可调的透明导电膜研究进展

简述了透明导电薄膜材料,特别是对目前研究比较活跃的透明导电氧化物（TCO）及金属基复合透明导电多层膜的发展现状和趋势;同时从选材、膜层设计、制备方法到工艺制定,研究透明导电膜光电性能诸多影响因素和规律,探讨D／M／D多层膜的微观结构与其光电性能的内在联系,以及多层膜的热稳定性和界面反应等问题,并采用电介质TiO2与金属Ag交替生成TiO2／Ag／TiO2三明治结构制备了几种具有优异光电性能的透明导电膜。经优化设计的纳米多层膜具有奇特的光电性能可调性,根据需要,用于平面显示器透明电极、太阳能电池板等的在可见光区具有高的透过率（T550≥90％）和在红外光区高的反射率（R2500≥90％）,其方块电阻仅为～5Ω／sq;而用于紫外固化的则在紫外固化的主峰365 nm处具有高的透射率（T365≥80％）,而在1600 nm的红外波段反射率也超过了90％。     

纤维基ZnO/Ag/ZnO多层膜的制备、结构及性能研究

利用射频磁控溅射法,室温下通过交替溅射ZnO和Ag,在PET纤维基材上制备ZnO／Ag／ZnO纳米结构多层膜。运用扫描电镜和原子力显微镜对薄膜表面形貌进行分析,用分光光度计测试其透光性能,用四探针电阻测试仪测试其方块电阻。结果表明：纤维基Zno／Ag／ZnO多层膜致密、均匀,对紫外光表现为较强的吸收能力;Ag膜厚度的改变可以调控多层膜的光电性能;ZnO（40nm）／Ag（20nm）／ZnO（40m）多层膜呈现多晶结构,方块电阻为4．4Ω;透光率接近30％。     

低红外发射率TiO2/AgxCU1-x/Ti/TiO2纳米多层膜

利用磁控溅射制备了银含量在100％至80％之间的单层银铜合金薄膜和TiO2／AgxCu-1x／Ti／TiO2：纳米四层膜。利用x射线衍射、扫描电子显微镜、扫描俄歇微探针,分光光度计、红外发射率测量仪对样品进行表征,研究了单层金属膜和多层膜的光学、电学性质随着银含量的变化以及热处理前后薄膜性能的变化。结果表明：相同厚度的合金膜,随着Ag含量的降低,导电性能下降,Ag含量低于80％的合金已不适合作为多层膜的金属层;1500C大气下热处理30min,纯银薄膜性质发生明显变化,明视透过率下降10％,方块电阻由2．5W／口增加至18W／□,红外发射率由0．17增加到0．69。AgCu合金薄膜性质未发生明显变化。方块电阻相近的TiO2／AgxCu1-x／Ti／TiO2纳米多层膜,经250℃大气下热处理40min后,TiO2／Ag／Ti／TiO2和TiO2／Ag80Cu20／Ti／TiO2纳米多层膜的性质变化较小,热稳定性较好,其余的多层膜性质发生较大变化,红外发射率显著增加。     

介质/金属/介质多层透明导电薄膜研究进展

综述了介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层透明导电膜材料的特点、制备方法、研究进展与应用现状,重点比较讨论了ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS的膜系结构、光电性能、化学稳定性、热稳定性等特点,以及与国内外的研究差距.ITO/Ag/ITO、ZnS/Ag/ZnS是目前光电性能最好,且无需引入过渡层的两种D/M/D膜系,但有关其热稳定性的评价和研究存在不同的观点.用资源丰富、价格便宜、无毒的掺铝氧化锌(ZAO)薄膜取代含有价格昂贵的贵金属铟的掺锡氧化铟(ITO)薄膜,ZAO/Ag/ZAO膜系结构的设计、薄膜制备、光电性能与IMI的对比研究是目前国内外D/M/D研究中的热点课题和D/M/D发展的主要方向.     

低电阻ITO透明导电膜的制备和应用

锡掺杂的铟锡氧化物透明导电膜（简称膜ＩＴＯ）是一种面电阻率低，透光率高，导电性能好的膜层，近年来在国内外发展较快，其制备方法较多。本文就采用磁控溅射法制备ＩＴＯ 膜的设备及成膜过程中的若干工艺问题进行了探讨。     

SiCxOy／SnO2：F／TiO2复合薄膜的制备及其性能

本文制备了具有低反射率特性和光催化性能的三层复合薄膜SiCxOy／SnO2：F／TiO2。SiCxOy层直接沉积在玻璃基体上,作为障碍层避免离子从玻璃基板扩散到最外的功能层。而SnO2：F和TiO2作为功能层则分别使复合薄膜具有低反射率和光催化性能。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和傅立叶变换红外光谱仪（FTIR）对样品进行表征。与纯TiO2薄膜相比,复合薄膜由于表面粗糙,以及TiO2到SnO2层界面间的电子移动,表现出较高的光催化性能和亲水性。另一方面,由于SnO2：F层的低E特性,复合薄膜的远红外反射率随着TiO2薄膜厚度逐渐增加而减少。     

纳米La2O3／TiO2复合薄膜的制备及光催化性能研究

采用溶胶-凝胶法在陶瓷基体上制备了纳米La2O3／TiO2复合薄膜。利用XRD研究了La2O3不同复合量对纳米TiO2晶型转化的影响，利用SEM研究了Al2O3底膜对La2O3／TiO2复合薄膜形貌的影响，利用亚甲基兰溶液紫外光降解实验研究了La2O3／TiO2复合薄膜的光催化性能．结果表明：复合0．5％（物质的量）La2O3的TiO2干凝胶经850℃煅烧后仍为锐钛矿（64％（质量分数））占主导的混晶结构，平均粒径在10nm左右；当Al2O3底膜和La2O3／TiO2复合薄膜的厚度分别为4层和3层时，经850℃煅烧后，复合薄膜致密且无微裂纹出现，而且具有佳的光催化性能．     

TiN／Ag多层膜的生物相容性研究

使用离子束辅助沉积（IBAD）的方法，在医用不锈钢317L的基底上制备TiN／Ag多层膜．在TiN／Ag多层膜具有良好的抗茵性和抗腐蚀性的研究基础上，通过细胞毒性试验和溶血试验评价了TiN／Ag多层膜的生物相容性．试验结果表明：TiN／Ag多层膜样品的细胞毒性等级在0～1之间；溶血率〈5％，符合生物医学材料的标准．这些说明TIN／Ag多层膜不仅具有抗菌性和抗腐蚀性，而且具有良好的生物相容性．     

介质/金属/介质透明导电薄膜研究进展

介质/金属/介质(dielectric/metal/dielectric,D/M/D)多层膜既透明又导电且具有柔性,最有可能替代ITO膜,作为透明导电电极,应用于柔性显示、太阳能电池等光电器件。本文介绍D/M/D膜系的起源,分析了透明导电机理,然后,从多层膜制备参数,热处理工艺及纳米银层表面等离激元共振对多层膜光电性能的影响三个方面综述了D/M/D膜系中得到广泛研究的二氧化钛/银/二氧化钛多层膜的最新研究进展,并展望了D/M/D透明导电薄膜的研究方向。     

FeS2/TiO2复合薄膜光电性能

采用溶液浸渍法在ITO导电玻璃表面的多孔TiO2薄膜上沉积了FeS2薄膜.使用Fe2O3粉末保护裸露在外的ITO导电膜在硫气氛中热处理后,制得了FeS2/TiO2复合薄膜.应用B531/H数显测厚指示表、数字式四探针测试仪、XJCM-8太阳电池测试仪等研究了FeS2/TiO2复合薄膜的厚度、ITO导电玻璃的电阻率以及FeS2/TiO2复合薄膜的光电性能.结果表明：此方法制得的FeS2/TiO2复合薄膜具有良好的光电性能;且ITO导电膜的电阻率变化较小.因而适宜制备色素增感太阳能电池（DSSC）.     

基于ADuC812的CCD校准器控制系统

针对CCD校准器控制系统的技术要求，设计了基于ADI公司的微处理控制芯片ADuC812为核心构成的测量控制系统。为CCD校准器辐射源提供稳定的电压、电流输出以及对辐射源的照度值进行实时监控，实现CCD校准器光辐射源所要求的稳定性输出。     

数字电影声频处理技术（一）

电影数字立体声虽已得到广泛应用,但是目前数字电影节目图像受到人们广泛关注,对数字电影服务器和放映机的选型十分重视,而对声频处理器的技术要求与选型则认识不够.为此,本文特针对数字电影声频处理器的基本工作原理、编解码基础与接口标准作基本阐述与分析,并系统介绍数字电影声频处理技术.     

多用途PC卡设计

本文介绍了一种集A/D转换、D/A转换、定时器/计数器及DI/DO于一体的多功能PC总线计算机接口卡的设计原理与结构。这块接口卡是在存储测试技术中长期使用的数据传输接口卡的基础上加以改进扩充而制成的。本卡具有功能强、软件丰富、成本低、使用方便等特点。     

高温氧化气氛下3D C/SiC质量变化率与剩余强度的相关性

通过三维编织炭纤维增强碳化硅基复合材料(3D C/SiC)在各种氧化气氛中的环境实验, 研究了氧化气氛中材料的质量变化率和剩余强度随温度变化规律及其相关性。根据3D C/SiC复合材料各组元的作用, 对其微观组织及炭纤维预制体的氧化损伤演变进行了分析。结果表明, 在各个氧化温度区间内, 3D C/SiC质量变化率与剩余强度随温度变化的规律基本相同, 两者结果相互对应。对于3D C/SiC, 用质量变化率作为对环境损伤敏感性表征的一个基本指标, 比用剩余强度表征更科学可靠。      

有限板共线多孔MSD疲劳裂纹扩展有限元模拟

介绍了二维断裂分析有限元软件FRANC2D/L在疲劳裂纹扩展模拟方面的基本步骤．利用该软件对有限板中心孔边对称裂纹的疲劳裂纹扩展进行模拟计算,对比模拟结果和试验数据,发现两者吻合良好,证明了利用该方法模拟疲劳裂纹扩展的可靠性．将FRANC2D/L应用到有限板共线多孔MSD疲劳裂纹扩展的有限元模拟上,得到了各孔边裂纹的长度和疲劳扩展寿命之间的关系曲线．模拟计算结果表明,在相同条件下,有限板中心孔边对称裂纹的裂纹扩展寿命要远远高于MSD结构中中心孔边裂纹的疲劳扩展寿命;由于MSD结构中影响各孔边裂纹的因素有所差异,各条裂纹的疲劳扩展寿命也会有所不同．另外,还给出了不含主裂纹的MSD和含主裂纹的MSD两种情况下的疲劳裂纹扩展历程,通过比较得知,含主裂纹的MSD结构更容易发生裂纹的合并和贯穿致使结构发生破坏．     

先驱体转化法制备2D Cf/SiC-Cu复合材料及其性能

针对固体火箭发动机喉衬的使用工况,提出在Cf/SiC体系中引入Cu,通过Cu发汗降低材料表面温度以提高材料的抗烧蚀性能.采用先驱体转化法制备了铜体积分数分别为2.18%、4.86%和6.53%的新型复合材料,同时考察了其力学性能和烧蚀性能.结果表明,随着铜含量的增加复合材料试样的弯曲强度逐渐下降,分别为261.07 MPa、203.61 MPa、164.91 MPa;试样的断裂韧性也逐渐下降,分别为13.4 MPa·m1/2、12.5 MPa·m1/2、11.8 MPa·m1/2.三种复合材料试样在氧乙炔焰烧蚀30 s后,试样结构均保持完整,弯曲强度分别下降到121.16MPa、140.23 MPa、122.87 MPa,质量烧蚀率分别为0.036g/s、0.050g/s、0.064g/s.与其他喉衬材料相比,2D Cf/SiC-Cu材料密度低、力学性能和抗烧蚀性能好,具有良好的应用前景.     

In‐Plane Isotropic/Anisotropic 2D van der Waals Heterostructures for Future Devices

Mono‐ to few‐layers of 2D semiconducting materials have uniquely inherent optical, electronic, and magnetic properties that make them ideal for probing fundamental scientific phenomena up to the 2D quantum limit and exploring their emerging technological applications. This Review focuses on the fundamental optoelectronic studies and potential applications of in‐plane isotropic/anisotropic 2D semiconducting heterostructures. Strong light–matter interaction, reduced dimensionality, and dielectric screening in mono‐ to few‐layers of 2D semiconducting materials result in strong many‐body interactions, leading to the formation of robust quasiparticles such as excitons, trions, and biexcitons. An in‐plane isotropic nature leads to the quasi‐2D particles, whereas, an anisotropic nature leads to quasi‐1D particles. Hence, in‐plane isotropic/anisotropic 2D heterostructures lead to the formation of quasi‐1D/2D particle systems allowing for the manipulation of high binding energy quasi‐1D particle populations for use in a wide variety of applications. This Review emphasizes an exciting 1D–2D particles dynamic in such heterostructures and their potential for high‐performance photoemitters and exciton–polariton lasers. Moreover, their scopes are also broadened in thermoelectricity, piezoelectricity, photostriction, energy storage, hydrogen evolution reactions, and chemical sensor fields. The unique in‐plane isotropic/anisotropic 2D heterostructures may open the possibility of engineering smart devices in the nanodomain with complex opto‐electromechanical functions.     

高帧频数字图像制式转换显示系统

为解决高帧频图像传感器应用中存在的显示问题，研制了利用普通工业监视器作为终端的高帧频数字图像制式转换显示系统。介绍了该系统的组成、制式转换的基本工作原理、用FPGA实现的途径、视频混合的方法和实际应用效果，给出了方框图。     

0D/2D Z-scheme heterojunctions of g-C3N4 quantum dots/ZnO nanosheets as a highly efficient visible-light photocatalyst

Constructing Z-scheme heterojunctions comprising of constituents with different dimensionality is an effective strategy to spatially separate electron and hole. To fully utilize the synergistic coupling effect of dimensionality, herein, we first immobilize g-C₃N₄ quantum dots (CNQDs) onto ZnO nanosheets with oxygen vacancies (OV-ZnO) to create a 0D/2D hybrid via a facile and cost-effective approach. The CNQDs/OV-ZnO heterojunctions display CNQDs content-dependent performance in visible-light photocatalytic activity. The optimal CNQDs/OV-ZnO heterojunction exhibits high photocatalytic activity for degradation of methyl blue and bisphenol A, where the kinetic constant is 11.4 and 32.5 fold of pure OV-ZnO, respectively. Photoluminescence, electrochemical impedance spectroscopy and photocurrent verify that the photogenerated electron-hole pairs in this 0D/2D Z-scheme heterojunction have been effectively separated. The enhanced photocatalytic activity could be attributed to the synergistic effect of efficient Z-scheme charge separation, highly dispersed 0D CNQDs, coordinating sites of 2D OV-ZnO nanosheets and the strong coupling between them. In addition, the 3D flower-like structure constructed by 2D nanosheets greatly inhibits the leaching and loss of the photocatalyst in the recycling process, and ensures the high recycling ability of CNQDs/OV-ZnO. This work paves the way toward designing novel visible-light 0D/2D photocatalysts in the application of solar energy.