超声对X射线分析光栅铋填充率影响研究

改进的微铸造技术利用Bi2O3代替Si O2作为浸润层,以提升X射线吸收光栅中铋的填充率.通过源光栅发现,铋填充率很大程度上取决于初始浸润材料Bi(NO3)3的覆盖程度.提出使用超声的方法,使丙酮携带Bi(NO3)3进入高深宽比分析光栅结构内部,并覆盖在侧壁表面,待Bi(NO3)3高温分解为Bi2O3后,利用Bi2O3与铋的浸润性使铋完全进入分析光栅结构内部.实验结果表明,相比不使用和使用频率如40、120及170 k Hz的超声,80 k Hz的超声更有助于提高铋的填充率,同时还表明超声具备向高深宽比结构内辅助填充物质的能力.     

ZrO_2包覆对LiNi_(0.8)Co_(0.2)O_2结构和性能的影响

为提高锂离子电池正极材料LiNi_(0.8)Co_(0.2)O_2的综合电化学性能,采用高温固相法对其表面进行ZrO_2包覆。以X射线衍射、扫描电子显微镜、电化学阻抗和电化学充放电等方法对材料进行表征。结果显示,ZrO_2可均匀分布在LiNi_(0.8)Co_(0.2)O_2表面而不影响其晶体结构,但对电化学性能影响明显,即首次放电容量略有降低,由168.25 mAh/g降到157.43 mAh/g;1C、2C倍率性能有较大改善,循环性能的提高尤其突出,在100周循环内,LiNi_(0.8)Co_(0.2)O_2的容量保持率从90.68%提高到97.70%。其原因是:(1)包覆层有效避免了电解液与正极材料直接接触、抑制副反应的发生;(2)包覆过程中生成的Li_2ZrO_3提高了材料的离子导电性。该研究结果为改善锂离子电池正极材料综合电化学性能提供了简便、有效的方法。     

封接用铋酸盐微晶玻璃的制备

采用常规熔体冷却法和玻璃粉末低温烧结法制备了铋酸盐基础玻璃及其微晶玻璃。利用扫描示差量热(DSC)、X射线衍射(XRD)、热膨胀系数、抗弯强度等分析测试方法研究了基础玻璃的特征温度、析晶、热处理温度对玻璃析晶以及对微晶玻璃热膨胀系数、抗弯强度的影响。结果表明:基础玻璃的热膨胀系数随Bi2O3含量的增加而递增;玻璃化转变温度和软化温度随Bi2O3含量的增加而递减;Bi2O3含量不同,低温处理下获得的晶相种类相同,而高温处理下获得的晶相种类不同。在400℃、500℃、600℃晶化处理时,50Bi2O3-20B2O3-15ZnO-10BaO组成玻璃析出的晶相分别是Bi45BO69/Bi2O3、Bi2O3/Bi24B2O39和Bi24B2O39;65Bi2O3-5B2O3-15ZnO-10BaO组成玻璃析出的晶相分别是Bi45BO69/Bi2O3、Bi2O3和Bi38ZnO58。     

LiCoO_2包覆LiNi_(0.78)Co_(0.2)Zn_(0.02)O_2锂离子电池正极材料

采用共沉淀法制备了LiCoO2包覆LiNi0.78Co0.2Zn0.02O2锂离子电池正极材料,对材料进行XRD、SEM的分析结果表明,该材料具类α-NaFeO2(R-3 m)结构,而且微观颗粒大小均匀.电化学测试结果表明,用LiCoO2进行表面包覆后比未包覆材料的初期放电比容量略有降低,但是材料的循环性能明显提高.包覆材料的首次恒流(60 mA.cm2,3.0~4.2 V,vs.Li /Li)充、放电比容量分别为243.63 mAh.g-1和204.58 mAh.g-1,首次循环效率为83.97%,200次循环后比容量仍为197.06 mAh.g-1,不可逆容量损失仅为7.52 mAh.g-1,容量保持率达到96.0%以上,具有很好的循环性能.     

LiCoO2包覆LiNi0.78Co0.02Zn0.02O2锂离子电池正极材料

采用共沉淀法制备了LiCoO2包覆LiNi0.78Co0.2Zn0.02O2锂离子电池正极材料,对材料进行XRD、SEM的分析结果表明,该材料具类α-NaFeO2(R-3 m)结构,而且微观颗粒大小均匀.电化学测试结果表明,用LiCoO2进行表面包覆后比未包覆材料的初期放电比容量略有降低,但是材料的循环性能明显提高.包覆材料的首次恒流(60 mA·cm2,3.0～4.2 V,vs.Li /Li)充、放电比容量分别为243.63 mAh·g-1和204.58 mAh·g-1,首次循环效率为83.97%,200次循环后比容量仍为197.06mAh·g-1,不可逆容量损失仅为7.52 mAh·g-1,容量保持率达到96.0%以上,具有很好的循环性能.     

硫化铋/钨酸铋复合催化剂的制备及其光催化固氮性能

利用两步溶剂热法制备了硫化铋/钨酸铋(Bi2S3/Bi2WO6)异质结光催化剂,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外-可见漫反射光谱仪和光电化学测试等对样品进行了系统表征分析.在模拟太阳光照射下对Bi2S3/Bi2WO6复合材料进行了光催化固氮性能研究.结果表明,Bi2S3与Bi2WO6质量比为5％ 的Bi2S3/Bi2WO6光催化固氮性能最好,固氮速率为127.67μmol/(g·h).Bi2S3与Bi2WO6复合构成的异质结构有利于吸收拓宽光谱、促进光生载流子生成以及有效抑制电子空穴对复合,从而提高Bi2S3/Bi2WO6异质结光催化的固氮性能.     

高镍三元正极材料LiNi0.8Co0.1Mn0.1O2的合成与改性

LiNi_(0.8)Co_(0.1)Mn_(0.1)O_2是一种具有高能量密度的锂离子电池正极材料,但实际应用中的循环性能不佳、热稳定性差等缺陷亟待改善。本研究通过高温固相反应法制备了LiNi_(0.8)-Co_(0.1)Mn_(0.1)O_2材料,并采用H_3BO_3对其进行包覆改性。扫描电镜(SEM)显示包覆热处理后正极材料表面形成了一层不均匀絮状包覆物,X射线光电子能谱(XPS)测试显示该包覆物为LiBO_2和Li_2B_4O_7的混合物。电化学测试表明包覆物有效减缓了循环过程中的阻抗增加,显著提升了正极材料的容量与循环性能,其中0.5%包覆的正极材料0.2 C首次放电容量达到195.9 mAh·g~(-1),1 C循环100周后容量保持率达到88.7%。     

聚吡咯包覆尖晶石LiMn_2O_4微球的合成及其电化学储锂性能

利用共沉淀法合成MnCO_3微球与Li_2CO_3进行固相反应制备了尖晶石LiMn_2O_4微球。通过吡咯在LiMn_2O_4表面上进行化学氧化聚合合成了聚吡咯包覆LiMn_2O_4微球(PPy@LiMn_2O_4)。聚吡咯包覆层不仅可以提高LiMn_2O_4微球的电子导电率,而且其本身像一个电容器。这种结构特点有利于提高LiMn_2O_4的容量,倍率性能和高倍率循环稳定性。通过循环伏安(CV)、交流阻抗(EIS)和恒流充放电等方法测试了电极材料的电化学性能,研究表明:PPy@LiMn_2O_4显示了比LiMn_2O_4微球更好的电化学储锂性能,包括高比容量(118.4 mA·h·g~(-1))、高倍率性能(5C,104.5 mA·h·g~(-1))。     

可磁分离光催化剂的制备及其光催化性能研究

通过反胶束法和溶胶-凝胶法制备出了一种类蛋结构的可磁分离光催化剂纳米球ZnO@SiO2@NiFe2O4(ZSN),这种光催化剂显示出了超顺磁性和较好的光催化活性。该光催化剂的X-射线衍射和TEM分析结果表明:NiFe2O4纳米粒子被包裹在二氧化硅内形成磁性硅球SiO2@NiFe2O4(SN)载体,ZnO纳米粒子包覆在SN的表面,形成ZnO光催化壳层。光催化实验表明,在500℃下煅烧3h的ZSN表现出最佳的光催化活性。     

混合稀土铁石榴石(HoYbBi)_3Fe_5O_12单晶磁光性能的研究

为了改善用于光隔离器中的掺铋稀土铁石榴石的法拉第旋转温度稳定性 ,采用高温溶液法 ,以Bi2 O3 /B2 O3 为助熔剂生长掺铋混合稀土铁石榴石 ( Ho Yb Bi) 3 Fe5O1 2 (简称 :Ho Yb Bi IG)单晶 .在近红外波段测量了晶体的法拉第旋转谱和光吸收损耗谱 .当 λ=1 .5 5 μm时 ,Ho Yb Bi IG单晶的比法拉第旋转角θF 和磁光优值分别为 :- 767.0 deg/cm和 4 5 deg/d B;在 1 0～ 1 1 0℃温度范围内测得 Ho Yb Bi IG单晶的法拉第旋转温度系数 ( FTC)为 1 .8%,在目前所知磁光晶体中属最小 .研究结果还表明 ,将两种法拉第旋转温度系数符号相反的石榴石型材料进行复合 ,是一种行之有效的改善晶体材料法拉第旋转温度稳定性的方法     

浅析英语语音教学中的/n//l/发音错误

在大学英语教学过程中,有关/n/与/l/的发音错误很常见,原因是没有完全掌握它们的发音规则。/n//l/发音规则的相似性造成了/n//l/不分的情况,而且局部方言中这两个音也不作区分,使得/n//l/混淆的情况更加严重。在教学过程中,可以通过重点讲解区分/n/与/l/的发音规则及其区别来避免/n//l/发音错误。本文同时也分析了含糊/l/音的发音错误,通过对/n/与/l/相关的发音错误分析找出大学英语语音教学行之有效的途径:在完全把握单音的发音规则的基础上,进一步强调语调的掌握,使学生拥有良好的语音。     

肼类燃料液滴的亚临界——超临界蒸发/分解燃烧理论

对肼、一甲基肼、偏二甲肼的亚临界－－超临界蒸发／分解燃烧进行了研究,计算了肼类燃料滴在不同压力下液滴温度和蒸发速度的变化历程,计算了蒸发常数、传热数和传质数,其结果和实验数据是吻合的。本文不但考虑了肼类燃料滴的亚临界蒸发／分解燃烧,还考虑到了其超临界蒸发／分解燃烧,并对达到超临界工况时的界限参数进行了计算。     

Modification of LiCo1/3Ni1/3Mn1/3O2 cathode material by CeO2-coating

LiCo_1/3Ni_1/3Mn_1/3O₂ was coated by a layer of 1.0 wt% CeO₂ via sol-gel method. The bared and coated LiMn_1/3Co_1/3Ni_1/3O₂ was characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM), cyclic voltammogram (CV) and galvanotactic charge-discharge test. The results show that the coating layer has no effect on the crystal structure, only coating on the surface; the 1.0 wt% CeO₂-coated LiCo_1/3Ni_1/3Mn_1/3O₂ exhibits better discharge capacity and cycling performance than the bared LiCo_1/3Ni_1/3Mn_1/3O₂. The discharge capacity of 1.0 wt% CeO₂-coated cathode is 182.5 mAh·g⁻¹ at a current density of 20 mA·g⁻¹, in contrast to 165.8 mAh·g⁻¹of the bared sample. The discharge capacity retention of 1.0 wt% CeO₂-coated sample after 12 cycles reaches 93.2%, in comparison with 86.6% of the bared sample. CV results show that the CeO₂ coating could suppress phase transitions and prevent the surface of cathode material from direct contact with the electrolyte, thus enhance the electrochemical performance of the coated material.     

Transport Properties of Polycrystalline La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3

The infuence of Cu dopant (x) and sintering temperature(Ts) on the troansport propeties of La2/3Ca1/3Mn1-xCuxO3 series samples prepared by Sol-Gel technique was investigated.X-ray diffraction patterns show that all the samples with different Cu dopant and sintering temperatures (Ts) are of single phase without obvious latice distortion.Experimental results indicate that the insulator-metal transition temperature is diectly related to the sintering temperature and Cu dopant x.It is interesting to observe that a proper amount of Cu dompant can substantially improve magnetoresistance effects.     

RDSS/Doppler/GPS/SINS组合导航系统研究

针对双星定位系统(RDSS)存在的定位位置滞后的先天缺陷,根据组合导航定位系统输出速度误差小的特点,给出了一套消除RDSS位置滞后的方案,并对RDSS／SINS组合系统进行了建模,依据联邦滤波器理论,考虑到GPS的实际情况,提出了RDSS／Doppler／GPS／SINS多传感器组合导航系统的设想,仿真结果表明,该组合导航系统具有准确度高、自主性强的特点。     

亚锰酸盐La0.7-xYxCa0.3MnO3的电磁特性和磁电阻效应

研究了用固相反应法制备亚锰酸盐多晶样品La0.7-xYxCa0.3MnO3,并研究了Y的不同掺杂(x=0.1,0.2)对样品的晶体结构、电磁特性和磁电阻效应的影响.实验结果表明,随着温度的降低,x=0.1样品的R-T曲线没有出现峰值,而x=0.2样品出现了峰值,显示了复杂的输运特性.两种样品的磁电阻Rm都随着温度的降低而升高,但都没有出现峰值.x=0.2的样品在较宽的温区内,磁电阻效应都很显著,而且Y掺杂由x=0.1提高至x=0.2,磁电阻效应增强.     

Low temperature properties of organic-inorganic Ag/ p -CuPc/ n -GaAs/Ag photoelectric sensor

A thin organic film of p-type semiconducting copper phthalocynanine (CuPc) was deposited by vacuum evaporation on an n-type GaAs single-crystal semiconductor substrate. The fabricated Ag/p-CuPc/n-GaAs/Ag sensor was carried through an ageing process to stabilize the parameters. Voltage-current characteristics and photoelectrical response of the sensor were investigated at a wide temperature range of 82 to 350 K. Photoelectric characteristics were measured under nonmodulated filament-lamp illumination. It was observed that such sensor parameters as rectification ratio, threshold voltage, junction, shunt and series resistances, open-circuit voltage and short circuit current are temperature-dependent. It was found that wide-range voltage-current characteristics of the sensor may be described similarly to that of a Schottky barrier diode. Using the experimental data on voltage-current characteristics and absorbance of the CuPc films, the energy-band diagram of the p-CuPc/n-GaAs heterojunction was developed. It was shown that data obtained from simulation of an equivalent circuit of photoelectric sensor agreed with experimental results. Supported by the National Engineering and Scientific Commission of Pakistan     

Reliability of Au/PZT/BIT/p-Si ferroelectric diode

A ferroelectric memory diode that consisted of Au/PZT/BIT/p-Si multilayer configuration was fabricated by pulsed laser deposition (PLD) technique. The reliability issues (I-V characteristics, capacitance retention, fatigue and imprint) were investigated. The I-V curve showed the conventional Schottky diode characteristics with a small current density of - 5.3×10 -10 A/cm2 at a voltage of - 4 V and 6.7×10-8 A/cm2 at a voltage of + 4V, and this characteristic can be maintained below 50℃. The capacitance variety of the ferroelectric diode was only 5 % in 10 hours after withdrawing the applied bias of + 5 V or - 5 V, indicating the diode had good capacitance retention. By applying 100 kHz bipolar pulses of 5 V amplitude, the decay in remanent polarization was only 10% after 109 switching cycles, and meanwhile the increase in coercive field was 12%. After being irradiated for 20 min with a 200 W ultraviolet ray lamp, the remanent polarization and coercive field had both varied, and a voltage shift was obse     

用Cr/Au/Ni/Au制备n-GaN欧姆接触

为了获得n-GaN的低接触电阻的欧姆接触,采用Cr/Au/Ni/Au金属化系统与n—GaN形成欧姆接触,并对其不同温度下的接触电阻率进行了测试分析.室温下Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率为0.32mΩ·m2。随着温度的升高,接触电阻率略有增加,在300℃时接触电阻率为0.65mΩ·cm2,因此此欧姆接触适合在高温下使用.     

铬/氢/空气/氯体系的焚烧动力学分析

对含铬固体废物焚烧体系进行动力学分析是提出控制六价铬化合物排放措施的基础。本文对铬/氢/空气/氯焚烧体系进行了动力学分析,研究了温度、初始氯含量对产物中六价铬化合物含量的影响。研究表明,六价铬化合物主要以CrO2(OH)2的形式出现,最高含量出现在1700K左右;氯的存在没有导致六价铬化合物CrO2Cl2的大量生成;六价铬化合物CrO2(OH)2的含量随初始氯含量的增大略有下降。建议含铬固体废物实际焚烧过程中,避开1700K左右的温度区域,减少六价铬化合物的排放。