧化损耗机理及对技术经济指标的影响。指出增加硅的氧化损耗可增加产量、降低电耗、提高生产效益，具有一定的实际意义．     

铁水含硅量传感器的应用

近年来,为了适应钢材高级化的要求,开发了以炉外脱磷为中心的新的炼钢方法,并对其关键之一的高炉炉前铁水脱硅处理予以了注意。在炉前脱硅过程中,为了使下步工序脱磷处理能够顺利进行,要求把脱硅后的铁水含硅量控制在容许范围内,最近为了使脱磷费用最佳化,脱磷前铁水的含硅量正在接近适当范围。为了使脱硅处理后硅含量达到适当数值,有必要测定铁水含硅量,并控制脱硅剂的投入量。可是,采用以往的发光分析法,从取样到判明要耽搁30～40min 左右,不能适用于控制。其次,饮水含硅量是高炉炉况的重要指标之一,从硅成分的控制和炉况管理两方面考虑,都希望能实现铁水含硅量迅速测定。日本钢管公司福山钢铁厂根据千叶工业大学雀部实教授的方案,与大阪氧气工业公司共同开发了应用氧传感器双层电解质型的铁水含硅量传感器,并在该厂2号高炉顺利使用。     

太钢180tLF炉低硅铝镇静钢的冶炼实践

研究了低硅铝镇静钢的增硅现象,提出了解决办法。结果表明,控制此类钢增硅量的主要的措施是控制钢中的Al的质量分数不过高、保证渣碱度、减少转炉下渣量以及合适的LF炉终渣。     

莱钢第一铁厂3号高炉降硅操作

本文介绍了莱钢一铁厂３号高炉在１９９３年１２月和１９９４年１月降硅操作的主要措施，并就有关问题进行了分析。