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基于单片机技术的数据采集系统的设计 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了基于单片机技术的数据采集系统的硬件设计和软件设计.该系统以AT89C51单片机为核心,TLC2543作为A/D转换器, 通过RS232通信接口,实现单片机与PC机间的采集数据的传输.该系统分为数据采集传输和数据显示两大模块,数据采集通过单片机控制TLC2543芯片实现A/D转换,并通过RS232实现单片机和PC机间采集数据的传输.数据显示模块,通过在Visual Basic开发环境下,运用VB提供的通信控件MSCOMM来实现上位机对采集数据的收集和显示. 相似文献
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对快中子辐照的直拉硅分别进行了650 ℃和120 ℃快速(RTP)预热处理.450 ℃下不同时间热处理激发热施主,通过四探针测量电阻率和载流子浓度的变化规律,应用傅里叶红外光谱(FTIR)测量间隙氧含量的变化.实验表明经650 ℃预热处理,使辐照样品热施主的形成受到了抑制;Ar气氛RTP预处理条件下,随辐照剂量的增加热施主形成的总量会不断下降.N2气氛RTP预处理,使未辐照样品的热施主形成被抑制,气氛对辐照样品热施主的形成没有明显的影响. 相似文献
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对快中子辐照的直拉硅分别进行了650 ℃和120 ℃快速(RTP)预热处理.450 ℃下不同时间热处理激发热施主,通过四探针测量电阻率和载流子浓度的变化规律,应用傅里叶红外光谱(FTIR)测量间隙氧含量的变化.实验表明经650 ℃预热处理,使辐照样品热施主的形成受到了抑制;Ar气氛RTP预处理条件下,随辐照剂量的增加热施主形成的总量会不断下降.N2气氛RTP预处理,使未辐照样品的热施主形成被抑制,气氛对辐照样品热施主的形成没有明显的影响. 相似文献
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将加工成一定形状的高电阻率GaAs:Cr:n光电导块放入中子场中辐照,以便减少电荷载流子寿命,再将经过辐照并冷却的GaAs:Cr:n样品置入同轴结构的微带线上。这一技术使GaAs:Cr:n成为皮秒时间响应的光电器件并被用作超高速探测器和光电开关。 相似文献
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脉冲激光辐照金属材料表面瞬态温度场研究 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了脉冲激光辐照金属材料表面的热学模型,通过拉普拉斯变换法求解了热传导方程,得出金属材料在激光辐照下加热和冷却过程瞬态温度场分布的精确解析解.基于Visual C++编程并实现界面化,实现对于具体材料激光辐照下瞬态温度场的预测和分析.并以纯铝的激光熔覆和镁合金的激光熔凝实验为例,验证了瞬态温度场的分布.结果表明,金属材料在一个脉冲时间内温度随激光辐照时间的增加而升高,辐照结束后,表面温度迅速下降,内部温度下降较慢.分析结论与相关实验结果基本吻合,证实了所建模型的合理性.该结论对其它激光表面处理过程具有一定的指导作用. 相似文献
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暴露在离子辐照环境中的光纤会产生感生传输损耗,辐照后,需若干年才可恢复。在如此长的时间内进行辐照感生损耗的特性测量是十分困难的,但是预测光纤长时间暴露在离子辐射环境(如反应堆、医学应用、航天仪表或加速器仪表)中的光纤性能是很有必要的。本文概要介绍北大西洋公约组织(NATO)第5小组的许多实验人员、核效应试验团体(NETG)第12研究小组关于光域反射仪进行这些测量的适用性研究。结果表明,只要按照推荐 相似文献
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基于单总线式无线温度采集系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
为提高温度测量效率,降低系统的成本,扩展传输距离,设计出一种新型温度采集系统.单片机通过控制具有单总线方式的温度传感器DS18B20实现对温度的测量,同时单片机通过控制具有单总线方式300~450 MHz 频率范围内的MAX7044与 MAX7033无线发射与接收芯片实现温度数据的无线传输.与传统温度采集系统相比,该系统利用单总线方式连接,采用无线传输方式实现远距离通信,易于系统的集成与扩展.实验结果表明,该系统结构简单、方便移植,能够同时实现多达上百点温度的测量与500 m范围的传输. 相似文献
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利用60Co-γ射线对设计的GaAs基HEMT力敏结构进行了不同剂量的辐照,通过对辐照前后结构的电学特性、力敏特性分析对比,得到了γ辐照对力敏结构的损伤影响.与未辐照样品相比,90 MRad剂量辐照后HEMT力敏结构的漏极电流降低了约74%,辐照剂量高于100 MRad时,样品被击穿,失去工作特性.力敏特性测试结果表明... 相似文献
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随着计算机中的相关的主板ISA插槽不断地失去了优势,取而代之的就是USB接口,该接口作为PC外围接口中的一种,在计算机领域中的关注度不断提高,本论文主要是通过结合了USB传输以及单片机的控制,完成了基于USB接口的激光打标控制器,从而充分利用且展示了USB传输以及单片机控制的特点.本文中涉及到了的USB激光打标控制器的硬件设计以及驱动程序设计,调用通用串行总线接口从而创建出控制器和计算机通信的桥梁. 相似文献