飞利浦推出革命性电源管理芯片 特为台式PC机电源设计的高级拓扑技术 可大幅提高的电源效率超过80％

飞利浦电子公司日前发布了绿色芯片(GreenChip)节能系列的两款最新产品:绿色芯片(GreenChip)PC芯片组和绿色芯片(GreenChip)SR芯片组。飞利浦绿色芯片(Greenchip)PC芯片组采用了一种全新的一体式(all-in-one)设计,可以大幅提高台式PC机电源整体效率超过 80％。绿色芯片(Greenchip)SR(同步整     

存贮器3D模块的1种组装方案

MCM(多芯片模块)及3D(三维组装)模块是高密度电子组装的最新技术,尤其是由 Flip Chip(倒装芯片)构成的 MCM 及3D模块具有更小的尺寸及更好的电气性能。采用 Flip Chip 裸芯片比其它裸芯片 COB(板上芯片)的一个显著优点是 Flip Chip 的引     

1Gbps网络芯片的新功能及其网卡

本文介绍以太(Ethernet)局域网的新芯片,也就是美国国家半导体(National Semiconductor)的1Gbps的以太网芯片,这是网卡(NICs,Network Interface Cards)用的芯片,而非网络集线器(Hub)或网络交换机(Switch)用的芯片。虽然这套芯片在2000年5月已经正式推出,但真正量产则是在去年下半年,至于真正的普及与起飞则得看今年了。     

SoC、DFM与EDA

介绍了系统级芯片(SoC)、可制造性设计(DFM)和电子设计自动化(EDA)的最新发展动态。SoC正在从单核向双核、四核和多核过渡。SoC设计必须采用DFM和EDA。采用DFM和EDA的优点:(1)提高芯片的生产效率和良率;(2)降低芯片生产成本;(3)缩短芯片生产周期,加速上市。     

SOC设计中一种提取翻转率用于IR-drop分析的方法

0 引言 在高性能的SOC(System On Chip)芯片设计中,需要将IR-drop(电压降)控制在很小的范围内,否则,在深亚微米下如果power network做得不够好,就会出现芯片不能工作或者工作不正常的情况.在芯片设计的pre-layout(预布局)阶段,芯片设计后端组会对芯片的PG(Power and ...     

新产品速递

盛科将再推两款电信级以太网交换芯片盛科网络(苏州)有限公司日前宣布将于2011年第三季度推出两款以太网交换核心芯片CTC6028(Manhattan)和CTC5048(Brooklyn),从而与现有的CTC6048(Humber)包交换核心芯片和CTC8032(Richmond)交换网核心芯片一起构建完整的以太网交换芯片产品系列TransWarp。该产品系列为网络设备提供商构建从固定配置的盒式系统到模块化分布式架构的网络设备提供了全面、有竞争力和差异化的芯片解决方案。     

几种新型宽带光接入方案及关键光电器件(续)

(上接第4期) 2.3高速、可调波长和单片集成式光发射芯片(EAML-SOA) 对于40G TWDM-PON发射端来说,首先要解决宽带光芯片问题.为了缩小体积,提高光电性能,国内外正在研发宽带单片集成芯片.这种芯片性能优越,可充分满足40G TWDM-PON发射端技术要求,具有多种可能结构形式.其中,基于电控技术、波长可调谐的光发射芯片EAML-SOA,性能优越,商用化程度较高,EAML-SOA把具有MQW-LD、相移(DBR)、电吸收调制(EAM)、半导体光放大(SOA)单片集成在InP基片上,其芯片结构示意图如图5所示.     

MB86C30A:USB 3.0-SATA桥接IC

富士通(Fujitsu)微电子有限公司日前宣布推出业界领先的USB 3.0-SATA桥接芯片。该芯片支持超速USB和USB 3.0规范,并能在外置存储器件(如磁盘驱动器HDD)和PC之间进行高达5Gbps的数据传输。该全新芯片是USB 3.0-SATA桥接芯片MB86C30系列的首款芯片,     

IDT推出全球最高性能的Gen 3 PCI Express交换器件用于SSD存储阵列和云计算应用

IDT公司(Integrated Device Technology)发布全球最高性能的Gen 3 PCI Express(PCIe)交换芯片系列,用于固态硬盘(SSD)存储阵列和云计算应用。新的交换芯片系列以占据领导地位的IDT高性能、可升级的PCIe Gen 1和Gen 2交换芯片为基础,     

MMIC在T/R组件中的应用

采用单片微波集成电路(MMIC)芯片技术和多芯片组件(MCM)微组装工艺,设计了一款小尺寸双通道发射接收(T/R)组件.组件由环形器、限幅器芯片、低噪声放大器(LNA)芯片、幅相控制多功能芯片、驱动放大器芯片和功率放大器芯片(PA)等部分构成.基于GaAs的LNA MMIC芯片具有更低噪声系数,基于GaN的PA MMIC芯片具有更高的输出功率及功率附加效率.组件接收通道采用基于GaAs的LNA芯片,发射通道采用基于GaN的PA芯片,设计了针对发射通道驱动放大器与功率放大器的协同脉冲调制电路.研制的T/R组件在8～12 GHz的频带内:接收通道在工作电压+5 V连续波的条件下,小信号增益大于20 dB,噪声小于3 dB;发射通道在周期1 ms,脉宽10％的调制脉冲条件下,脉冲发射功率大于46 dBm.T/R组件外形尺寸为70 mm×46 mm×15 mm.     

静态时序分析中不同工作模式的分析及应用

为了使STA(静态时序分析)结果更接近实际芯片工作环境的情况,可以通过设置不同的分析模式来进行时序仿真。芯片设计工作环境包括工艺、工作电压、工作温度的参数(PVT)。根据不同的PVT组合,可以得到WORST、TYPICAL、BEST的工作条件。并在STA中通过3种模式:单一模式(single mode)、最好-最坏模式(bc-wc mode)、全芯片变化模式(ocv mode)来仿真芯片实际的工作情况。将对不同的工作模式进行分析,并阐述其在深亚微米芯片设计过程中的应用。     

高芯片键合质量与高生产率的新型银浆体系的研究

高键合强度与高生产率的银浆体系是芯片实现小型化、轻薄化的基础,本文研发了一种高芯片键合强度的新型银浆体系(银浆B),通过五元素三水平(53)正交实验,探讨了银浆量、点胶高度、芯片键合力、银浆固化时间、固化温度等五因素对芯片键合强度及结构的影响;以及基于实验设计(DOE)和响应曲面分析(RSM)等统计方法,分析了芯片键合的过程,优化了芯片键合过程的固化时间、固化温度和银浆量等参数。采用银浆B体系以及优化的制程参数,使得芯片键合强度制程能力指数(Cpk)从0.56提高到2.8。     

基于人工智能的芯片表面缺陷检测研究

为了准确地检测芯片的表面缺陷,提出了一种基于反向传播神经网络(BPNN)的检测算法。首先,中值滤波方法被用于滤除芯片表面图像的噪声;然后,提取芯片表面缺陷的Hu不变矩特征和局部二值模式(LBP)特征,并采用核主成分分析(KPCA)算法降维级联后的特征;最后,离线学习芯片表面正常模式和各种缺陷模式的BPNN模型。在线检测时使用BPNN判断芯片是否存在表面缺陷,使用最近邻(Nearest Neighbor, NN)算法具体分类缺陷的模式。提出算法在芯片表面图像数据库中的检测准确率为88.41%,可以应用于芯片生产线中的表面缺陷检测。     

三维多芯片组件及其应用

一、前言 三维多芯片组件(简称3D-MCM)是在二维多芯片组件(即2D-MCM,通常指的MCM均系二维)技术基础上发展起来的高级多芯片组件技术。二者的区别在于:3D-MCM是通过采用三维(x,y,z方向)结构形式对IC芯片进行立体结构的三维集成技术,而2D-MCM则是在二维(x,y方向)对IC芯片集成,即采用二维结构形式对IC芯片进行高密度组装,是IC芯片的二维集成技术。三维多芯片组     

直播卫星“户户通”双模接收整体解决方案设计

本文介绍了基于杭州国芯科技股份有限公司产品GX 1121C(ABS-S解调芯片)、GX1501B (CTTB解调芯片)和GX3001 (NDS高级安全解码芯片)的直播卫星“户户通”双模接收机顶盒完整解决方案,从芯片功能特征、硬件系统方案设计和软件架构、功能模块等方面详细阐述了该解决方案的功能特点,并结合市场推广情况,综...     

博通公司为中国市场推出首款高清卫星机顶盒系统级芯片

全球有线及无线通信半导体创新解决方案领导者博通(Broadcom)公司宣布为中国免费(FTA)卫星市场推出新款高清机顶盒系统级芯片(HD STB So C)。随着中国高清节目推广势头的迅猛增长,博通公司的BCM7228芯片通过集成广播电视先进视频编解码(AVS+)解压技术,能够支持卫星电视运营商推广更先进的业务、提高高清卫星广播传输能力。博通BCM7228系统级芯片(So C)符合中国国家广电总局(SARFT)的压缩标准。此外,该芯片提供了最先进的条件访问(CA)和数字版权管理(DRM)安全     

编程器的选择及未来趋势

可编程的芯片大致可分为两大类,一是存储器芯片,另一类是可编程逻辑芯片,简称PLD(Programmeble Logic Device)。存储器芯片被编程进去的是设计者的程序与资料,如E(E)PROM、Serial PROM、Flash等,由于单片机内亦有E(E)PROM,因此也是属于存储器芯片的范畴。而PLD芯片被编程进去的是设计者的控制电路,通常这类IC在电路中起控制作用。因     

美国人工智能芯片最新发展

近年来,随着全球对人工智能(AI)行业投资的不断增加,人工智能算法和应用处于高速发展和快速迭代时期,作为支持人工智能底层基础的人工智能芯片,呈现出广阔的发展前景。美国作为人工智能芯片的领导者,高度重视人工智能芯片的研发。本文梳理了美国在图形处理器(GPU)技术、现场可编程逻辑门阵列(FPGA)技术和类脑芯片等方面的发展动向,分析了人工智能芯片技术路线的优缺点和发展方向,研判了人工智能芯片在促进信息化装备、军事仿真训练、智能化指挥系统等领域的军事应用。     

业界要闻

ABI:2012年NFC芯片发货量将达4.19亿根据市场调研机构(ABI)的最新研究,在2012年NFC (近距离通信)芯片的发货量将超过419,000,000件。高级分析师Douglas McEuen说:未来五年中,NFC芯片的产量     

S 频段pHEMT 双通道低噪声放大器芯片的设计

采用GaAs 0.13μmp HEMT MMIC流片工艺设计和制作了一种S频段双通道低噪声放大器芯片,芯片内部集成了两个低噪声放大器通道、一级单刀双掷(SPDT)开关和一个晶体管-晶体管逻辑(TTL)电平转换电路。低噪声放大器电路采用一级共源共栅场效应管(Cascode FET)结构实现,使其具有比单管更高的增益,简化了芯片拓扑,降低了芯片设计难度。经流片测试,在1.9~2.1GHz的工作频带内,芯片噪声系数优于1.4dB,增益大于22.5dB,输入驻波优于1.8,输出驻波优于1.4,输出1dB压缩点(P1dB)为10dBm。大量芯片样本在片测试统计数据表明该低噪声放大器成品率大于90%,性能指标优于目前同类商业芯片指标。