聚甲基珍烯酸肉桂酰氧基乙酯的光控取向研究

研究了向列液晶ＬＣ－Ｅ７０分子在肉桂酸酯类材料聚甲基丙烯酸肉桂酰氧基乙酯光控取向层上的排列特性，液晶盒中向错的类型及产生的原因，从理论上计算了这种取向层的方位表面锚定能的数量范围。     

光控PI取向膜方位锚定能的温度特性

利用摩擦和光控取向技术在基板上分别做成聚配亚胺(PI)取向膜。由Cano盒测试方位锚定能的原理,测试了在不同温度下摩擦处理的膜和光控取向膜方位锚定能的变化,发现光控取向膜的方位锚定能随温度变化较为敏感,但主要问题还是锚定强度弱,讨论了改善光控取向膜锚定强度的方法。     

双酚A双肉桂酸酯光控取向膜

利用双酚A双肉桂酸酯光敏单体在线偏振紫外光作用下发生光交联反应,制备了光控取向膜。制备过程更为简单,不需要高温热处理过程。液晶分子的排列方向与入射紫外光偏振方向垂直。通过紫外光谱和红外光谱分析了光化学反应过程,链聚合反应与异构反应相比,链状聚合反应对于液晶的排列起重要作用。利用偏振红外光谱对取向膜的有序度值计算发现,有序值较小。利用Cano盒测试了方位锚定能的大小为1.28×10-6J/m2。取向膜的热稳定性可以达到90℃。     

光控取向弱锚定表面的液晶分子排列

研究了光敏聚酰亚胺ＰＩ（ＢＴＤＡ－ＴＭＭＤＡ）用于液晶取向时的弱锚定边界特性。实验测得了两基板皆为摩擦取向层扭曲向列液晶显示器件（ＤＲ－ＴＮ－ＬＣＤ）及两基板皆为光控取向层的扭曲向列液晶显示器件（ＤＬＰＰ－ＴＮ－ＬＣＤ）的电光特性和时间响应特性曲线。研究了液晶排列的稳定性,讨论了液晶分子在光控取向弱锚定表面上的排列机理。     

液晶分子的光控取向

介绍了偏振紫外光诱导光聚物液晶取向的基本原理；对用于光控取向的取向层聚合物材料做了分类；把光控取向的取向机理从不同角度归纳为：体诱导和表面诱导、光聚合、光分解和光异构作用。     

一种新型光敏小分子用于光控取向的研究

通过在3,5-二羟基苯甲醇分子中的双酚基基团上引入双肉桂酰酯光敏基团的酯化反应,合成了一类新型的分子顶部为羟基极性基团,整个分子构型类似于树枝状的光敏小分子化合物。将此种光敏材料配成一定浓度的溶液,旋涂在玻璃基板上成膜,经过线性偏振紫外光辐照后发生交联反应,制备成光控取向膜。以此种取向膜制成向列相液晶的平行液晶器件,在偏光显微镜下观察,发现取得了均一、稳定的取向效果,并且该取向膜具有良好的热稳定性能。     

光敏聚酰亚胺(BTDA-TMMDA)的光控取向研究

利用不同波段的线偏振紫外波长照射PI(BTDA—TMMDA)膜,发现光化学反应度有较大的差别,短波长的紫外光和高光功率密度有利于增大反应度和提高取向度。在氯气和有氧条件下光照,发现有氧氛围更易于反应。     

表面自组装反应制备液晶光控取向膜

通过聚乙烯醇薄膜表面致密的羟基基团与肉桂酰氯间的选择性酯化反应,将光敏基团连接到聚乙烯醇薄膜表面,制备出一种新型的光敏自组装单层膜.用线性偏振紫外光辐照该薄膜,与光矢量方向匹配的肉桂酸基团发生光化学反应,反应产物沿辐照光的偏振方向分布,形成表面张力各向异性的薄膜.将该薄膜作为向列相液晶的取向膜制成平行液晶器件,在偏光显微镜下观察,发现获得了均一、稳定的取向效果.这种自组装光控取向膜的制作过程简单,且具有良好的热稳定性.     

光控取向技术在塑料基板的应用

肉桂酸双酚A双酯旋涂于塑料基板,在线偏振紫外光作用下,发生光交联反应,诱导液晶定向排列,整个取向过程不需要对基板进行热处理。原子力显微镜对取向膜表面形貌观察得到表面具有较好的平整度。在偏光显微镜下旋转液晶盒,出现了鲜明的暗态和亮态。     

光敏自组装单层膜用于液晶光控取向的研究

用丁二酸酐和7-羟基香豆素合成了含有脂肪族羧酸基团的光敏化合物，利用脱水反应使它在玻璃(或石英)基板表面形成自组装单层膜。用偏振紫外光照射光敏性自组装膜，与光矢量方向匹配的香豆素基团发生[2 2]周环反应，反应产物沿辐照光的偏振方向分布，形成表面张力各向异性的薄膜。用它作为向列相液晶取向膜制成平行液晶器件，在偏光显微镜下观察，发现取得了均一、稳定的取向效果。并且该取向膜有良好的热稳定性。     

空间电荷限制电流法对a—Si：H隙态密度的测量

本文介绍了用于测量ａ－Ｓｉ：Ｈ隙态密度的空间电荷限制电流（ＳＣＬＣ）法，并报道了采用此方法对ＰＥＣＶＤ方法制备的ａ—Ｓｉ：Ｈ材料隙态密度的测量结果。对ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ／ａ—Ｓｉ１Ｈ／ｎ＋ａ—Ｓｉ：Ｈ结构的样品，测量得到费米能级上０．１６ｅＶ间的欧态密度分布为１０１５～１０１８（ｃｍ－３ｅＶ－１）。     

Atomic structures of Au and Ag films epitaxially grown on the InP(001)-p(2 × 4) surface

Thin films of Au and Ag deposited onto the InP(001)-p(2 × 4) surface at room temperature have been characterized by means of combined surface-layer analysis of low energy electron diffraction, reflection high energy electron diffraction, Auger electron spectroscopy, and Rutherford backscattering spec-troscopy-channeling techniques. It has been found that the Au film grows epitaxially in the layer-by-layer mode along the <001> direction, while the Ag film grows in the <110> direction in the Stranski-Krastanov mode. The unit cell of a face-centered cubic lattice of the Au film is rotated azimuthally by 45° with respect to the unit cell of a zinc-blende lattice of the InP substrate. The islands of Ag(110) crystallites prefer to orient their (100) faces along the direction of the 4 times superlattice of the InP(001)-p(2 × 4) surface. The analysis of the RBS-channeling minimum yield of 1.5 MeVHe⁺ ions incident along the [001] direction of the InP(OOl) substrate shows that both the epitaxially grown Au film and Ag crystallite of less than 20Å in thickness are excellent in crystalline quality.     

场引晶体管理论:Ⅺ.双极电化电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极)

场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流.多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解.当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差.本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流.用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体(x,Y,z)晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件.没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程:半无限厚不纯基上一块栅极(传统的Bulk MOSFET),与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极(SOI),在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极(SOI TFT),和薄纯基上两块栅极(FinFETs).     

沿[001]c极化0.70Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.30PbTiO_3单晶的声表面波传播特性研究

以室温下弛豫铁电单晶0.70Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-0.30PbTiO_3(PMN-30%PT)的材料参数为基础,研究了该晶体沿[001]c极化情况下,不同切型的声表面波传播特性.研究发现,X-切型的PMN-30%PT单晶是一种具有低相速度和高机电耦合系数的材料,同时存在许多能流角为零的传播方向,综合来看,X-切型的127°左右方向是声表面波的最佳传播方向.