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介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pu-cel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型.基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式.利用上述方法,针对200 μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4~18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性. 相似文献
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自从Mimura等人1980年首次研制出了第一只高电子迁移率晶体管(HEMT),其优越的电子传输性能备受注目,可望在超高速数字电路和逻辑集成电路中得到广泛应用。本文采用Xia等人提出的三段速-场公式,在考虑了300K时场相关迁移率、沟道长度调制效应以及串联源、漏电阻等效应的基础上,又加入了Al_xGa_(al-x)As的组分x的调制效应,以适应能带工程和高性能电路的需要;推导并求解x>0.3的Al_xGa_(1-x)As/GaAsHEMT的直流I-V特性。计算结果与理论值符合良好。 相似文献
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An improved parasitic parameter extraction method for InP high electron mobility transistor(HEMT) is presented. Parasitic parameter extraction is the first step of model parameter extraction and its accuracy has a great impact on the subsequent internal parameter extraction. It is necessary to accurately determine and effectively eliminate the parasitic effect, so as to avoid the error propagation to the internal circuit parameters. In this paper, in order to obtain higher accuracy of parasitic ... 相似文献
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本文提出一种测量GaAs MESFET寄生电阻的方法。测试比较方便,测量结果与预计值符合较好。 相似文献
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利用硫化铵溶液对GaAs HEMT/PHEMT器件进行表面硫化处理,并利用硫酸锌溶液进行固化;相对于传统的氨水表面处理,经过此处理的器件获得了更高的直流脉冲比,并保持相当高的击穿电压。分析表明,这样的改善来源于表面硫化处理对砷化镓表面态能级的抬高。 相似文献
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对互连寄生电容提取的研究背景进行了简要的介绍。重点介绍了直接边界元和间接边界元方法的原理,比较了各种方法的优缺点,对和边界元法相关的各种加速算法、预条件处理及建库方法也作了简要介绍。 相似文献