铝掺杂氧化锌陶瓷制备研究

导电氧化锌陶瓷用作靶材通过磁控溅射等薄膜制备技术在玻璃衬底表面沉积透明导电氧化锌薄膜,可用作价格昂贵的氧化铟锡透明导电薄膜的替换材料。氧化锌陶瓷的掺杂将直接影响到氧化锌薄膜的电学性能,因此对氧化锌陶瓷掺杂研究非常必要。氧化锌本身氧空位的存在显示出n型半导体的性质,通过铝离子掺杂能够显著提高载流子浓度。依据此机理,通过液相反应法和陶瓷工艺合成了铝掺杂氧化锌陶瓷,并对其电学性能进行了分析研究。结果显示氧化锌陶瓷电阻率随着铝掺杂量的增加先降低后升高,铝掺杂浓度1%时电阻率最低。     

氧化钐掺杂对氧化锌压敏陶瓷电学特性的影响

以氧化锌、氧化镨、氧化亚钴、氧化铬和氧化钐作为原料,经配料、球磨、造粒、压片和烧结等工序制得压敏电阻片,采用电流-电压特性测试、X射线衍射和扫描电子显微镜分别获得陶瓷的电性能参数,材料成分和微观结构图.实验结果表明:随着氧化钐含量的增加,氧化锌压敏陶瓷的非线性和压敏电压呈现先增大后降低的趋势.当氧化钐摩尔百分比低于0.3时,非线性系数和压敏电压随氧化钐含量的增加而增大.而氧化钐摩尔分数为0.3%时,压敏陶瓷具有最佳非线性电学特性,非线性系数为35,压敏电压为435伏/毫米;继续增加氧化钐至摩尔分数为0.5%时,非线性系数和压敏电压将会降低.氧化钐绝大多数聚集在晶界层,抑制晶粒生长,从而提高了压敏陶瓷的压敏电压.而极少数氧化钐与氧化锌发生置换反应,降低了氧化锌颗粒的电阻,从而提高了非线性.因此氧化锌压敏陶瓷因掺杂氧化钐提高了电性能而有望应用在高压领域.     

氧化锌压敏陶瓷的制备与表征

简析纳米氧化锌压敏陶瓷材料的概念、特性、表征、应用现状,以及制备纳米氧化锌的常见方法和工艺流程,并探讨了纳米氧化锌压敏陶瓷的结构、电参数和导电机理.     

氧化锌压敏电阻器固有电容的研究

以氧化锌半导体陶瓷的微观模型为基础,分析影响氧化锌压敏电阻器固有电容量的各种因素,重点分析如何控制氧化锌压敏电阻器固有电容量的问题。给出了有关实验数据并对实验结果进行了讨论,得出了在理论上和实践中有意义的结论。     

新材料与新工艺

压电陶瓷造可植入线性电机美国专利和商标办公室已经批准革命性Squiggle电机为基本原理专利,这是一种用压电陶瓷和其它非磁性材料制造的线性电机。由从事下一代生物医药技术研究的Bio-phan技术公司和从事微型陶瓷电机研究的新比例技术公司发明。此电机的独特设计可使其获得异乎     

断路器并联ZnO电阻片的选择计算

本文对断路器并联非线性电阻限制操作过电压的作用作了简要叙述,对断路器并联高能氧化锌电阻进行了片数选择计算和能量校验。     

MgCr_2O_4—V_2O_5湿敏陶瓷的成分、组织和性能的研究

本文对MgCr_2O_4—V_2O_5湿敏陶瓷的成分和湿度——电阻特性进行了摸索,发现V_2O_5mol％含量在2～4.5％时,其低湿度区阻值<10~8Ωcm,且具有线性度较高的湿度——电阻特性。X射线衍射及扫描电子显微镜分析证实Mg-Cr_2O_4—V_2O_5陶瓷呈微孔性的尖晶石结构。为进一步深入研究打下了良好的基础。     

氧化锌粉体的制备方式对其压敏特性的影响

以ＺｎＳＯ４．７Ｈ２Ｏ为起始物,用Ｎａ２ＣＯ３,ＮＨ３．Ｈ２Ｏ,（ｎｈ４）２Ｃ２Ｏ４等为沉淀剂,分别制得了３种不同的氧化锌粉末,用ＳＥＭ和ＴＥＭ测得了其形貌,闰度,按照传统的陶瓷制备工艺制得了不同的氧化锌陶瓷体,测得了其Ｉ－Ｖ非线性曲线,并对实验结果进行了分析。     

Y~(3+)掺杂量对BaTiO_3基热敏陶瓷性能的影响

通过传统固相法制备了不同Y~(3+)掺杂量的BaTiO_3基热敏陶瓷,利用XRD和SEM对热敏陶瓷的微观结构形貌进行了表征,研究了Y~(3+)掺杂量对BaTiO_3基热敏陶瓷室温电阻、居里温度及升阻比的影响。结果表明,随着Y~(3+)掺杂量的增加,BaTiO_3基热敏陶瓷的室温电阻先降低后升高,升阻比先升高后降低。随Y~(3+)掺杂量增加,陶瓷晶粒的尺寸随之减小,过小的晶粒在烧结过程中相互黏联模糊了晶界,削弱了PTC性能;Y~(3+)掺杂量为0.5%~0.7%,钛酸钡基热敏陶瓷具有最好的性能,最低室温电阻为14.9Ω,升阻比高达3.96×10~4。     

SnO_2基导电陶瓷电阻温度特性及其导电机理的研究

研究了 Sn O2 基导电陶瓷的配方范围及其电阻温度特性 ,发现其电阻随温度呈指数降低 ,通过 X-衍射分析 ,对其导电机理进行了讨论。     

ZnO导电陶瓷的制备及电性能研究

采用注浆成型法制得ZnO导电陶瓷 ,通过添加Al2 O3、Cr2 O3、Fe2 O3、La2 O3,探讨了各添加剂对ZnO陶瓷电性能的影响。结果表明 ,聚丙烯酸胺 (PMMA)是ZnO粉体良好的分散剂 ,其质量分数在 0 3%时可得到低粘度、高固含量的ZnO悬浮体。各种氧化物添加剂的添加量对ZnO陶瓷的室温电阻率及电阻温度特性具有较大的影响。随着Al2 O3添加量的增加 ,ZnO陶瓷体的电阻率先略微减小然后增大 ;添加Cr2 O3与添加Al2 O3的效果相反 ;随着Fe2 O3、La2 O3添加量的增加 ,ZnO陶瓷体的电阻率增大。添加Al2 O3、Cr2 O3、Fe2 O3、La2O3的ZnO陶瓷呈现负电阻温度特性。     

Influence of grain size on distribution of temperature and thermal stress in ZnO varistor ceramics

The nonuniformity of temperature distribution within ZnO varistor ceramics would decrease its energy absorption capability. In this paper, the distributions of current, temperature and thermal stress within the microstructures of ZnO varistor ceramics are simulated using Voronoi diagram models. The results show that the current concentrates through a few paths in ZnO varistor due to the nonuniformity of ZnO grain size and the variety of electrical characteristics of grain boundaries, which induces local high temperature and great thermal stress when injecting impulse current into ZnO varistor, and leads to melting puncture or cracking failure. The influence of the ZnO grain size on the distributions of temperature and thermal stress within ZnO varistor ceramics is analyzed in detail. The energy absorption capability of ZnO varistor ceramics can be greatly improved by increasing the uniformity of ZnO grain size or decreasing the average size of ZnO grains.     

Coprecipitation preparation and voltage sensitive characteristics of doped ZnO varistor

ＺｎＯｖａｒｉｓｔｏｒｈａｓｂｅｅｎｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄｉｎｐｒｏｔｅｃｔｉｏｎｄｅｖｉｃｅｓｆｏｒｓｍａｌｃｕｒｅｎｔｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｃｉｒｃｕｉｔｓａｓｗｅｌａｓｆｏｒｌａｒｇｅｃｕｒｅｎｔｔｒａｎｓｍｉｓｉｏｎｌｉｎｅｓ［１］．Ｔｈｅｏｒ...     

钨电极与氧化锌纳米线接触的电学特性

为了研究单根纳米线的电学性能及基于纳米线器件的性能表征,在扫描电镜中采用微操纵仪系统,构成测试单根ZnO纳米线的电流-电压(I-V)曲线的两探针装置.测量得到基本线性、典型整流型、基本对称和非对称的I-V曲线.采用金属-半导体-金属(M-S-M)模型和热电子发射理论分析了I-V曲线的特征.ZnO纳米线的导通电流主要取决于纳米线与2个钨电极的M-S-M结的接触程度.ZnO纳米线电学性能的计算表明,由基本线性I-V特征计算的电阻率为4.2Ω.cm;整流型I-V特性曲线的有效势垒高度为0.47 eV.     

金属基陶瓷复合材料的制备方法及其新进展

综述性地报导了金属基硬面陶瓷复材和金属基颗粒第二相陶瓷制备方法的最新进展，其中包括热喷涂法、蒸镀法、喷镀法、电化学沉积法、自蔓延高温合成法(SHS)、溶胶-凝胶法(sol-gel)、激光熔覆等．并且对各种制备方法的特点及其发展进行了简要的阐述．     

分子组装纳米氧化锌的合成及其结构与性能测定

报道了一种新开发的多功能高分子材料改性剂——分子组装纳米氧化锌。论述了其合成路线，确定了分子结构，并进行了性能测试。实验结果表明：PEM中存在的酯键证明癸二酸已经与氧化锌形成键合．PEEM、PEEAM中存在的醚键和酰胺键．表明嵌段共聚的存在，组装成功。测试结果表明；这种改性剂具有良好的稳定性、抗静电、抗菌、吸湿等功能。     

斜率可调微分负阻双口的设计

本文提出了一种用两个场效应管实现的压控线性电阻电路。借助于该电路,在微分负阻单口电路的基础上实现了斜率可调压控微分负阻双口。理论分析与实验结果具有良好的吻合。     

单OTA非线性电阻电路的设计

借助于分段线性化技术和3端口电阻网络优势矩阵条件,提出了一种利用OTA固有非线性饱和特性设计有用的非线性驱动点特性的方法。设计的电路仅由一个OTA和几个线性正值电阻构成。给出了通用设计电路和设计算法,并对设计的电路进行了实验验证。     

时域方法在晶界效应研究中的应用

引入时域参数的概念把时域方法推广用于研究掺杂ＳｒＴｉＯ３陶瓷的线性和非线性效应的微观机理，发现样品的介电极化性质来自四种不同的机构，其中快响应的三种机构的贡献为线性，但占主要成份的慢响应为非线性。