一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法

该文提出一种新的绝对误差函数,应用该函数进行非线性模型参数提取可以避免计算误差,显著降低参数提取的不准确性。由于氮化物半导体器件,尤其是AlGaN/GaN HEMT器件已经开始得到广泛应用,其模型和参数对射频和电力电子器件和电路设计至关重要,分别使用3种误差函数对 AlGaN/GaN HEMT器件模型进行了参数提取并对比,对比结果表明该文提出的误差函数更加精确和有效。同时为今后的电子器件的模型参数提取提供了一种有效且精确的方法。     

GaN HEMT器件微波噪声模型参数提取

介绍了两种可以用于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件建模的噪声模型,Pu-cel等效电路噪声模型和Pospieszalski温度噪声模型.基于Pucel等效电路噪声模型,介绍了利用器件本征噪声参数推导Pucel噪声模型参数的过程,并且给出了微波噪声模型参数的表达式.利用上述方法,针对200 μm栅宽的GaN HEMT器件,提取了噪声模型参数值,并且在ADS仿真软件平台上建立了GaN HEMT器件的Pucel等效电路噪声模型,仿真结果与实测结果在频率为4～18 GHz带宽内吻合较好,说明提出的噪声模型参数提取方法对于GaN HEMT器件噪声仿真的实用性和准确性.     

Al_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs HEMT结构参数优化提取

采用近年发展的两种电行控制模型及改进的两区v－E模型推导了“反向”器件模型，从直流I-V特性分析求解了Al0．3Ga0．7As／GaAsHEMT的结构参数．因非线性电行控制模型有效地反映了2DEG浓度ns随栅压的实际变化，所提取结构参数与文献报道基本相符．     

AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取

利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.     

一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法

提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法.这种方法以两组S参数为基础,应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数.该方法适用范围广.以一个0.3μm×280μm商用器件的一组寄生参数为基础,对该方法进行了验证.     

一种快速精确的GaAs MESFET寄生参数提取方法

提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法．这种方法以两组S参数为基础,应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数．该方法适用范围广．以一个0.3μｍ×280μｍ商用器件的一组寄生参数为基础,对该方法进行了验证．     

一种新的HEMT小信号模型参数提取方法

介绍了一种高电子迁移率晶体管(HEMT)的小信号参数提取方法——综合多偏置点优化参数提取法。该文首先推导并提出了器件的模型、确定外部参数和内部参数，其次介绍了多偏置点优化算法。最后，以PHEMT器件为例进行鲁棒性和精确性测试，实验采用一系列随机起始值，结果表明，提取的参数值与经验值相差小于1％。     

HEMT的一维I－V参数提取

自从Ｍｉｍｕｒａ等人１９８０年首次研制出了第一只高电子迁移率晶体管（ＨＥＭＴ），其优越的电子传输性能备受注目，可望在超高速数字电路和逻辑集成电路中得到广泛应用。本文采用Ｘｉａ等人提出的三段速－场公式，在考虑了３００Ｋ时场相关迁移率、沟道长度调制效应以及串联源、漏电阻等效应的基础上，又加入了Ａｌ＿ｘＧａ＿（ａｌ－ｘ）Ａｓ的组分ｘ的调制效应，以适应能带工程和高性能电路的需要；推导并求解ｘ＞０．３的Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ的直流Ｉ－Ｖ特性。计算结果与理论值符合良好。     

AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效电路参数值的提取

利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等效电路模型,并对参数值进行优化.可快速提取器件的小信号参数并给予工艺一些反馈和指导.     

An Improved Small-Signal Parameter-Extraction Algorithm for GaN HEMT Devices

A highly efficient and accurate extraction algorithm for the small-signal equivalent-circuit parameters of a GaN high electron-mobility transistor device is presented. Elements of the extrinsic equivalent-circuit topology are evaluated using a modified “cold field-effect transistor” approach whereby the undesirable need to forward bias the device's gate terminal is avoided. Intrinsic elements are determined based on a circuit topology, which identifies, for the first time, a time delay in the output conductance of GaN-based devices. The validity of the proposed algorithm has been thoroughly verified with excellent correlation between the measured and modeled $S$-parameters up to 50 GHz.      

An Improved Parasitic Parameter Extraction Method for InP HEMT

An improved parasitic parameter extraction method for InP high electron mobility transistor(HEMT) is presented. Parasitic parameter extraction is the first step of model parameter extraction and its accuracy has a great impact on the subsequent internal parameter extraction. It is necessary to accurately determine and effectively eliminate the parasitic effect, so as to avoid the error propagation to the internal circuit parameters. In this paper, in order to obtain higher accuracy of parasitic ...     

一种可适应复杂互连电容结构的边界元形体处理方法

针对当前集成电路中日益复杂的互连结构,提出了一种边界元电容提取中的形体处理方法,可适用于填充气隙、保形介质、多平面介质,以及任意复杂的寄生电容结构.在该处理方法中采用多叉树组织三维形体对象,并有效地生成区域边界表面的信息.数值实验表明,该方法拓宽了边界元电容提取处理复杂结构的能力,且具有较高效率.     

一种可适应复杂互连电容结构的边界元形体处理方法

针对当前集成电路中日益复杂的互连结构,提出了一种边界元电容提取中的形体处理方法,可适用于填充气隙、保形介质、多平面介质,以及任意复杂的寄生电容结构.在该处理方法中采用多叉树组织三维形体对象,并有效地生成区域边界表面的信息.数值实验表明,该方法拓宽了边界元电容提取处理复杂结构的能力,且具有较高效率.     

一种测量GaAs MESFET寄生电阻的方法

本文提出一种测量GaAs MESFET寄生电阻的方法。测试比较方便,测量结果与预计值符合较好。     

3-D寄生电容的HOC-ADI提取方法

采用ADI与高阶紧致差分相结合的方法计算3-D寄生电容.数值计算表明,这种方法可以降低方程的迭代次数约40%,并明显减少方程的求解时间.     

硫化铵表面处理对GaAs HEMT/PHEMT器件性能的改善

利用硫化铵溶液对GaAs HEMT/PHEMT器件进行表面硫化处理,并利用硫酸锌溶液进行固化;相对于传统的氨水表面处理,经过此处理的器件获得了更高的直流脉冲比,并保持相当高的击穿电压。分析表明,这样的改善来源于表面硫化处理对砷化镓表面态能级的抬高。     

三维VLSI互连电容提取的边界元法

对互连寄生电容提取的研究背景进行了简要的介绍。重点介绍了直接边界元和间接边界元方法的原理,比较了各种方法的优缺点,对和边界元法相关的各种加速算法、预条件处理及建库方法也作了简要介绍。