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Fe,Si杂质含量对电解电容顺低压阳极铝静电容量的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
Fe在高纯铝中的存在状态直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度,从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Fe,Si析出的轧箔工艺,即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧,使Fe,Si来不及析出,这样,99.98%Al就其Fe,Si析出量而言,实际可达到99.99%以上铝的水平,更进一步,控制Fe,Si析出分布状态的轧箔工艺,有可能用99.93%-99.98%铝得到99.98%以上纯度 相似文献
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在Tegal1512e反应离子刻蚀(RIE)设备上,利用Cl_2和SiCl_4为主要刻蚀气体,进行了AlSi0.8%-Cu2%的RIE工艺研究,详细讨论了影响工艺的诸多因素,涉及AlSiCu材料本身结构的差异,RIE工艺各参数,后处理等许多方面;给出实用化的工艺程序;最小加工线宽达到2μm,体刻蚀速率达870nm/min,均匀性±5%,线宽损失小于10%,对热氧化SiO_2的刻蚀选择比为4∶1,对AZ1450J正性抗蚀剂的刻蚀选择比大于1.8∶1;该工艺使用效果良好,达到实用化水平。 相似文献
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Si1—x Gex/Si定向耦合器的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
在运用SiGe脊形波导单模条件和有效折射率法分析SiGe/Si定向耦合器结构参数基础上,采用分子束外延和各向异性腐蚀技术制备出Si1-xGex/Si单模定向耦合器。在波长为1.3μm时,平均串音小于-18.1dB,输出功率耦俣效率达到98.1%。 相似文献
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1985年,科学技术数据委员会(CODATA)公布了固体热物理性能研究小组的报告,报告分析适用数据并给出了推荐值:Al2O3、Cu、W和Fe的比热,Cu、Si、W和Al2O3的热膨胀,Cu、Fe、W和Pt的电阻率,Al、Cu、Fe和W的热导率以及Pb、Cu和Pt的绝对热功率。研究小组组长由Y.S.Touloukian教授担任,直至1981年去世后,由Merrill Minges博士担任。自上述报告 相似文献
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作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
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低压铝箔交流腐蚀研究 总被引:4,自引:2,他引:2
在30Hz频率下,通过铝箔在HCl+H2SO4+HNO3+H3PO4体系中的交流腐蚀,研究腐蚀液组成中腐蚀主体及缓蚀剂对铝箔腐蚀的作用,探讨腐蚀过程中电源频率、腐蚀液温度、电流密度及腐蚀时间对铝箔腐蚀的影响。腐蚀液组成的配比恰当,有利于比容的提高。在特定的频率下采用合适的腐蚀液温度、适宜的电流密度和腐蚀时间可以提高铝箔的静电容量。 相似文献
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国产及进口高压电容器铝箔的电子显微研究 总被引:4,自引:0,他引:4
针对高压箔尚未根本国产化的问题,对日本、法国和国产铸轧电容铝箔进行了成分和显微分析。实验表明大量的(100)晶面,适量的位错蚀坑、低杂质含量尤其是Fe元素量是提高高压铝箔比容的关键因素。结合生产实际分析了解决的途径。 相似文献
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研究硝酸后处理对阴极箔比容的影响和稳定化处理形成氧化膜的机理。硝酸浓度和温度低 ,侵蚀箔稳定化处理后氧化膜不稳定 ,容量衰减快。浓度和温度高 ,侵蚀箔容量损失大 ,侵蚀箔的初始比容低。加入硫脲和六偏磷酸钠可提高铝箔的初始比容。磷酸和钼酸钠迭加处理使侵蚀箔获得高的初始比容和低的容量衰减率 ,磷酸处理形成氧化膜可分为 Al PO4结构的表面层及 Al PO4和部分 Al被 P代替的水合氧化铝的过渡层。钼酸钠处理形成的氧化膜可分为 Al2 (Mo O4) 3结构的表面层及 A12 (Mo O4) 3和部分 Al被 Mo代替的水合氧化铝过渡层 相似文献
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恒定电流下在酸碱预处理后的铝箔表面电沉积微量Zn,得到电沉积改性预处理铝箔,对其进行直流电化学腐蚀。使用EDS能谱分析电沉积Zn铝箔表面元素;利用金相显微镜与扫描电镜从断面、表面观察样品铝箔腐蚀形貌;利用极化曲线、失重率、减薄率观测样品铝箔的腐蚀电位、腐蚀效果,研究不同预处理工艺对高压阳极铝箔电解腐蚀行为的影响。结果表明:电沉积Zn预处理后,由于沉积在铝箔表面的Zn和Al存在电位差,形成Al-Zn微电池促进铝箔腐蚀发孔,其腐蚀电位由酸碱预处理铝箔的-0.83 V下降到-0.87 V,铝箔腐蚀后隧道孔数量较多,分布更加均匀,减薄率下降,失重率上升,得到了比表面积更大的铝电解电容器用阳极腐蚀箔。 相似文献
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通过控制乙炔与氮气流量比和冷却方式,采用多弧等离子体辅助物理气相沉积法(PVD),制备了不同比电容的TiCN涂层铝箔,借助比容测试仪、发射扫描电镜、X射线衍射分析仪及电子探针等,检测其比电容及显微形貌、晶体结构和化学成分。结果表明,PVD法可以获得高比电容铝箔(1674×10-6F/cm2);采用液氮快速冷却方式可以获得非晶态的TiCN纳米涂层,比电容比随炉冷却的约提高两倍;乙炔和氮气体积流量比为1:1较之1:0.5时,铝箔的比电容提高1.5~2.5倍。 相似文献