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采用LP-MOCVD和LPE相结合,成功地研制了吸收型部分增益耦合MQW-DFB激光器,扫描显微镜照片显示了清晰的被掩埋的吸收型增益耦合光栅,表明光栅掩埋生长前升温过程磷烷的保护是成功的。 相似文献
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本文报道了用低压-金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)方法制作1.3μm应变补偿多量子阱结构材料.X射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±4级卫星峰和卫星峰间的Pendel-losong条纹.整个有源区的平均应变量几乎为零.用掩埋异质结(BH)条形工艺制备的含一级光栅的DFB激光器室温下阈值电流2~4mA,外量子效率0.33mW/mA,线性输出光功率达30mW,边模抑制比(SMSR)大于35dB.20~40℃下的特征温度T0为67K. 相似文献
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我们首次完全采用MBE技术成功地制作了内含吸收型光栅的GaAlAs/GaAs量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器,激光器在室温下的激射波长为860nm,单模单端输出光脉冲峰值功率超过20mW。器件在至少0-80℃的范围内始终保持单纵模激射,作为初步结果,条宽为5-6μm的氧化物条件形结构器件的脉冲工作阈值电流约为700mA。 相似文献
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我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源,为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构,本理论上分析了新型器件的可行性,优化设计了器件结构,在此基础上,采用金属有机化合物化学汽相外延技术(MOCVD)在国际上首次研制成功了该种增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件,器件电流为35mA。 相似文献
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我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源.为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构.本文从理论上分析了该新型器件的可行性,优化设计了器件结构.在此基础上,采用金属有机化合物化学汽相外延技术(MOCVD)在国际上首次研制成功了该种增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件.器件阈值电流为35mA,在—5V调制电压下消光比达5dB.静态调制过程中,激射波长与阈值没有变化. 相似文献
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用LPE研制的室温连续工作的1.48μm单量子阱激光器 总被引:1,自引:0,他引:1
利用液相外延(LPE)技术研制出室温连续工作的InGaAsP/InP分别限制单量子阶(SCH-SQW)双沟平面掩埋(DC-PBH)激光器。室温下,腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为23mA(激光器腔长为200μm,CW,13℃)。激射波长为1.48μm,最高输出功率达18.8mW(L=200μm.CW,18℃)。脉冲输出峰值功率大于50mW(脉冲宽度1μs、频率1kHz),未见功率饱和。量子阱的阱宽为20nm[1]. 相似文献
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研制了用Nd-YLF激光器泵浦的掺Pr^3+氟化物光纤放大器(PDFA)组件,其最大信号增益和噪声指数分别是20dB和5dB。在输入信号功率11.0dBm时,得到19.2dBm的输出功率,试验结果证明:该PDFA组件用于副载波复用多信道AM-VSB视频信号传输时,具有低噪声特性。 相似文献
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利用MBE生长的GaAAlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相一次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体激光器,经腔面多功能摹一器件已稳定工作4500多小时。 相似文献