SiC的光谱特性研究

综合分析了３Ｃ－ＳｉＣ、４Ｈ－ＳｉＣ和６Ｈ－ＳｉＣ的光致发光谱,总结了它们的光谱特性,特别分析了ＳｉＣ结构中的不等价晶位对ＳｉＣ的光致光谱的影响。     

化学气相沉积制备SiC涂层：I.热力学研究

对化学气相沉积（ＣＶＤ）法制备ＳｉＣ的热力学进行了系统研究，考察了Ｈ２－ＭＴＳ，Ａｒ－ＳｉＯ－Ｃ，Ｈ２－ＳｉＯ－ＣｘＨｙ，Ｈ２－ＳｉＨ４－ＣｘＨｙ等体系，着重研空了温度、压力、载气量和图对ＣＶＤ法制备ＳｉＣ的实验具有指导作用。     

SiC陶瓷常压烧结研究

研究了ＳｉＣ粉末粒度、助剂Ａｌ２Ｏ３＋Ｙ２Ｏ３加入量和Ａｌ２Ｏ３与Ｙ２Ｏ３的配比等因素对ＳｉＣ陶瓷材料性能的影响。结果表明，添加Ａｌ２Ｏ３＋Ｙ２Ｏ３助剂可实现ＳｉＣ陶瓷的低温（１８５０℃）常压烧结。ＳｉＣ粉末粒度是影响可烧结性的重要因素之一，助剂加入量为２０％，Ａｌ２Ｏ３与Ｙ２Ｏ３之比为１：１时材料性能较好。     

SiC颗粒强化铝基复合材料及其断裂韧性

介绍了ＳｉＣ颗粒强化铝基复合材料的性能及一些应用，阐述了ＳｉＣ颗粒的体积百分比对ＳｉＣ颗粒强化的６０６１铝合金复合材料的断裂韧性及断裂机理的影响。     

SiC微粒对Ni—W—SiC复合镀层工艺及性能的影响

讨论了工艺参数对镀层成份的影响及热处理方式对Ｎｉ－Ｗ－ＳｉＣ复合镀层组织结构、硬度和耐磨性的影响。结果表明，采用电沉积工艺，可得到含Ｎｉ５０％￣５５％、Ｗ４２％￣４５．４％、ＳｉＣ３．０％￣７．６％的复合镀层。Ｎｉ－Ｗ－ＳｉＣ复合镀层在镀态时为非晶态，经５００℃热处理１ｈ或氮碳共渗后，镀层已晶化，产生了镍固溶体和少量的γ－ＦｅＮｉ相，经氮碳共渗后还有ＷＣ和ＷＮ相。ＳｉＣ微粒的加入显著地提高了Ｎｉ－     

SiC陶瓷的反应合成及Ni添加剂对其合成温度的影响

利用Ｓｉ和Ｃ粉末的自蔓延高温合成反应合成ＳｉＣ陶瓷，研究合成温度对反应产物形貌和组成以及Ｎｉ添加剂对合成温度的影响。试验结果表明ＳｉＣ陶瓷的最低合成温度在１５００℃￣１６００℃之间，添加适量的Ｎｉ粉后，可以有效地降低ＳｉＣ的合成温度。     

用红外吸收法测定碳化硅试样中SiC含量

用红外吸收法直接测定ＳｉＣ中元素含量，再换算成ＳｉＣ是碳化硅蔗样分析的一种简捷、快速的分析方法。     

关于高炉SiC砖的破损机理及延长其使用寿命的研究

由于ＳｉＣ质耐火材料具有较好的抗磨损性，抗氧化性和抗碱侵蚀性，用在高炉炉身部位可延长其使用寿命。分析了ＳｉＣ质耐火材料的侵蚀机理和影响其寿命的因素。介绍了ＳｉＣ质砖在鞍钢６号高炉的应用情况。提出了几点延长ＳｉＣ砖衬寿命的措施。     

SiC晶须的生产及其在碳复合耐火材料中的应用

讨论了ＳｉＣ晶须生长的ＶＬＳ和ＶＳ机理，展望了原位生长的ＳｉＣ晶体在碳复合耐火材料中增强、增韧的应用前景。     

自蔓延高温合成（SHS）制备β－SiC陶瓷材料的研究

对采用预热碳粉和硅粉的ＳＨＳ工艺合成β－ＳｉＣ的方法进行了理论性阐述，提供了可供选择的工艺参数。对合成的细颗粒β－ＳｉＣ粉末进行了Ｘ射线衍射分析、扫描电镜和粒度分析，为用ＳＨＳ法生产细颗粒纯β－ＳｉＣ粉末提供了一条更经济、高效的途径。     

SiC/MoSi_2复合粉末等离子体反应制备方法

在１９９８年５月法国尼斯召开的第１５届国际热喷涂会议上,来自法国国家生物材料研究所的Ｘ．Ｆａｎ等研究人员发表论文,介绍了一种用高温等离子反应制备ＳｉＣ－ＭｏＳｉ２复合粉末的新方法。研究者认为,采用添加ＳｉＣ对改善高温结构ＭｏＳｉ２材料的机械性能亦是最好的二相增强剂。ＭｏＳｉ２粉末以一种Ａｒ－Ｈ２－ＣＨ４感应等离子方法进行飞行碳化处理。使用能起粉末控制（运载）气体和“先躯物”作用的甲烷与ＭｏＳｉ２反应生成原位ＳｉＣ相。在研究实验条件下亦使大约８．０％的碳溶合到ＭｏＳｉ２粉粒中。用ＸＲＤ、ＳＥＭ和Ｅ…     

化学气相沉积制备SiC涂层—Ⅱ.动力学研究

对Ｈ２－ＭＴＳ体系化学气相沉积制备ＳｉＣ涂层进行了实验研究。结果表明，热力学计算能够对Ｈ２－ＭＴＳ体系单相ＳｉＣ的沉积进行很好的预报。动力学实验显示：在８００￣１０００℃之间，沉积过程由化学动力学控制，此时ＭＴＳ热解为一级反应，反应活化能为１９９ｋＪ／ｍｏｌ，而在１０００￣１１５０℃之间沉积过程由扩散控制。ＸＲＤ结果显示制备的是β－ＳｉＣ，形态为球形，涂层的生长可以用三维形核生长模型来描述。     

用化学复合镀工艺制备的Ni—P—SiC镀层材料的组织,热处理和性能

使用化学复合镀工艺获得了Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＣ金属陶瓷镀层材料，镀层中ＳｉＣ质点分布均匀，利用差热分析曲线讨论了可获得的好耐磨性能热处理制度，比较了Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＣ和Ｎｉ－Ｐ镀层的硬度和耐磨性能。     

添加剂及温度对Al_2O_3－C质耐火材料中SiC晶须形成的影响

通过实验研究了加入特殊硅，活性炭等及温度对Ａｌ２Ｏ３－Ｃ质耐火材料中ＳｉＣ晶须形成的影响。结果表明，加入特殊硅及活性炭可使ＳｉＣ晶须发育得更好，并且Ａｌ２Ｏ３－Ｃ质耐火材料中ＳｉＣ晶须形成的适宜温度应在１２００℃＜Ｔ＜１４００℃之间。     

含碳化硅的耐火材料制品中SiC含量的测定

介绍了含碳化硅的耐火材料制品中ＳｉＣ含量的测定方法,即采用氢氟酸挥散除去ＳｉＯ２,以混合溶剂在１０５０℃的高温炉中熔融分解试样,以盐酸溶液浸取,用硅钼蓝光度法测定溶液中硅含量,再换算为ＳｉＣ含量。该方法操作简单,分析结果稳定、可靠。     

超细SiC粉的组分分析和纯度评估

探讨了电弧等离子体气相反应的合成的ＳｉＣ超微粉主要组分及杂质的分析方法，总硅－高氯酸脱水重量法，总碳－高频感应红外吸收法，游离硅－逸氢热导法，游离碳－差热电位滴定法，氯－原子吸收法，金属杂质－ＩＣＰ法，程序升温红外检测，并用ＡＥＳ和ＦＴ－ＩＲ作粉体表面氧分析，根据碳，硅和氧的状态结果，拟合出正确评估ＳｉＣ纯度的方法，对超细粉杯放置氧机制作了探讨。     

稀土对电沉积Ni—W—B—SiC复合镀层组织结构及性能的影响

研究了加入稀土对电沉积Ｎｉ－Ｗ－Ｂ－ＳｉＣ复合镀层的成份,结构,表面形貌,硬度等性能的影响规律。结果表明,加入稀土有利于ＳｉＣ与Ｎｉ－Ｗ－Ｂ的共沉积,使镀层结晶细化,ＲＥ－Ｎｉ－Ｗ－Ｂ－ＳｉＣ复合镀层的硬度高于Ｎｉ－Ｗ－Ｂ－ＳｉＣ复合镀层。     

稀土对Cr（Ⅲ）电镀、镀Cu及Ni－P－SiC复合镀的影响

研究了稀土在三价铬电镀、镀铜及Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＣ复合镀中的作用，其结果扩大了三价铬电镀的光亮区范围，提高了Ｎｉ－Ｐ－ＳｉＣ复合镀层的硬度和耐磨性，增加了铜镀层与基体的结合力。     

SiC高温辐射涂料在热工炉窖上的应用

在炉壁内表面涂刷ＳｉＣ高温辐射涂料，可强化炉内辐射传热、提高炉窑热效率，并延长炉体的使用寿命。     

RS—Si3N4／SiC复相耐火材料的组织与性能

利用三点弯曲试验,ＲＸＤ,ＳＥＭ等手段了原料组成对ＲＳ－Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣ复相耐火材料的密度、抗折强度、抗热震能力以及相组成、显微组织和断口形貌的影响,结果表明,当原料中硅质量分数为２５％时,Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＣ复相耐火材料具有最高的抗折强度和抗震稳定性产生,论文对此种材料的相结合,显微组织和断口形貌进行了分析。