长波长1.3μm激光器腔面镀减反射膜超辐射发光管的制备

本实验采用ＩＬ－４００型膜厚速率控制仪和钼舟，对半导体激光器端面分别蒸镀单层和双层减反射膜来制备长波长超辐射发光二极管，并对蒸镀减反射膜后器件的功率特性和光谱特性方面进行了测试。     

SiO高效减反射膜的蒸镀和监控

报道了使用 IL400膜厚速率控制仪监控 SiO 减反射膜的蒸镀,通过对1.3μm 激光器前端面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超辐射发光二极管。     

长波长1.3μm超辐射发光管的制备

对半导体激光器腔面分别蒸镀单层和双层减反射膜（ＡＲ）制备超辐射发光管（ＳＬＤ），测试了器件功率特性、光谱特性和远场分布，并计算了器件端面的剩余反射率。     

一氧化硅减反射涂层的理论分析和蒸镀

本文在理论上,用角谱法分析了1.3μm InGaAsP/InP 半导体激光器腔面镀膜后的剩余反射率,并对 TE 波算出了单层近似结果。在实验上,较详细地讨论了 SiO 减反射膜的蒸镀。并通过对1.3μm 激光器前后腔面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超发光二极管。     

沃拉斯顿棱镜可见光区减反射膜研制

为了提高镀膜材料和冰洲石基底的附着力以及提高棱镜的透过比,拓宽有效使用带宽,借助于计算机辅助设计方法,设计了高性能多层减反射膜系;选用合适的光学薄膜材料,利用电子束蒸镀,借助于离子源辅助蒸镀,制作了高性能的宽带减反射膜.测试结果表明:e光,o光的平均剩余反射率小于0.5%,有效使用带宽覆盖可见光区;为了改善薄膜和基底间的附着力,采用Al2O3做过渡层.     

沃拉斯顿棱镜可见光区减反射膜研制

为了提高镀膜材料和冰洲石基底的附着力以及提高棱镜的透过比,拓宽有效使用带宽,借助于计算机辅助设计方法,设计了高性能多层减反射膜系;选用合适的光学薄膜材料,利用电子束蒸镀,借助于离子源辅助蒸镀,制作了高性能的宽带减反射膜．测试结果表明：e光,o光的平均剩余反射率小于0．5％,有效使用带宽覆盖可见光区;为了改善薄膜和基底问的附着力,采用Al2O3做过渡层。     

半导体激光器腔面SiO,Au涂层的研究

通过在ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ激光器前后腔面蒸镀ＳｉＯ减反射膜和ＳｉＯ、Ａｕ高反射膜的工艺过程，从理论和实验上分析涂层特性，反射率、透射率由无膜时的３２％、６８％提高到９４％以上，提高激光输出功率和工作寿命。     

1.3μm超辐射发光二极管

本文报告了电子束蒸镀 Si_3N_4减反射膜的结果,并制成了1.3μm 超辐射发光二极管。室温连续输出功率1.2mW,光谱半功率宽度9nm。     

Wollaston棱镜宽带减反射膜的研制及测试

针对Wollaston棱镜中o、e光对应的基底折射率相差较大以及制作该晶体的冰洲石和许多薄膜材料间附着力较差的特点,为了提高镀膜材料和冰洲石基底的附着力以及提高棱镜的透过比,拓宽有效使用带宽,借助于计算机辅助设计方法,设计了高性能多层减反射膜系。选用合适的光学薄膜材料,利用电子束蒸镀,借助于离子源辅助蒸镀,制作了高性能的宽带减反射膜。测试结果表明：o光的平均剩余反射率小于1．0％,e光的平均剩余反射率小于0．5％,有效使用带宽在近红外大于200nm;薄膜和基底结合牢固,达到了设计要求,提升了棱镜的品质。     

SiO膜作为光控晶闸管减反射膜的研究

为了提高光控晶闸管的触发灵敏度,我们在器件的受光区表面蒸镀上一层SiO减反射膜,本文在理论上指出了SiO作为减反射膜所必须满足的条件,并在实验上对SiO膜的减反射效果进行了验证,结果表明:SiO膜的存在可使透射率由无膜时的0.68提高到0.94-1,光触发功率比无膜时减少了20-40%.     

单层膜对超短脉冲的减反效果分析

利用多光束干涉方法分析了超短光脉冲通过单层介质膜的情况，研究了半导体激光器端面镀制的单层减反射膜中的电场变化，透过减反膜电场的时间特性，以及脉冲的能量反射率。     

高效减反射膜—由半导体激光器向行波式放大器转变的关键

采用常规膜厚监控方法在二极管激光器端面镀高效减反射膜有很多困难。本文从理论上研究了自发光监测控制减反射膜的可行性,并且得到了用这种方法在半导体激光器端面镀高效减反射膜的实验结果。利用 Kaminow 等人提出的间接测量法,测得在 GaAs 激光器端面镀制了单层 SiO 膜后的剩余反射率小于5×10~(-4)。     

PDP用电子束蒸镀装置

电子束蒸镀装置中，离子镀装置被用于MgO膜形成工艺中。以前，MgO膜是通过电子束(EB)蒸镀法而形成的，近期涌现出了采用离子镀法成膜的PDP厂商。这里，将一并介绍电子蒸镀装置和离子镀装置     

光栅调谐外腔半导体激光器特性

用一端面镀制高效减反射膜的激光二极管（实际已变成超辐射发光二极管），作为外腔中的增益介质与衍射光栅一道构造了光栅调谐外腔半导体激光器，并对其特性进行了分析和实验研究，实现了外腔半导体激光器的宽带调谐单模输出，调谐范围宽达４０ｎｍ，测定了阈值电流和调谐波长的关系。     

球面整流罩镀膜的初步研究

球面整流罩镀膜的初步研究航天工业总公司三院八三五八所王永春在直径Φ２００ｍｍ的ＺｎＳ球面整流罩上镀制用于８～１４μｍ波段的红外减反射膜、需要解决如下几个问题：减反射膜系统的设计；减反射膜制备工艺的研究；减反射膜性能的研究以及在这样大面积上（而且带有曲...     

半导体光放大器增益曲线的测量

在半导体激光器端面镀减反射膜以后,我们测量了在高于镀前阈值条件下工作时二极管的增益谱。实验结果与理论相符。     

电子束蒸镀厚SiO2膜的工艺研究

本文研究了用电子束蒸镀工艺制备用于光波导器件的SiO2膜。采用高温退火处理工艺使SiO2膜的光学和物理特性稳定。在蒸镀过程中,输入不同压力的O2,可以改变和控制SiO2膜的组分,达到控制膜折射率的目的。通过逐次蒸镀、退火的工艺,实现1μm以上厚SiO2膜的制备。     

InGaAsP／InP半导体功率放大激光器耦合效率的研究

通过对波长1.3μm InGaAsP／InP的半导体功率放大激光器端面镀SiO减反射膜工艺过程,从理论和实验上分析了涂层特性,透射率由无膜时的69％和32.6％提高到镀膜后的90％和80％以上,提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。     

对于蒸镀薄膜柱状结构的讨论

自从英国学者Pearson[1]通过对蒸镀薄膜横断面的显微观察提出多层膜的微柱状结构以来,对于光学薄膜微观结构及其有关特性进行了广泛的研究,现在人们已经非常清楚,蒸镀的光学薄膜几乎都是柱状结构。     

用激光照射帮助锗生长

在置于气化锗的反应炉中的GaAs衬底上蒸镀Ge时，用激光照射GaAs可提高蒸镀性能，改善Ge半导体的质量。这时激光起催化剂的作用。用过去方法蒸镀温度是460 ℃,用这种方法可把温度降低、到350 ℃。