平板显示行业用金属溅射靶材的市场需求分析

薄膜晶体管液晶显示面板(TFT-LCD)是当前的主流平面显示技术,而金属溅射靶材是制造TFT-LCD过程中最关键的材料之一。目前,国内主流的8.5代液晶显示面板生产线所使用的金属溅射靶材,以铝、铜、钼和钼铌合金等四种靶材的需求量最大,且每套包含12块条靶,每块条靶的尺寸约为:2650 mm×210 mm×18 mm。其中,铝靶和铜靶主要被爱发科电子材料有限公司等日资企业主导,钼条靶正在被国内的洛阳高新四丰电子材料有限公司等企业全面替代,钼铌合金主要被日本日立金属和德国世泰科所垄断。     

集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料，对实现集成电路用靶材的全面自主可控，推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求，梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状，涵盖高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制备关键技术及工程化方面存在问题的基础上，着眼领域2030年发展目标，提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点发展方向：提升材料制备技术水平，攻克高性能靶材制备关键技术，把握前沿需求开发高端新材料，提升材料分析检测和应用评价能力。研究建议，开展“产学研用”体系建设，解决关键设备国产化问题，加强人才队伍建设力度，掌握自主知识产权体系，拓展国际合作交流，以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。     

高纯钛靶表面处理技术开发

高纯钛溅射靶现在已广泛应用于半导体装置制造的金属镀工艺中,日本的日矿材料公司生产高纯钛溅射靶、铜、钽、钴、钨、镍等高纯金属以及合金靶、钛硅化物靶等,供给全世界的半导体厂家.     

磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算研究

提出了一种铜靶刻蚀形貌模拟方法,基于靶材溅射率与靶材表面磁场水平分量成正比的假设,以美国应用材料公司的小行星PVD磁控溅射装置为算例,实现了复杂运动轨迹铜靶刻蚀形貌的模拟,仿真计算结果与实际设备中铜靶刻蚀形貌有较好的一致性,为通过磁场分布研究靶材刻蚀形貌提供了一种理论方法。     

全球第一条10.5代高世代线电子厂房工程封顶

<正>近日,合肥京东方第10.5代薄膜晶体管液晶显示器件(TFT-LCD)生产线项目正式封顶,成为全球第一条10.5代线、最高面板世代线、体量最大的高科技电子厂房。该项目位于安徽省合肥市新站综合开发试验区,总投资额400亿元。项目主要生产65英寸以上8K超高分辨率液晶显示屏,设计产能为每月9万片玻璃基板(3370mm×2940mm),预     

钼板轧制及热处理工艺对溅射薄膜微观组织及性能的影响

通过研究钼金属靶材轧制变形量及热处理工艺对溅射薄膜的微观组织、表面粗糙度及晶形的影响,结果表明:变形量为80%的钼靶材溅射制备的薄膜晶化程度优于变形量小的靶材溅射薄膜;溅射相同的薄膜厚度,随着靶材变形量的增大,溅射薄膜的方阻越大;1373K退火靶材溅射薄膜的粗糙度最小,表面颗粒最细小均匀,晶粒取向明显。     

集成电路用钽溅射靶材制备工艺研究

金属钽可作为集成电路中铜与硅基板的阻隔层材料,以防止铜与硅扩散生成铜硅合金影响电路性能。采用钽靶材通过物理气相沉积技术溅射钽到硅片上。靶材晶粒尺寸与织构取向影响溅射速率及溅射薄膜均匀性,要求钽靶材晶粒尺寸应小于100μm,在靶材整个厚度范围内应主要是(111)型织构。同时,为了避免薄膜存在杂质颗粒,要求钽靶材纯度不小于99.99%。本文对钽靶材电子束熔炼、锻造、轧制、热处理等关键工艺进行了系统研究,找到了一种有别于常规钽靶材生产工艺的新方法,所生产产品化学纯度、晶粒尺寸、织构等性能优良,产品成品率高,适于批量化生产。     

溅射镀膜用铌靶材晶粒尺寸控制工艺研究

铌靶材主要应用于表面工程材料,如船舶、化工、液晶显示器(LCD)以及耐热、耐腐蚀等镀膜行业。作为被溅射的基材,为了获得均匀一致的薄膜淀积速率,对溅射铌靶材的主要要求是均匀的组分、合适的颗粒尺寸以及具体的结晶学取向。本文主要研究在实际生产中,锻造工艺、轧制工艺以及热处理工艺对溅射镀膜用铌靶材晶粒尺寸的影响。通过多次试验,得到合理的锻造工艺、轧制工艺以及热处理工艺,从而对铸锭晶粒进行彻底的破碎和再结晶,最终得到晶粒尺寸小于100μm,且均匀一致的等轴晶组织,满足了溅射镀膜用铌靶材要求的晶粒尺寸和均匀等轴晶组织。     

第十九讲 真空溅射镀膜

<正>近年来,随着溅射设备及工艺方法的不断创新,无论是金属,还是其他材料均可用溅射技术制备薄膜,满足各行各业的需求。5.2直流二级溅射普通直流二极溅射是在溅射靶材上施加直流负电位(称阴极靶),阳极为放置被镀工件的基片架。直流二极溅射装置如图20所示,在真空镀     

新型高耐蚀材料：电极用Mo-Nb合金

据报导，不久前日立金属开发出第五代钼合金靶，并作为铬单层电极的代替材料而被使用。该公司先后开发了在钼中分别添加了钨、铌、钒的合金，其中Mo-Nb合金不但大大改善了纯钼的缺点，而且其耐腐性大大提高，同时也不发生膜剥离和     

CuNiSi溅射薄膜热性能与溅射靶材中稀土元素加入量之间关系的研究

应用光热辐射和光学速反射的方法了靶材中Ｌａ系混合稀土元素加入量对ＣｕＮｉＳｉ溅射薄膜热性能的影响。靶材中Ｌａ系混合稀土元素的加入引起被溅射薄膜热行为的差异,随着靶材料中Ｌａ系稀土元素加入量的提高,被溅射的ＣｕＮｉＳｉ薄膜的热扩散系数α也增加。     

粉末法制取钼铜合金的微观结构

使用高倍电子显微镜分析了钼铜合金的微观结构，此种合金是把机械活化处理后的钼、铜粉末，通过液相烧结制成的，这种合金是目前集成电路急需的热耗散材料。微观分析表明：铝铜合金具有均匀分布的钼、铜两相组织，钼晶粒多为条状，被铜完全包裹的单个卵形钼晶粒较少存在。钼晶粒与铜相之间存在宽度为１０～２０ｎｍ的过渡区。也讨论了具有这种微观结构合金的一些性能。     

可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用

用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层.通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制,进而实现对最后元素配比的控制.实验中发现,在一个溅射周期中,Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大,其次是In靶溅射时间,非溅射时间的长短对成分也有影响.交替溅射制备的铜铟镓硒预置层经过XRD检测,合金相主要为Cu11In9.     

真空电子束焊接技术应用研究现状

简要概括了真空电子束焊接技术在不同材料连接方面的应用现状及研究发展动态,包括铝及其合金、钢铁材料、铜及铜合金、钛及钛合金、难熔金属钨/钽/铌/钼及其合金、金属间化合物及复合材料电子束焊接的发展现状。针对电子束焊接技术,简述了国内外学者已取得的部分研究成果,包括工艺试验、组织分析、数值模拟和力学性能等;分析了目前电子束焊接技术在材料连接方面还存在的问题,并展望了电子束焊接技术应向高温新型结构材料、异种材料、功能复合材料等方向发展,丰富了连接过程中的理论基础,揭示了工艺与组织及性能的对应关系,扩展了电子束焊接技术的应用领域。     

超细钼铜复合粉末的制备工艺研究

钼铜合金是两种互不相溶的假合金,与钨铜合金相比,钼铜材料的密度较低,且其容易变形加工,被广泛用于航空航天、电力、电子等行业.研究了制备钼铜合金原料粉末--超细钼铜复合粉的制备工艺.用SEM和TEM的选区电子衍射图观察了不同球磨方式和不同球磨时间钼铜复合粉末的粒度和形貌.结果表明:①普通球磨、行星球磨无法得到结构和成分分布均匀的纳米合金粉,而高能球磨方式可以得到;②经过25 h高能球磨可以得到结构和成分分布均匀,尺寸为30mm的合金粉末.     

新型等离子体束溅射镀膜机

本文介绍了新型的等离子体束溅射镀膜机的系统组成、特点、试验结果等内容.该镀膜机将等离子体发生和控制技术应用于溅射镀膜中,克服了磁控溅射的靶材利用率低及难以沉积铁磁性材料的缺点.使用该镀膜机成功地进行了溅射镀膜的试验,试验结果得到了刻蚀均匀性较高的靶材,其靶偏压与靶电流的关系与国外结果相吻合.     

西北有色金属研究院研制出大规格钼铌合金化单晶

2004年8月,西北有色金属研究院研制出目前国内最大规格钼铌合金化单晶,单晶尺寸为φ31 mm×610 mm,此项研究成果填补了国内同类产品的空白.     

第十九讲 真空溅射镀膜

<正>(接2015年第3期第80页)电子e在电场E作用下被加速,在飞向基体的过程中与Ar气原子发生碰撞,若电子具有足够的能量(约30 e V),则电离出Ar+和一个e,电子飞向基片,Ar+在电场E作用下加速飞向阴极靶并以高能量轰击靶表面,使靶材产生溅射。在溅射粒子中,中性的靶原子(或分子)沉积在基片上形成薄膜。同时被溅射出的二次电子在阴极暗区被加速,在飞向基片的过程中,落入正交电磁     

第8代TFT-LCD工厂特点分析

我国薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)产业是从2004年开始真正发展起来的,经过近10年的发展,已经有包括上海中航光电子有限公司(简称"上海中航")(即原上海广电NEC光电子有限公司)、北京京东方光电科技有限公司(简称"京东方光电")、昆山龙腾光电有限公司(简称"龙腾光电")、深超光电(深圳)有限公司(简称"深超光电")4条5代线量产,上海天马微电子有限公司(简称"上海天马")、成都京东方光电科技有限公司(简称"成都京东方")、成都天马微电子有限公司(简称"成都天马")、武汉天马微电子有限公司(简称"武汉天马")4条4.5代线量产,合肥京东方光电科技有限公司(简称合"肥京东方")、南京中电熊猫液晶显示科技有限公司(简称"中电熊猫")2条6代线量产,北京京东方显示技术有限公司(简称"京东方显示")、深圳市华星光电技术有限公司(简称"华星光电")2条8代线量产,中国大陆迎来了TFT-LCD面板产业发展的新高潮.     

不同非平衡度磁场环境中溅射等离子体的诊断与分析

采用Langmuir探针对两种不同非平衡度磁场环境中(K值分别为2.78和6.41)的溅射等离子体进行诊断,并使用高斯仪测量靶材表面的磁感应强度,结合靶材表面磁场分布的Ansys软件模拟,分析了等离子体在非平衡磁场环境中的运动规律。结果表明:磁控阴极内侧(靶材表面中部)的溅射等离子体主要参数(离子密度、电子密度及电子温度)在两种不同非平衡度磁场中都具有随靶基距增大而逐渐减小的趋势,大量带电粒子从磁控阴极外端向远离靶材表面的区域运动;K为2.78时的等离子体参数在靶材表面的刻蚀环正上方60 mm范围内明显高于K为6.41时,前者靶材表面的磁感应强度大于后者;向外发散的磁力线数量随K值的增大而增多。