静电放电模拟器电路建模分析

从实际的静电放电模拟器结构出发,根据接触放电时静电放电电流的主要特征,考虑到静电模拟器本身、连接线及回路电缆与地平面间产生的分布参数的影响,建立了一个新的静电放电模拟器等效电路模型,并用PSPICE软件对等效电路进行模拟分析,得到了与实测波形基本一致的电流波形.利用该模型讨论了各分布参数对放电电流的影响.结果表明:模拟器体电阻与地间的电感对电流波形影响不大,因此可以忽略,但其与地之间的分布电容对电流波形的低频段有重要影响;连接线分布参数对电流波形的第一峰值及波形光滑度都有影响;回路电缆分布参数主要影响了电流波形中第二个波峰峰值及其位置.     

ESD发生器开路电压和电流波形校准方法探讨

许多标准对系统级静电放电发生器的静电放电电流波形的校准设备和方法都有详细的要求,使得静电放电电流波形的校准有据可依,但国内外新老标准的要求不同,也会产生较大的误差。对于静电放电发生器的＂开路电压＂,所有标准中都有准确度的要求,但没有对设备和方法进行规定。而不同的校准方法,其测试结果的偏差很大。系统地分析了静电放电发生器＂开路电压＂和放电电流波形的校准方法。     

一种验证ESD发生器放电电流性能的简易方法

针对GB/T 17626.2-2018静电发生器放电电流的校验,提出了一种简易的校验方法.该方法用实验室一般常用的设备即可进行,避免了实验室必须具有电流靶、电流靶适配器才能开展校验的情况.该方法用定向耦合器替代电流靶,实现了为静电发生器加载和放电电流信号取样的功能.用此方法,可以测量放电电流峰值、30 ns处放电电流幅值、60 ns处放电电流幅值、放电电流脉冲的上升时间和下降时间,实现对静电放电发生器放电电流性能的校验.该方法简单易行,随时可以进行.     

3ctest静电发生器的等效电路建模

静电发生器的等效电路模型对相关静电抗扰度的仿真分析有直接影响。以国产的3ctest (EDS 16H)静电发生器为研究对象,提出一种基于静电发生器模块化的物理结构和阻抗参数测量结果,建立高精度电路模型的方法。介绍了静电发生器的典型物理结构,测量了各模块的阻抗特性,建立的等效电路考虑了接地电缆长短对阻抗参数的影响。根据标准2 Ω电流靶、50 Ω测试系统两种情况下测试的放电电流波形,拟合修正了等效电路参数,电路仿真结果与实测结果吻合较好。相关结果可以为实际的静电抗扰度测试提供参考。     

静电放电发生器的校准系统的研究

电子产品静电放电(ESD)抗扰度试验是电磁兼容(EMC)的重要试验之一。试验前对静电放电发生器的校准是试验准确性的关键保证。本文主要是依据标准IEC61000-4-2-2008,对静电发生器的校准系统以及注意事项做了详细的分析。     

空气式静电放电的放电特性研究

利用简单的静电放电模拟测试装置对IEC标准规定的空气式静电放电的放电特性进行了研究.对放电电流的上升时间、峰值、自制金属半圆环上的耦合电压峰-峰值进行了测量,并用数字存储示波器记录了放电电流和耦合电压的波形.在较宽范围的电压电平和正负电压极性上进行了空气放电.对空气式静电放电的重复性、频谱特性和耦合特性等进行了分析.对空气式静电放电的放电特性研究可为静电放电抗扰度试验方法提供参考.     

二次静电放电仿真与实验研究

二次静电放电（secondary electrostatic discharge，SESD）是一种由一次静电放电引起的发生在仪器内部微小缝隙间的击穿放电现象，可对晶体管等很多元件造成破坏.文章首先搭建由静电放电模拟电路、二次放电模拟电路和电流靶电路组成的电路级仿真模型，初步探索SESD的波形，并与初始模型进行对比分析，验证已知的理论.其次基于实验研究与数据分析的方法，总结二次放电波形特点、峰值特性和时延特性.研究表明:二次放电电流峰值大于一次放电电流峰值，且受放电电压、放电时延等参数影响；二次放电的时延呈正态分布.这一研究结果符合并验证了目前对二次放电微观过程研究所得出的相关理论.     

复合材料飞机上静电放电特性研究

针对碳纤维复合材料(介质)飞机上的静电放电(ESD)展开研究,首先给出复合材料飞机上静电放电的产生原理,并根据飞机上放电电流脉冲波形,建立数值模型,模拟静电荷在复合材料飞机上的积累以及静电荷在飞机上静电放电产生的辐射电场,最后结合有限元方法,计算出复合材料飞机的电容并估算静电放电的能量。与传统的金属飞机不同,这里强调对于静电放电产生的辐射电场,以及静电放电对机载天线的影响均在复合材料飞机环境下计算。     

影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究

静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标.针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律.根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准.基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释.     

非接触静电放电测试低重复特性分析研究

基于自主研发的新型测试系统,对小间隙静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)中电极移动速度和气体压强引起放电参数的低重复离散特性进行探讨.新型测试系统采用机电一体化设计,解决了带电体与受电体高速相向运动与避免强烈撞击损坏仪器的难题,并实现对多种影响因素的有效测量.用新型测试系统测量了气体压强变化和向放电靶移动电极速度等放电参数.静电放电模拟器移动距离控制在(10～40 cm)的范围.电极移动速度变化(v)为14 cm/s,则放电电流峰值改变(J)达到0.5A,空气压强变化对放电电流最高峰值的影响十分明显,压强变化(p)为0.06个大气压时,则峰值电流变化(D为0.5A,证明了电极移动速度和空气压强对放电参数产生的影响;对放电参数受电极移动速度和气体压强变化而出现显著差异的可能机制给出了初步分析.     

现代通信产品静电防护技术导则

本导则提出了电子通信设备机房内静电荷的产生根源及静电放电对其设备正常运行的影响机理，提出机房内环境装修的静电防护措施及静电防护操作等，从而达到有效地控制静电荷的，确保电子通信设备安全可靠运行。本导则适用于以集成电路为核心的现代通信设备机房的设计和管理。     

静电放电抗扰度试验结果差异分析

不同实验室对同一受试设备进行静电放电抗扰度试验可能会得出不同的试验结论,分析了其原因,为提高试验结果的可靠性、复现性和不同实验室之间试验结果的可比性提出了建议。     

电子产品中静电防护问题研究

本文介绍了静电起电、静电放电(ESD)的机理及静电放电的危害,进一步阐述了人体感知静电和产品潜在损伤等问题及其产生的原因.针对静电积聚、静电敏感度和静电耦合能量等产生静电放电的前提条件,按照抑制起电、控制积聚的防护原则,提出了减少静电放电危害,提高电子产品可靠性的具体措施,在设计阶段对产品进行ESD防护网络设计,在生产...     

半导体器件生产中的静电与防护

绝大多数半导体器件都是静电敏感器件,而在生产过程中静电又是无处不在的,生产厂必须对静电防护措施给予充分的重视.生产厂应通过对器件采用防静电设计,并在生产过程中对静电采用泄漏、屏蔽和中和等控制原理,采取静电接地、穿戴防静电工作服、使用防静电台面、地面、工具及周转箱、防静电包装袋等措施,建立一个完整的静电防护体系.生产厂还应建立防静电系统的周期测试和监控制度,保证防静电设施起到有效的防护作用,避免和减少器件在生产过程中的静电损伤,交付用户高质量高可靠的产品.     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电放电（ESD）就是一定数量的电荷从一个物体（例如人体）传送到另外一个物体（例如芯片）的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35％以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电放电的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。针对ESD机制和防护作了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放（ESD）就是一定数量的电荷从一个物体（例如人体）传送到另一个物体（例如芯片）的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35％以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多企业在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。文章针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。     

沉积静电效应及防护研究

简述沉积静电的形成机理，介绍了沉积静电的3种放电形式：跳火花和电弧、表面流光放电、电晕放电；讨论了沉积静电的放电效应；通过对无沉积、轻度沉积、严重沉积3种静电条件下电磁场天线接收信号的分析，研究了沉积静电对导航系统的影响；针对沉积静电的危害，从沉积静电防护的目标和防护措施两方面讨论了沉积静电的防护对策。     

浅谈电子制造过程中的静电及静电防护

静电释放(ESD)就是一定数量的电荷从一个物体(例如人体)传送到另外一个物体(例如芯片)的过程。这个过程能导致在极短的时间内有一个非常高的电流通过芯片,35%以上的芯片损坏都可以归咎于此。因此,在电子制造行业里保护芯片免受静电释放的损害是非常重要的。实际上,很多公司在各种不同电子应用中都遇到了如何应对急速增长的静电防护需求的问题。文章针对ESD机制和防护做了一个较全面的介绍,包括ESD原理、电流产生、危害、防静电工艺要求等。     

CMOS外延工艺下MLSCR器件鲁棒性的研究

传统的改进型横向SCR(MLSCR)器件能够在最小的面积下实现最大的静电放电(ESD)鲁棒性,被广泛应用于ESD防护领域。但是,采用55 nm CMOS外延工艺制作的MLSCR器件会出现鲁棒性剧烈下降且回滞即失效的问题。对器件版图结构进行调整,并进行多组实验,验证了器件失效机理。实验结果表明,在55 nm CMOS外延工艺下,阱的方块电阻阻值大大降低,导致主电流泄放通道难以开启,从而出现MLSCR器件不能开启的问题。