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用NH4F/H2O2对Br2-MeOH抛光CdZnTe晶片表面进行了表面钝化处理,通过I-V测试及XPS分析分别对钝化前后的CZT晶片的电学性能和表面组成进行了表征。I-V测试结果表明NH4F/H2O2对CdZnTe晶片表面有较好的钝化效果,电流下降率随所加偏压的增加而下降。在10V偏压下,电流下降最明显,下降率为73.7%。与欧姆定律发生偏离的临界场强为333V/cm。XPS分析发现,用NH4F/H2O2处理可使CdZnTe表面富集的Te79.28%被氧化成TeO2,氧化层的厚度约为3.15nm。钝化后的表面更接近CdZnTe的化学计量配比。 相似文献
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表面漏电流引起的噪声会限制CAznTe(CZT)探测器的性能。尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关。本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺:采用H2O2溶液和KOH—KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化。借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系。AES结果表明KOH—KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I-V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果。CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp^3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的。DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流。 相似文献
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采用扫描电镜及EDS测试研究了高电阻CdZnTe金电极与外引线的超声焊接工艺,探讨了CdZnTe表面处理工艺、接触电极厚度及焊接参数对引线超声焊接质量的影响规律.研究结果表明,经机械抛光表面处理的CdZnTe晶片,其金电极与外引线间容易实现超声焊接;CdZnTe电极厚度与引线焊合率之间呈抛物线关系,获得最佳焊接质量的电极厚度为180nrn左右.楔入压力和焊接功率是影响CZT金电极与引线焊接质量的重要因素,当焊接功率为2W、焊接压力为60×10-3kg、焊接时间20ms和烧球强度1.5W时,易获得良好的CdZnTe金电极与引线焊接接头. 相似文献
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本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。 相似文献
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采用未经准直能量为5.48MeV的241 Amα粒子,研究了温度在230~300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱。同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温度的变化规律。研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小。而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧。而温度降低可以减少提高探测器的能量分辨率。 相似文献
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一种耐蚀性能较好的锡青铜钝化工艺 总被引:1,自引:1,他引:0
为提高锡青铜钝化膜层的耐蚀性,在传统铜合金钝化液体系的基础上,利用正交试验法对钝化液组分进行了优化,并研究了工艺参数对钝化膜外观和耐蚀性的影响.所得最佳工艺条件为:150 g/L重铬酸钾,15 mL/L硫酸,1 g/L氯化钠,室温,时间10~15 s.结果表明,采用该工艺能获得外观艳丽、光亮,颜色均匀,附着力好的膜层,其点滴试验耐蚀性大于30 s. 相似文献
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铝材无烟化学抛光剂的研制 总被引:1,自引:1,他引:0
为了消除传统的三酸抛光对环境和人体健康的危害,开发了以磷酸-硫酸为基液的无烟化学抛光技术.该技术的关键是在基础液中添加一些具有特殊作用的化合物来替代硝酸,在H3PO4(85%):H2SO4(98%)=(2.5~3.0):1.0,ρ(Al3 )=5~12 g/L,复合添加剂量为3~8 g/L,温度为95~115 ℃,时间为2.5~4.0 min的条件下,可以提高化学抛光质量,抑制铝材的点蚀,减缓全面腐蚀,获得较好的抛光效果. 相似文献
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本文介绍了一种温和简洁的硅表面化学清洗方法,它主要包括H2SO4:H2O2溶液清洗和HF:C2H5OH刻蚀两个过程。清洗前后的硅表面用原子力显微镜(AFM)、X射线光电子能谱(XPS)和反射高能电子衍射(RHEED)等技术进行表征。结果表明,运用此方法能得到平整清洁的Si表面。为了延缓H-Si表面在空气中被氧化的速率和防止杂质污染,我们提出用无水乙醇(C2nsOH)来保护H-Si表面。300℃除气前后XPS的对比结果表明,清洗后的Si表面不存在B,但吸附少量F,以及化学吸附和物理吸附都存在的C和O。根据Si2p芯能级的同步辐射光电子能谱(SRPES),可以确定Si氧化物薄膜的厚度只有一个单层,经1000℃退火25min后,XPS和SRPES的结果表明Si表面已经非常清洁,并且出现了两个Si的表面态。 相似文献
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环保型铜及其合金化学抛光与钝化新工艺 总被引:5,自引:1,他引:4
为了提高铜及其合金的表面抗变色能力,研制了一种环保的化学抛光工艺和含稀土盐的新型钝化工艺.对抛光与钝化后的试件进行检验,并利用硝酸点滴法及扫描电镜对钝化膜进行了检测,介绍了各组分在抛光液与钝化液中的作用机理,最后简述了常见问题与解决办法. 相似文献
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