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相似文献
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1.
张济志  王圩 《半导体学报》1996,17(3):231-235
采用LP-MOCVD和LPE相结合,成功地研制了吸收型部分增益耦合MQW-DFB激光器,扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅,表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的。  相似文献   

2.
1.3μm应变MQW增益耦合的DFB激光器,在温度高达120℃时实现了单模和高功率工作。由于增益耦合效应,使两种布拉格模式存在着很大的模态端面损耗率,从而使激射波长保持了稳定,通过室温时的激射波长对材料益峰值的长波长侧的失谐,使阀值电流受温度的影响很小,这就有效地补偿了较高温度时的波导损耗。在某些温度范围内(取决于失谐值),能实现无限特性温度T0。  相似文献   

3.
本文在国内首次报道了采用直接刻蚀有源区技术在应变多量子阱有源区结构基础上制作了1.3μmInGaAsP/InP部分增益耦合DFB激光器,器件采用全MOVPE生长,阈值电流10mA,边模抑制比(SMSR)大于35dB,在端面未镀膜情况下器件单纵模成品率较高  相似文献   

4.
建立了基于1.3μm增益开关分布反馈式(DFB)半导体激光器的外电光采样系统.通过微小的LiTaO3电光探头做为电场传感器,实现了对具有重复频率的快速电脉冲波形的光学采样测量.实验测量了光电器件的脉冲响应及微带传输线上的梳状波波形.系统的性能分析表明该系统具有18GHz的带宽.  相似文献   

5.
本文介绍1.55μm波长可调谐DFB激光器的结构及特性。激光器腔长为250μm。隔离电阻约60Ω。在总电流恒定时,波长调谐范围超过15A(190GHz)。边模抑制比(SMSR)大于30dB。  相似文献   

6.
采用一级全息光栅和二步液相外延法研制出高稳定单纵模工作的1.55μm分布反馈(DFB)激光器.20℃时连续工作阈值电流I_(th)为40mA,单纵模光功率为7.5mW.在70℃高温和 1GHz正弦信号调制下保持边模抑制比(SMSR)大于 30dB的单纵模工作,最高SMSR大于38dB.线宽△v为30MHz.单纵模产率Y_(SLM)48%.70℃环境下通电100mA连续24小时老化后,阈值电流变化率△I_(th)/I_(th)(20℃)≤10%,SMSR未劣化.该DFB激光器首次在国内实用化五次群光纤通信系统(传输码635Mb/s、RZ)上实现70.7km普通光纤无中继传输.  相似文献   

7.
据《Eleceronics Letters》1993,20(10)报道:美国贝尔中心已在半绝缘InP衬底上制造出一种具有很低寄生电容并作为激光器动力学性能研究的1.5μm压缩-应变多量子阱增益耦合分布反馈激光器。  相似文献   

8.
9.
证实了1.32μm波长上运转的输出功率大于2.0W的单模稳定连续波Nd∶YAG激光器可通过对性能较好的进口激光器进行简单的改装而获得。同时讨论了Nd∶YAG激光器在1.32μm波长上连续波调Q及连续波锁模运转的可能性.  相似文献   

10.
1IntroductionMultipleQuantumWel(MQW)Electroabsorption(EA)modulatorintegratedwithDistributedFeedback(DFB)laserisfulofpromisefo...  相似文献   

11.
我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源,为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构,本理论上分析了新型器件的可行性,优化设计了器件结构,在此基础上,采用金属有机化合物化学汽相外延技术(MOCVD)在国际上首次研制成功了该种增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件,器件电流为35mA。  相似文献   

12.
A complex-coupled DFB Laser with sampled grating has been designed and fabricated. The key concepts of the approach are to utilize the +1st order reflection of the sampled grating for laser single mode operation, and use a conventional holographic exposure combined with the usual photolithography to fabricate the sampled grating. The typical threshold current of the sampled grating based DFB laser is 25mA, and the optical output is about 10mW at the injected current of 100mA. The lasing wavelength of the device is 1.5385μm, which is the +1st order wavelength of the sampled grating.  相似文献   

13.
1.55μm DFB半导体激光器亚微米光栅   总被引:1,自引:0,他引:1  
论述了用全息技术制作1.55μm 分布反馈半导体激光器亚微米光栅的过程;优化工艺后,获得了高质量的光栅。建立了简单而准确的光栅周期测试系统。  相似文献   

14.
MultipleQuantumWel(MQW)Electroabsorption(EA)modulatorintegratedwithDistributedFeedback(DFB)laserisfulofpromisefo...  相似文献   

15.
用两步液相外延法研制出1.48μm大功率GaInAsP/InP激光器,尾纤输出功率大于30mw。用作掺饵光纤放大器的泵浦光源,双向泵浦小信号增益28dB。经较长时间的实际运行,表明器件性能稳定可靠,温度特性好。  相似文献   

16.
1IntroductionLonghaulopticalfibercommunication,multi-channeltransmisionandopticalfiberCATVsystemrequire1.31μmand1.55μmDFBlase...  相似文献   

17.
本文介绍近年来国外在研制1.3~1.55μm 波长 InGaAsP 材料系 DFB 和 DBR激光器方面取得的最新成果。  相似文献   

18.
本文首次提出了一种新型的环形GexSi(1-x)/Si波导探测器结构.器件的主体由3μm宽的环形波导构成.器件的输入端是8μm宽的波导.这两部分通过劈形波导过渡连接,各部分经过优化设计,可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率.对于器件的材料结构、电学和光学特性进行了仔细的分析与设计.结果表明,优化设计的器件其外量子效率可达28%,比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高2~3倍.而上升下降时间仍然保持在110ps左右.  相似文献   

19.
我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源.为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构.本文从理论上分析了该新型器件的可行性,优化设计了器件结构.在此基础上,采用金属有机化合物化学汽相外延技术(MOCVD)在国际上首次研制成功了该种增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件.器件阈值电流为35mA,在—5V调制电压下消光比达5dB.静态调制过程中,激射波长与阈值没有变化.  相似文献   

20.
夏瑞东  常悦  庄蔚华 《中国激光》1994,21(7):545-548
报道了在1.55μmInGaAsP/InP激光器中发现的0.95μm波长高能发光峰的一系列实验结果,并通过分析肯定了InGaAsP有源区的Auser复合是造成载流子向两侧InP限制层漏泄的主要原因,也是影响1.55μmInGaAsP/InPDH激光器T0值的主要因素。  相似文献   

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