华润上华第二代200VS0I工艺实现量产

华润微电子有限公司（“华润微电子”）附属公司华润上华科技有限公司（“华润上华”）近日宣布，继2010年首颗200VSOICDMOS产品量产后，日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术，由华润上华在2010年实现量产的一代工艺基础上作了工艺升级，达到更高的性价比，这在国内尚属首家。     

华润上华推出高性价比0．25微米Scalable BCD工艺平台

华润上华科技有限公司宣布已完成0．25微米ScalableBCD工艺平台开发,其更低成本和更高的可移植性可满足客户多样化的产品设计需求,进一步提高了华润上华BCD系列工艺平台的技术优势。华润上华的0．25微米ScalableBCD工艺平台为0．5微米前段制程与0．25微米后段制程,由之前0．25微米24VBCD工艺平台延伸而来,     

本土模拟IC升级,华润上华借六大特色代工平台托市

华润上华目前拥有高压功率模拟工艺、高精度模拟工艺、功率器件工艺、e-NVM/RF工艺、SOI工艺和MEMS六大特色模拟代工平台,正积极助力本土企业实现中高端产品线升级。中国模拟IC市场蕴含巨大的增长潜力,模拟业务也成为众多国际晶圆代工企业拼争的新领地,除了台积电等已经布局中国,韩国东部高科(Dong bu HiTek)以及欧洲X-FAB等专业模拟代工厂也在积极关注中国市场;另一方面,由于模拟芯片代工需要为客户提供复杂的专利工艺,这也对代工厂的技术水平提出更高要求。在向高性能模拟芯片制造领域发展时,本土代工厂如何满足市场需求帮助企业做大做     

90nm工艺及其相关技术

ITRS2001规划2004年实现90nm工艺,英特尔、AMD等世界顶级半导体公司将于2003年采用90nm工艺量产微处理器和逻辑器件。这样使ITRS2001整整提前了一年。90nm工艺包括193nm光刻技术、高k绝缘材料、高速多层铜互连技术、低k绝缘材料、应变硅技术和电压隔离技术等新技术。193nm光刻技术是实现90nm工艺达量产的最关键技术,为此,必须采用193nmArFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。讨论了90nm工艺达量产的难点,如掩模版成本较高、成品率较低和应用面暂时不宽等。     

ABOUT CSMC

华润上华矢志成为模拟晶圆代工之领航者，作为国内第一家向模拟转型的晶圆代工企业，已形成国内最完整的模拟工艺平台和高良率的制造能力。近年来，模拟产品的销售额比重逐年增加，目前已达70％。     

东芝公开了利用自组织隔离膜的铜布线技术面向32nm工艺的应用

据日经BP社报道，东芝在CEATEC JAPAN2007上展示了使用自组织隔离膜的铜布线技术。计划应用于2009至2010年投入量产的32nm工艺。此次展示了通过45nm工艺形成双层铜布线的300mm晶圆。[第一段]     

45nm节点在悄悄行动

2006年2月英特尔率先在全球推出45nm153MbSRAM原型,并准备于2007年下半年量产,从此拉开了45nm技术节点序幕。本文介绍了45nm节点的发展动态,并着重介绍45nm光刻、应变硅、低k膜、铜互连,高k膜、新型晶体管结构、SOI和等效离子掺杂等工艺。     

与5V CMOS标准工艺兼容的20V N-CDMOS器件研究

文章主要介绍了在0．5μm5VCMOS标准制造工艺的基础上,不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度,借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N—CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟和实验设计,最终获得20V高压N—CDMOS最优化的器件结构与工艺参数。其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容,工艺简单、集成度高,可广泛应用于功率器件的芯片上。     

一种MEMS开关驱动电路的设计

静电驱动MEMS开关可靠工作需要较高的驱动电压,大多数射频前端系统很难直接提供,因此需要一种实现电压转换和控制的专用芯片,以满足MEMS开关的实用化需要。本文基于200V SOI CMOS工艺设计的高升压倍数MEMS开关驱动电路,采用低击穿电压的Cockcroft-Walton电荷泵结构,结合特有的Trench工艺使电路的性能大大提高。仿真结果显示驱动电路在5V电源电压、0.2pF电容和1GΩ电阻并联负载下,输出电压达到82.7V,满足大多数MEMS开关对高驱动电压的需要。     

90nm与65nm光刻工艺各有千秋

2003年下半年起英特尔等世界顶级IC公司陆续量产90nm芯片，比国际半导体技术蓝图ITRS2001／2003要求2004年实现90nm工艺的规划提前了一年。2005年底、2006年初世界半导体市场“霸主”英特尔量产65nm芯片，比ITRS2003要求2007年实现65nm工艺的规划整整提前了一年，两者如出一辙。光刻工艺是量产90／65nm芯片最重要、最关键的工艺之一，也是使用频率最高的工艺，如90／65nm铜互连需8层金属布线，那至少要进行15次光刻，因为金属互连层间还需绝缘层隔离。目前光刻工艺能量产的只有光学光刻技术，它是通过不断缩短曝光波长（λ）、增大数值孔径（NA）和降低工艺因子（k1）来提高其水平，从而达到不断缩小芯片的特征尺寸的目的，如从90nm——65nm。     

全耗尽CMOS/SOI工艺

对全耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套全耗尽 CMOS/SOI抗辐照工艺.其关键工艺技术包括:氮化H2-O2合成薄栅氧、双栅和注Ge硅化物等技术.经过工艺投片,获得性能良好的抗辐照CMOS/SOI器件和电路(包括101级环振、2000门门海阵列等),其中,nMOS:Vt=0.7V,Vds=4.5～5.2V,μeff=465cm2/(V*s),pMOS:Vt=-0.8V,Vds=-5～-6.3V,μeff=264cm2/(V*s).当工作电压为5V时,0.8μm环振单级延迟为45ps.     

O.13μm工艺与248nm KrF光刻机

ITRS规划2001年实现0.13μm工艺。实际上2001年O.13μm工艺已达量产。0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术。248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机)。     

0.18 μm SOI工艺抗辐照触发器性能研究

随着集成电路制造工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,集成电路在太空环境应用中更容易受到单粒子辐照效应的影响,可靠性问题越发严重。特别是对高频数字电路而言,单粒子翻转效应(SEU)及单粒子瞬态扰动(SET)会导致数据软错误。虽然以往的大尺寸SOI工艺,具有很好的抗单粒子性能,但仍需要对深亚微米SOI电路进行辐照效应研究。文中通过对4种触发器链进行抗辐照设计,用0.18μm SOI工艺进行了流片验证,并与体硅CMOS工艺对比分析。1.8V电源电压条件下的触发器翻转阈值可以达到41.7MeV·cm2/mg,抗辐射性能比0.18μm体硅CMOS工艺提升了约200%。     

0.13μm工艺与248nm KrF光刻机

ITRS规划2001年实现0.13μm工艺.实际上2001年0.13μm工艺已达量产.0.13μm工艺包括248nm光刻技术、高k绝缘材料、低k绝缘材料和铜互连技术等新技术.248nm光刻技术是实现0.13μm工艺达到量产的最关键技术,为此,必须采用248nmKrFstepper(准分子激光扫描分步投影光刻机).     

罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V～1200 V、电流为5 A～20 A的范围内充实产品。罗姆过去一直积极致力于SiC的元件开发。2010年4月已开始量产SiC制肖特基势垒二极管(SBD)。罗姆表示,此次通过开发自主的工艺技术和筛选法,解     

SOI技术与SOC基础设计服务平台

本文介绍了关于SOI特殊工艺技术的特点,以及基于此工艺平台设计开发SOC芯片所特有的优势和挑战,并且研究了配套的解决方案,从模型建模(model),数字单元库(library),参数化设计套件(PDK),以及针对性的EDA主流设计流程几个方面来阐述如何实现华润上华0.18微米60VSOI工艺设计服务平台。     

四十五所:全自动集成电路引线键合机替代进口实现量产

正近日,中国电子科技集团公司第四十五研究所研制的全自动集成电路引线键合机历时多年攻坚克难,终于取得重大技术突破,在各项试验成熟基础上目前已实现量产,并以与国外同类产品明显的性价比优势,被国内集成电路封装企业一次性签订100台合同订单。     

华润上华600V和1700V lGBT工艺平台开发成功

华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700VPlanarNPTIGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600VTrenchPTIGBT（沟槽穿通型绝缘栅双极晶体管）工艺平台，各项参数均达到设计要求，并顺利通过可靠性考核。     

集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法

为探索与国内VLSI制造工艺兼容的新型SOI LIGBT/LDMOS器件与PIC的设计理论和工艺实现方法,首次提出含有抗ESD二极管的集成SOI LIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,并给出了结构实现的工艺控制要求.     

罗姆“全球首次”开始量产SiC制功率晶体管

罗姆宣布已开发完成使用SiC的DMOSFET(double-diffusion metal-oxidesemiconductorFET),并已开始量产。计划从2010年12月开始量产供货定制产品,2011年夏季供货通用产品。计划此后花1年左右的时间在耐压为600 V～1200 V、电流为5 A～20 A的范围内充实产品。