一种低温共烧压电陶瓷的制备

压电陶瓷多层膜的低温共烧特性及压电性能密切依赖于其成分。采用调节压电材料成分,以0.90Pb(Zr0.48Ti0.52)O3-0.05Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-0.05Pb(Zn1/3Nb2/3)O3四元体系为研究对象,同时添加烧结助剂CuO来实现多层膜的低温烧结。对多层膜的流延、排胶、烧结、极化等工艺进行探索以优化工艺参数,最终获得850℃烧结温度下的高致密度多层压电陶瓷。压电性能的测试表明三层结构的压电多层膜陶瓷表观d33达873pC/N,远高于同成分单层陶瓷306 pC/N的d33值。采用多普勒激光测振仪进行扫频实验,测定了多层陶瓷纵向振动速度的频谱,确定了基于该多层膜压电振子的最优谐振频率。     

低温共烧陶瓷无源集成技术及其应用

低温共烧陶瓷技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新元件产业的经济增长点.介绍了目前LTCC无源集成技术及其国内外研究动态和应用前景.     

低温共烧陶(LTCC)技术在材料学上的进展研究

文章先分析了低温共烧陶技术,随后介绍了相关生产工艺中的基板、封装材料和布线材料,最后介绍了低温共烧陶技术的发展趋势,希望能给相关人士提供有效参考.     

微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展

介绍了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及低温共烧技术对微波介质陶瓷的性能要求.总结了微波介质陶瓷实现低温共烧的主要方法,详细综述了典型微波介质陶瓷低温共烧技术的研究进展,指出了其目前存在的问题,并针对微波介质陶瓷低温共烧技术的发展方向提出了看法.     

低温共烧陶瓷技术(LTCC)与低介电常数微波介质陶瓷

简述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的特点及微波介质陶瓷实现低温共烧的性能要求,重点介绍了LTCC低介电常数微波介质陶瓷的分类及微波介电性能,分析和讨论了LTCC低介电常数微波介质陶瓷存在的问题,针对LTCC低介电常数陶瓷材料今后的发展方向提出了自己的看法。     

低温共烧陶瓷(LTCC)材料的应用及研究现状

主要概述了低温共烧陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics,简称LTCC)材料的应用和研究现状,认为利用低温共烧陶瓷技术将多种元器件复合或将其集成在多层陶瓷基板中是今后信息功能陶瓷发展的一个重要方向,在我国应大力发展具有自主知识产权的LTCC技术.     

Ca-Al-Si系低温共烧陶瓷(LTCC)性能研究

设计并制备满足LTCC性能要求的Ca-Al-Si系微晶玻璃。利用流延法制备生瓷带并进行等静压、烧结。对烧结后的样品进行各项性能测试,测试结果为抗弯强度110MPa(三点弯曲),热导率2.62W/m.K,介电常数6.13(1MHz),介质损耗2.57×10-3(1MHz),主要性能达到LTCC对基板材料的要求。     

LTCC异质材料匹配共烧研究

采用低温共烧陶瓷(LTCC)介电/铁氧体复合异质材料是制备小型化多层片式EMI滤波器的关键,但实现异质材料的匹配共烧一直是研究的难点.通过调整流延配方和优化流延工艺,介质材料掺杂改性及采用三明治结构等方法对异质材料的共烧匹配性进行合理有效地调制,解决了异质材料低温共烧匹配技术难点,实现了LTCC异质材料良好的共烧兼容特...     

金粉对LTCC通孔金浆料共烧的影响

采用不同形貌的金粉分别制成LTCC通孔金浆料,将通孔金浆料与A6生瓷片进行填孔共烧。测试了共烧后金浆料的突出高度,观察了金浆料与生瓷片烧结界面形貌及金浆料的烧结致密性。实验结果表明,金粉形貌为类球型且粒径集中时,金浆料共烧后表面突出高度小于10μm,与生瓷片烧结匹配良好,且烧结金层致密。     

低温共烧多层AlN陶瓷基片

介绍由高热导率ＡｌＮ陶瓷与金属Ｗ制备的低温共烧多层ＡｌＮ基片，研究了以Ｄｙ２Ｏ３为主的添加系统对低温烧结ＡｌＮ性能，显微结构的影响。     

低温烧结Ca[(Li0.33Nb0.67)0.7Ti0.3]O3-δ陶瓷及其微波介电性能

采用锌硼硅玻璃作为烧结助剂实现了Ca[(Li0.33Nb.0.67)0.7Ti0.3]O.3-δ陶瓷的低温烧结,研究了锌硼硅玻璃添加量对Ca[(Li0.33Nb0.67)0.7Ti.0.3]O.3-δ陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能的影响.研究表明:随着锌硼硅玻璃添加量的增加,陶瓷体密度和介电常数迅速增加,而Q@f值下降.在910℃的温度下,通过掺入8wt%的锌硼硅玻璃,获得了介电性能较好的低温共烧陶瓷,其εr=36.94,Q@f=4380GHz(3.35GHz).     

低温共烧基板材料研究进展

LTCC是现代微电子封装中的重要组成部分,因性能优良而广泛应用于高速、高频系统.LTCC基板材料的性能决定封装的质量,材料的研究在LTCC的进展中发挥了重要作用.LTCC基板材料可分为两大类:玻璃/陶瓷和微晶玻璃.概述了各类基板材料的组成、性能和应用方面的情况,并介绍了各类材料研究的进展,指出了基板材料未来的发展方向.     

固有烧结温度低的低介电常数陶瓷材料研究进展

固有烧结温度低的低介电常数微波介质陶瓷材料在低温共烧陶瓷(LTCC)中具有重要的应用前景。着重介绍了钨酸盐、磷酸盐、碲酸盐、钼酸盐、钒酸盐、铌酸盐和硼酸盐等固有烧结温度低的低介电常数微波介质陶瓷材料的研究进展,并指出低温共烧陶瓷材料目前存在的问题。     

低熔点可切削微晶玻璃的组织与性能

不同的晶化温度和保温时间对低熔点可切削微晶玻璃的微观组织形貌、切削性能和力学性能有明显影响．试验表明,６００℃保温６～８ｈ与６５０℃保温１～２ｈ的晶化效果等同,具有最佳的切削性能和较高的抗弯强度．更高温度晶化可使强度进一步提高,但切削性能急剧下降．     

制备工艺对BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系LTCC性能和微观结构的影响

研究了溶胶-凝胶法、高温熔融法、预煅烧法分别制备的BaO-TiO2-B2O3-SiO2体系LTCC的介电性能、烧结性能以及微观结构.研究发现,溶胶-凝胶法制备的LTCC材料烧结温度较低,坯体在880℃烧结即可达到最大收缩,其烧结收缩率大于高温固相法制备的LTCC;高温熔融法制备的LTCC介电性能稳定,但烧结温度偏高,大约950℃才能达到最大收缩;预煅烧法制备粉体简单、有效,烧结温度在900℃左右,但LTCC中活性成分较多,容易造成气孔率偏高,致密化难度增大且介电常数稳定性不好等缺点;在总结这3种制备工艺对LTCC玻璃陶瓷材料性能和微观结构的基础上,利用适量掺杂Al2O3等添加剂的方法,在保证介电性能满足应用的前提下,大大提高了预煅烧法制备LTCC的烧结体致密度.     

低温烧结Al2O3-硅酸盐玻璃系玻璃陶瓷的制备和性能研究

采用Al2O3-硅酸盐玻璃复合体系制备低温烧结玻璃陶瓷，通过TG-DTA、XRD、SEM等分析方法对样品进行表征，随着玻璃含量的增加玻璃陶瓷的烧结温度逐渐降低，在玻璃含量约为50％（质量分数）时玻璃陶瓷的热导率达到最大值2．70W/m·K，此时的玻璃陶瓷具有低的烧结温度（800℃）、高的相对密度（≥95％）、低的电容率（8～10）、低的介电损耗（1．5％～0．7％），有望成为LED封装用基板材料。     

低烧钛酸钡基介电陶瓷的研究进展

低温烧结的BaTiO3基介电陶瓷具有降低能耗,抑制晶粒过度生长以及适合制造贱金属内电极多层陶瓷电容器等优点。本文综述添加助烧剂、高活性纳米粉体和烧结方法的改进等对钛酸钡基陶瓷烧结温度及其性能的影响。重点介绍了助烧剂的作用机制、分类和添加方式,并对其发展方向进行了展望。