安森美半导体拓展功率MOSFET产品系列推出18款新计算器件

近日电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出18款优化直流-直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,     

NTD48xxN：功率MOSFET

ONSemiconductor推出12款新的功率MOSFET器件,优化直流／直流（DC／DC）转换,并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算应用中的高低端开关,如中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）和系统输入端的DC／DC转换。     

安森美半导体扩充功率MOSFET系列

安森美半导体（ON Semiconductor）推出12款新的功率MOSFET器件,优化直流一直流（dc-dc）转换,并降低关键电平的功率损耗。这些MOSFET非常适用于笔记本电脑、台式电脑和游戏机等计算应用中的高低端开关,如中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）和系统输入端的dc-dc转换。     

元器件与组件

用于数字地面广播移动电话的可调式天线变容二极管，三款新型25V DirectFET MOSFET，能够耐150℃高温的芯片式固体钽电容器，优化DC／DC转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET，1206封装IW表面贴装电阻器。[编者按]     

电源技术

优化型DirectFET MOSFET 国际整流器公司(IR)在其DirectFET MOSFET系列中新增三款20V N沟道器件.该器件经过全面优化,适用于VRM10功率系统及新一代Intel和AMD处理器中的高频、大电流直流-直流转换器,应用范围包括高端台式计算机和服务器,及先进的电信和数据系统.     

CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比

本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e—JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24％，总功耗则降低约30％。将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。     

CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究

本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%。将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景。     

CPU电源电路用沟槽棚MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究

本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析，并在此基础上分别对两种典型结构槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率 下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现，在一定工作条件下，常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%，总功耗则降低约30%，将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造，在高频领域有着极好的应用前景。     

一种分段输出PWM Buck DC-DC转换器设计

为了解决PWMDC-DC在轻负载时转换效率骤降的问题,设计了一种分段输出级PWM DC-DC电路结构,用以优化轻负载时的转换效率.该设计引入了负载电流检测电路,对输出电流进行采样并检测.在重载情况下,所有功率MOSFET同时输出.当负载电流减小,逐级关闭各段功率MOSFET,直至在最轻载情况下用最小尺寸的功率MOSFE...     

电源用元器件技术及发展趋势

随着电子设备向小型、高密度发展,电源也要满足小型、重量轻和高效率的要求。今天,效率更高的由高频转换的转换电源及DC-DC变换器已成为主流。同时,电子设备中的IC还需要稳定地供给额定电压,同时功耗及降低待机功耗要求也越来越严格。因此,这样的电源所用的半导体器件及电路元件,都在以提高性能和长寿命为目标进行开发。电源用半导体器件用于电源的半导体器件有功率晶体管、整流二极管、电流控制器IC以及稳压IC和复位IC等。功率晶体管过去多用双极晶体管,近年来已广泛使用MOSFET。由于MOSFET的频率特性极佳,可在更高频率下进行转…     

高集成度的电源管理解决方案

MAX16814集成了开关DC／DC控制器,用于产生驱动多串LED所需的电压。器件还具有4个带有片内功率MOSFET的线性电流吸收电路,为每串LED提供最高150mA的可编程电流。自适应输出电压控制架构优化了效率,极大地降低了LED电流吸收通路的功耗。     

高性能显卡设计中的峰值电流控制技术

专用显卡芯片(GPU)转换到高性能工作模式时,电流和功耗剧增,可能引起电源过流保护、GPU异常甚至死机等问题。本文详细分析其原因,并提出了一种峰值电流控制机制。通过测量电路关键波形,表明了峰值电流控制机制在高端显卡设计中的应用可能性。     

离线开关电源转换器

VIPerPlus全系列产品均集成了控制器、启动电路和一个800V抗雪崩击穿的功率MOSFET。其在265V时待机功耗小于50mW;如果优化变压器设计,待机功耗可更降低至30mW。其中的800V功率MOSFET是专门为VIPerPlus系列优化的。固定频率PWM控制器具有频率抖动技术,采用创新的准谐振拓扑。     

瑞萨用于电池充电器的功率MOSFET

功率MOSFET有着各种各样的应用．如电源管理、交流-直流电源转换、直流-直流电源转换、UPS、电机驱动、汽车电子、数字音频功效以及在LCD、PDP方面的应用等：不同的应用对于MOSFET的工作频率和漏-源电压有不同的要求,     

同步降压转换器中的短路现象分析与解决方案

同步降压电路被广泛应用，为CPU、芯片组、外设等提供针对“工作点”的高电流、低电压供电。在同步降压转换器中，功率电路中具有为电感充电的“高边”(图1中的Q1)MOSFET，以及为电感电流提供低损耗续流通道的“低边”MOSFET，替代常规降压调节器的续流二极管。短路 (Shoot-through)是指两个MOSFET同时完全或部分导通时，VIN至GND间有短路电流通过的情况。为了将短路减至最少，同步降压调节器IC通常采用以下两种方法来确保Q1和Q2按照“先开后合”的步骤操作，以减少短路的情况。 固定“死区时间”：一个MOSFET断开，在一个…     

用于Nvidia Tegra及其他多核ARM处理器的电源管理IC

A S3728是一款搭配A S3722直流-直流控制器使用的8A高压功率级模块。A S3728支持12V高压输入,为处理器核供应高强度电流,为嵌入式系统提供更合理的电源构造。AS3722电源管理I C和多颗A S3728功率级模块为Nvidia Jetson TK1参考设计板中的Tegra K1处理器供电。Nvidia的最新移动片上系统Tegra K1配备了4核ARM Cortex-A15 CPU以及192CUDA图像处理内核。     

2007慕尼黑上海电子展之工业自动化节能篇：IGBT将是实现中国十一五规划能源消耗降低20％的关键——2007年慕尼黑上海电子展展前巡礼

电力是目前中国主要的工业能源，要实现十一五规划关于单位国内生产总值能源消耗比“十五”期末降低20％左右的宏大生态目标，关键就是要有效降低工业生产过程中那些大电流和高电压应用的功耗。IGBT集MOSFET的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能于一体，是交流控制应用中能够产生大电流和高电压的核心功率器件，能否有效降低其功耗也就成为实现能源消耗总目标的关键之一。     

IGBT将是实现中国十一五规划能源消耗降低20%的关键——2007年慕尼黑上海电子展展前巡礼

电力是目前中国主要的工业能源,要实现十一五规划关于单位国内生产总值能源消耗比"十五"期末降低20%左右的宏大生态目标,关键就是要有效降低工业生产过程中那些大电流和高电压应用的功耗.IGBT集MOSFET的高速性能和双极型功率晶体管的低电阻性能于一体,是交流控制应用中能够产生大电流和高电压的核心功率器件,能否有效降低其功耗也就成为实现能源消耗总目标的关键之一.     

一种应用于开关电容电路的0.9 V自适应偏置OTA

设计了一种应用于开关电容电路的自适应偏置的低电压、低功耗开关运算跨导放大器。采用负阻负载技术和自适应偏置技术,分别提高了放大器的增益和转换速率;采用电流镜型OTA技术降低功耗,并通过控制开关关断非工作状态下的运放电源,进一步降低了功耗。新型开关电容共模反馈电路的共模电压可在一个时钟周期内快速稳定,不增加额外功耗,不限制输出摆幅。在SMIC 0.18 μm工艺下的仿真结果表明,OTA在0.9 V供电下,直流增益达60 dB,增益带宽积为1.81 MHz,转换速率为0.94 V/μs,功耗为4.16 μW。     

针对总线和POL转换器优化的MOSFET

随着能够降低系统成本并提高系统效率的中间总线架构（IBA）在电信功率系统中的日渐流行。MOSFET的额定击穿电压也正在不断扩展。以优化RDS（on）和成本性能。本文将讨论在商用DC／DC转换器和POL转换器中日益普及的MOSFET特性。