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为解决硅压阻式压力芯片灵敏度随着温度变化发生漂移的问题,设计了一种在片上集成温度补偿结构的压力芯片。在压力芯片上制备电阻温度系数(TCR)为负数的多晶硅电阻用于分压,调整不同温度下的惠斯通电桥端电压以达到灵敏度补偿的效果。本文的研究包含理论分析、参数计算,并进行了芯片制备和性能测试。性能测试结果表明,补偿后的耐高温封装传感器芯片在-50℃~270℃区间内,温漂为-0.034%FS/℃,简易封装传感器芯片在-40℃~125℃区间内的温漂为-0.008%FS/℃,该补偿芯片的温漂远小于无补偿的压力芯片。 相似文献
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两种数据融合算法对扩散硅压力传感器的温度补偿 总被引:4,自引:1,他引:3
针对扩散硅压力传感器在实际应用中对温度存在交叉灵敏度的问题,文章采用改进的多维回归分析法和BP神经网络法两种实用的智能化数据融合方法对压力传感器输出进行处理,以消除非目标参量(温度)对传感器的影响;研究结果表明这两种方法均能有效地抑制交叉灵敏度,减小灵敏度温漂和零点温漂;由于这两种融合算法具有各自的特点,因此可应用于不同要求的智能传感器系统中。 相似文献
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用选择腐蚀多晶硅下面的氧化层的方法能制备出多晶硅微细加工的结构。该微细加工技术的优点在于其简单性和与常规集成电路的兼容性。由于多晶硅内部的压应力,使微结构的尺寸受到了限制,但通过退火可使内部压力减少。本文描述了将一个谐振多晶硅微桥和NMOS单片电路结合在一起的集成蒸汽传感器的制作方法。频率响应测量表明,多晶硅的杨氏模量为4×10~(10)Nm~(-2),其值明显地低于单晶硅。多晶硅微机械加工的一个可能应用是制造集成压力传感器,多晶硅压力传感器的研究有助于确定进一步研究的内容。 相似文献
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传统硅基压力传感器普遍具有灵敏度低、温漂和时漂明显等半导体器件固有属性.本文提出的硅铝异质结构MEMS压力传感器及其恒温控制和自校正方法可一定程度上解决该问题.采用SOI硅片制造了具有压阻放大效应的新型硅铝异质结构压力传感器芯片,利用有限元仿真验证了其有效性.随后为其设计了恒温控制封装结构和自适应优化目标值PID加热控制策略,采用热稳态分析验证了该恒温控制封装的合理性.传感器采用AD5420可调电流源来模拟传感器的标定压力,在传感器发生一定时漂特性后更新传感器的输出特性,完成自校正操作.实验表明单个应力敏感硅铝异质结构在恒温系统控制下达到0.283 mV/V/kPa的灵敏度,结合温度参考结构的差分输出,传感器的热零点漂移系数从-6.92×10-1%FS/℃减小至-1.51×10-3%FS/℃,且可达到±5.5 kPa的预测误差,同时自校正操作将传感器最大预测误差从-6.1 kPa减小至5.0 kPa.本文提出的硅铝异质结构压力传感器的温度补偿与时漂补偿方案对优化压阻式压力传感器的综合性能有着一定的借鉴意义. 相似文献
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Fabrication and temperature coefficient compensation technology of low cost high temperature pressure sensor 总被引:4,自引:0,他引:4
For the purposes of pressure measurement at high temperature in oil drilling industry as well as in other industrial measurement and control systems, the strain gauge chip of piezoresistive pressure sensor is designed based on separation by implanted oxygen (SIMOX) SOI (silicon on insulator) technology, and then fabricated in the micro-machining work bay. Some kinds of sensor mechanical structures are designed for different customers and conditions. The thermal coefficients of expansion (TCE) mismatches between different materials within the high-pressure sensor system are investigated. The sensor is fabricated successfully by using high temperature packaging process. The temperature coefficient of sensitivity (TCS) and temperature coefficient of offset (TCO) compensation circuitry is demonstrated. Based on experimental data, the sensor is tested with high accuracy and good stability. 相似文献
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基于光子晶体光纤的在线压力监测技术 总被引:1,自引:0,他引:1
为了监测紧凑结构件的内部层间压力,提出一种采用新型材料保偏光子晶体光纤为敏感单元的嵌入式压力在线检测技术。建立了传感模型,采用Sagnac干涉技术组建检测系统,并进行了实验研究。通过实验验证,检测系统输出干涉峰值的移动量与光纤横向压力成线性关系,传感器可检测压力范围为0~10 kN,压力灵敏系数为0.4414 nm/kN,传感器精度2.6%,且能明显观测到光纤上方垫层材料的松弛效应。试验验证敏感单元的重复性能良好,且温度敏感系数仅为-11.8 pm/℃,使得该类传感器具有良好的抗温度干扰性及工程实际应用性。 相似文献
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本文提出了一种硅压力传感器的温度补偿方法,同时给出了如何进行温度补偿以及非线性修正的具体算法,实现了硅压力传感器宽温度范围下的高精度测量。 相似文献
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介绍一种以多晶硅薄膜为敏感材料的压力传感器。该传感器利用了双岛结构膜片的应力集中效应,灵敏度得到提高,且具有良好的线性度和过载能力。 相似文献