晶体振荡器

５２４晶体振荡器可以制作一个单一的非缓冲式ＨＣ反相器作为一个稳定振荡器实现其功能。这种晶体可以是基频型（低频），亦可以是泛音模式（高频）。图１所示是工作在晶体的三次泛音上的振荡器。该当注意，在第７次或第９次谐波上振荡都是可能的。在ＩＣ型号中的Ｕ字，是...     

晶体振荡器分类

普通晶体振荡器：普通晶体振荡器（Packaged Crystal Osclllator,PXO）最简单，应用最广泛，其基本控制元件为晶体元件的振荡器。由于不采用温度控制和温度补偿方式，它的频率-温度特性主要由所采用的晶体元件来确定。     

10MHz简易温度补偿晶体振荡器的开发

温度补偿晶体振荡器（TCXO）是一种把直流电能转换为交流电能的器件，图1为简易TCXO的原理图。基于其工作温区宽、频率稳定度高、功耗低、体积小、可靠性高、达到规定的频率稳定度所需时间短等优点，TCXO被大量用于通信产品中，如通信电台、微波通信设备、程控电话交换机、无线电综合测试仪、移动电话发射台等。     

温度补偿晶体振荡器综述

本文叙述了温度补偿晶体振荡器的发展，国内外水平及各种补偿方法和应用电路，文中还介绍了在生产中应用的自动测试系统和补偿元件的计算方法，在－40－＋70度的温度内采用模拟补偿法可以达到±（1－5）×10^-7的频率稳定度，采用模拟一一数字混合补偿法和微机补偿法可以达到±（1－5）×10^-5的频率稳定度。     

全数字晶体振荡器

提出了一种全数字晶体振荡器（ＤＣＸＯ），讨论了控制方法及控制精度分析、温度补偿方法及保持性能分析，给出了Ｅ１系统Ｃ３时钟的具体参数和计算机辅助分析。     

一种新颖的用于移动式电话系统的数字温补晶体振荡器

本文论述了一种适宜于移动式电话系统使用的数字温度补偿晶体振荡器（DTCXO）。新研制的DTCXO具有下列特点：1．频率稳定度高（最大值为±0．5ppm/--30℃－＋80℃）；2．功率低（最在值为3mA/ 5V工作）3．体积小（体积仅为4cm3)；为了研制这种DTCXO，首先必须有新型的元器件，例如，为使体积更小，功耗更低，则要求作者采用具有C－MOS技术的ASIC（专用集成电路），再如，X切晶体元件，这种最近研制出来的作为温度传感器用的晶体元件封装在极小的外壳中，对于软件的研制，作者最近研制出来的作为温度传感器用的晶体元件封装的极小的外壳中，对于软件的研制，作者研究出一种温度补偿方法，即可用内插法成功地计算出非测量点上的温度补偿数据，本文给出了DTCXO在使用试验中取得的令人满意的结果，证明它适用于移动式电话系统。     

MSP430控制的恒温晶体振荡器

首先由INA330芯片计算出晶体周围的温度与晶体稳频所需温度之间的温差,之后经MSP430(MCU)来完成对半导体加热制冷器TEC的控制,使其实现对晶体周围环境温度的控制,在实现对TEC的控制中使用的是DRV594驱动芯片。在实验过程中通过采集不同时刻的温度值来做出曲线来说明晶体周围的环境温度得到稳定,并且记录不同温度下的晶体的输出频率来说明通过稳定温度可以实现晶体稳频的特点。     

再流焊工艺中表面组装片式元件热传输特性模拟

采用有限元数值计算方法，对表面组装件的典型结构进行了对流再流焊的瞬态热模拟，以清晰、直观的等温线图描绘了再流焊各阶段温度的分布，可定量地了解表面组装件热传输特性。本方法可用于ＳＭＴ再流焊工艺（温度曲线）的优化和温度曲线的计算机辅助设计，有助于提高ＳＭＴ的成品率与产品的可靠性。     

Ramtron新型F-RAM Processor Companion集成温度补偿晶体振荡器

Ramtron宣布升级其瞄准大批量、基于处理器的电子系统市场的Processor Companion产品。新型Processor Companion（处理器伴侣）集成了带有温度补偿晶体振荡器（TCXO）的精密实时时钟（RTC）,256Kb非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM）,以及一整套外设功能。     

新型模拟温度补偿晶体振荡器

主要提出了一种用于移动通信中间接的模拟温度补偿晶体振荡器(ATCXO),它的温度补偿性能比国内现有的模拟温度补偿晶体振荡器更精确,且适于集成小型化,克服了普通的温度补偿晶体振荡器(TCXO)调试量大的困难,易于实现自动测量和自动补偿。该文提出的TCXO包括两部分:一是适于集成的温度补偿电路部分,它与以往的TCXO不同,其内部装有的模拟方式三次电压发生器及记忆存储器的大规模集成电路(LSI)进行温度补偿的方式取代了以前使用的热敏电阻和电容器的温度补偿方法,其中三次电压发生器又包括三次项和线性项,并且输出随温度变化的三次电压曲线;二是压控晶体振荡器(VCXO)部分,它具有很好的线性电压-频率特性。采用了单片LSI的TCXO的体积大大减小,且在-30~ 80℃的宽温度范围内能获得±2.5×10-6以内的精度。     

老杨谈胆（十一）——帘栅极

帘栅极电压及帘栅极损耗 作为五极管（束流管），帘栅极电压是一个很重要的参数，帘栅极处于屏极和控制栅之间，它的正电场协助屏极吸收电子，图（1）是EL-34的帘栅极当屏极（第3脚屏极开路）形成的三极管Ia-Uak曲线，图（2）是EL-34帘栅极和屏极连接形成的三极管Ia-Uak曲线。     

用于SDH的38.88MHz压控石英晶体振荡器的研制

介绍了３８．８８ＭＨｚ压控石英晶体振荡器的原理、设计和性能。该振荡器由适当频率温度曲线的谐振率，变容二极管移相器，高性能的放大电路，波形转换电路等组成，振荡器具有高的稳定度，良好的调谐范围和占空比。     

XP晶体振荡器系列

Pericom与Designcon公司联合推出首个低抖动、低功耗、高频晶体振荡器系列。该系列振荡器使用Pericom公司已申请专利的XP技术开发。XP技术通过独特的石英和硅集成技术,实现了低抖动、不基于PLL的振荡器,其频率范围为150MHz至220MHz。该系列振荡器适用于对成本和效能较为敏感的高增长串行连接应用,如10千兆以太网（10GbE）、无源光网络（PON）和串行连接SCSI（SAS）。     

电容器补偿晶体振荡器

本文介绍用大温度系数电容作为晶体振荡器的负载电容,从而达到温度补偿目的,屏弃了传统的用热敏电阻网络控制变容二极管电容的补偿方法,讨论了这种振荡器的补偿原理。实验结果表明,对于粗、中精度的温度补偿晶体振荡器的生产,对缩简工序、降低成本有一定的实用价值。为配合PB-2频率计集成化试制,我们承担了1MHz温度补偿晶体振荡器的试制任务。为了缩减工序,降低成本,采用了选择晶体切型和合理选配不同温度系数槽路电容的方案。现将这种方法作如下介绍。     

一种新型的压控晶体振荡器

采用钽酸锂（ＬｉＴａＯ３）晶体谐振器及差分平衡桥式压控振荡电路（ＤＢＶＣＯ）研制了特宽覆盖、低相噪压控晶体振荡器（ＶＣＸＯ）。实验结果表明，振荡频率为１０ＭＨｚ时，频率相对覆盖已大于１０％，单边带相噪功率谱密度优于－１３０ｄＢｃ／Ｈｚ。     

无电感电容的正弦波晶体振荡器

本文叙述了一种单引出头的集成（ＩＣ）晶体正弦振荡电路结构，在ＩＣ放大电路的一个引脚和地之间接入晶体。在这种振荡电路结构中不需要接入其它的电感、电容等惯性元件。讨论了该电路起振的振幅条件，并叙述了在一个反馈支路中加入对称的非线性二极管时，可得到振幅稳定的正弦波振荡。     

PureEdge硅晶体振荡器时钟模块产品系列

NBX系列新增的6款器件具有双电压能力和同类领先的总频率稳定度（低至±20×10^-6），提供高性价比、高精度的参考时钟方案。这些新器件符合路由器、交换机、服务器及基站等应用中最新2．5V／3．3V压正射极耦合逻辑（LVPSCL）设计的时钟产生要求。     

怎样控制电源电压随温度变化的关系

随着我国电子技术的发展,各种新的器件不断涌现,有些器件在一定的条件下对电源的要求也不断提高.例如,我厂研制的砷化镓激光云高仪,其接收部分(如图1)的探头——硅光电雪崩二极管D,要求电源电压随温度变化的曲线与它的击穿电压(雪崩点)随温度变化的特性曲线同步,如图2.图中曲线①为雪崩管的击穿电压随温度变化的特性曲线,曲线②为普通稳压源的电压随温度变化的曲线,曲线③为具有温度补偿     

DAB同步网技术（下）

ＤＡＢ同步网技术（下）李栋（北京广播学院）８孤立的ＳＦ’Ｎ在讨论两个ＳＦＮ的相互影响之前，让我们先分析一下孤立的ＳＦＮ的覆盖状况。图５所示是单个ＳＦＮ沿图２中Ｘ轴方向覆盖率曲线（各发射机功率Ｉｋｗ，发射台相距６０ｋｍ，。一８．３，发射天线高度１５０ｍ...     

恒温温补石英晶体振荡器

提出了一种恒温温补晶振(OCTCXO)的实现方法,该OCTCXO由两部分组成:温度补偿晶体振荡器(TCXO)和恒温槽。TCXO放置在恒温槽中,恒温槽是一个负反馈自动控制系统,当环境温度小于恒温槽设定的温度时,OCTCXO相当于一个恒温晶体振荡器(OCXO);当环境温度大于恒温槽设定的温度时,恒温槽停止工作,整个OCTCXO的频率-温度稳定性由TCXO决定,由于OCTCXO最高工作温度与恒温槽设定的温度之间的温度区间很小,使得TCXO在该温度区间内的频率-温度稳定性得到较大的改善,从而提高OCTCXO的频率-温度稳定性。实验结果表明,该OCTCXO标称频率10 MHz,在-40～70℃温度范围内频率-温度稳定性为±1×10-7;最大功耗为1.15 W,常温工作时功耗为410 mW;体积为21.0 mm×13.0 mm×5.1 mm。