采用噪声抵消技术的无电感宽带低噪声放大器

设计了一款多用途、宽带、无电感的低噪声放大器。放大器的第1级为单端输入差分输出结构,采用了噪声抵消技术来降低噪声;第2级引入有源感性负载,并通过电阻负反馈来扩展带宽。采用TSMC 130 nm工艺对电路进行仿真,后仿结果表明,在0.4~6.2 GHz带宽范围内,S21为19 dB,噪声系数为1.9~2.5 dB,功耗为9.6 mW,电路核心面积为0.08 mm²。     

基于噪声抵消技术的CMOS宽带LNA设计

设计了一种用于1～4GHz射频前端的全集成CMOS宽带低噪声放大器。利用电流复用技术,对典型并联共栅-共源噪声抵消结构进行改进,以缓和噪声、增益及功耗之间的矛盾。采用在输入端引入电容电感并与MOS管寄生电容构成П形网络的方式来改善输入匹配特性。基于TSMC 0.18μm CMOS工艺进行设计和仿真。仿真结果表明,LNA噪声系数小于3.24dB,输入反射系数S11小于-8.86dB,增益大于15.6dB,IIP3优于+1.55dBm,在1.8V单电源供电条件下功耗仅为16.2mW。     

一种利用栅极电感峰化和噪声抵消技术的CMOS宽带低噪声放大器的设计

本文给出了一种应用于多模多标准接收机的宽带低噪声放大器的设计。采用噪声抵消技术实现了低噪声特性,同时采用栅极电感峰化技术实现了宽带平稳增益,进而提高了高频处得噪声性能。芯片在0.18 μm CMOS 工艺下制造,测试结果表明,该低噪放的-3dB带宽为2.5 GHz,增益为16 dB。在300 MHz 到2.2 GHz 带宽内的增益变化在0.8 dB之内。噪声系数为3.4 dB,不同频点处测得的平均IIP3 为-2 dBm。该低噪放的核心芯片面积为0.39mm2, 在1.8V供电电压下,抽取直流电流11.7 mA。     

短沟道下共栅结构宽带CMOS LNA的设计

基于短沟道MOS器件的过量因子随沟道长度降低缓慢增加的特征,研究了短沟道下共栅结构宽带低噪声放大器的噪声性能,并在0.18μm CMOS工艺下设计实现了共栅结构的宽带低噪声放大器.流片测试结果表明,在1.8 V电源电压、4.1 mA工作电流下,该系统获得6.1 dB的最小噪声系数;综合性能与长沟道下相近,符合理论分析和设计要求.     

一种基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器

设计了一种应用于全球数字广播 (Digital Radio Mondiale,DRM)和数字音频广播 (Digital Audio Broadcasting,DAB) 的宽带低噪声放大器.采用噪声抵消结构,抵消输入匹配器件在输出端所产生的热噪声和闪烁噪声,使输入阻抗匹配和噪声优化去耦.电路采用华润上华CSMC 0.6 μm CMOS工艺实现.测试结果表明,3 dB带宽为100 kHz～213 MHz,最大增益为16.2 dB, S11和S22小于-7.5 dB, 最小噪声系数为3.3 dB, 输入参考的1 dB增益压缩点为-3.8 dBm,在5 V电源电压下,功耗为51 mW,芯片面积为0.18 mm2.     

一种用于电视协调器的CMOS无电感互补噪声抵消低噪声放大器设计

本文介绍了一个用于电视协调器的CMOS无电感互补噪声抵消低噪声放大器。放大器包括一个共栅极和一个共源级,实现单端转差分的功能。采用的互补结构能够节省功耗和改善噪声系数。线性度也通过采用多个晶体管并联技术来增强。芯片采用SMIC 0.18μm CMOS 工艺。测试结果表明,在50MHz到860MHz频段内,电压增益达到13.5到16dB,噪声系数小于4.5dB,最小达到2.9dB,在860MHz频率处,输入1dB压缩点为-7.5dBm。核心电路在1.8V电源电压下,消耗6mA电流,芯片面积是0.2×0.2mm2     

基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器设计

采用0.18μm CMOS工艺,针对DMB-T/H标准数字电视调谐器应用,设计了一个基于噪声抵消技术的宽带低噪声放大器.详细分析了噪声抵消技术的原理,给出了宽带低噪声放大器的设计过程.仿真结果表明,在48～862 MHz频率范围内输入输出反射系数均小于-20 dB,噪声系数低于3 dB,增益大于17 dB,1 dB压缩点为-6dBm.在1.8V电压下,电路功耗为10.8mW.     

一种基于噪声抵消的0.5μmCMOS宽带低噪声放大器设计

设计了一种应用于DRM(Digital Radio Mondiale,全球数字广播)和DAB(Digital Audio Broadcasting,数字音频广播)的宽带低噪声放大器.该放大器采用噪声抵消结构,抵消输入匹配器件在输出端所产生的热噪声和闪烁噪声,使得输入阻抗匹配和噪声优化去耦.采用华润上华CSMC 0.5μm CMOS工艺实现.测试结果表明,3dB带宽为300kHz~555MHz,最大增益为16.2dB,S11和S22小于-3.6dB,最小噪声系数为3.8dB,输入参考的1dB增益压缩点为0.5dBm,在5V电源电压情况下功耗为97.5mW,芯片面积为0.49mm2.     

一种高增益且可调谐的1~3 GHz宽带LNA

提出了一种增益高且增益可调谐的1~3 GHz宽带低噪声放大器(HTG-LNA)。在输入级,采用带有RC串联负反馈的共基-共射电流镜结构,实现了良好的输入匹配,并提高了电路的稳定性;在中间级,采用以有源电感作为负载的共基-共射达林顿电路结构,在保证宽带的同时实现了较高的增益与增益的可调谐;在输出级,采用带有电流镜的射极跟随器结构,获得了较大的输出功率和良好的输出匹配。基于稳懋0.2 μm GaAs HBT工艺进行验证,结果表明,该HTG-LNA的电压增益大于37 dB,最高可达50.7 dB;功率增益大于37.4 dB,最高可达51 dB;最大增益可调谐幅度为2.2 dB;输入回波损耗小于-7.11 dB;输出回波损耗小于-11.97 dB;噪声系数小于3.23 dB;稳定因子大于5.61;在5 V工作电压下,静态功耗小于65 mW。